СВЕРХПРОВОДНИКИ

Гигантский изотоп-эффект в сверхпроводнике La_2-xSr_xCuO₄
Лантановая керамика уже принесла Alex’у Muller’у нобелевскую премию. И вот – новый подарок. Muller с соавторами обнаружил в сверхпроводнике La_2-xSr_xCuO₄ гигантский изотоп-эффект.

Две группы экспериментаторов, возглавляемые A.Bianconi (Римский университет) и K.A.Muller’ом (Цюрихский университет) исследовали структуру спектральных линий в La_1.94Sr_0.06CuO₄ вблизи края рентгеновского поглощения (методом XANES, чувствительным к локальным искажениям кислородного окружения атомов меди). Эксперименты проводились на источнике синхротронного излучения в Гренобле.

Вид спектра определяется статистическим распределением “мгновенных фотографий” кристаллической решетки (с характерным временем 10^-15с) на масштабах порядка 5A. В эксперименте для образца La_2-xSr_xCuO₄ ниже некоторой температуры Т* форма спектральных линий резко изменялась, что авторы связывают с замораживанием флуктуаций и возникновением поляронного упорядочения типа полос (lattice-charge stripes). При замене ¹⁶O на ¹⁸O температура Т* возрастает со 110К до 170К. При этом изотоп-эффект для температуры сверхпроводящего перехода Т_с гораздо меньше и другого знака: для образца с ¹⁶O Т_с» 8К, а у образца с ¹⁸O Т_с примерно на 1К ниже. Столь огромный изотопический сдвиг температуры Т* авторы объясняют важной ролью поляронных эффектов в образовании полос. Такая интерпретация накладывает определенные ограничения на возможные микроскопические механизмы, ответственные за возникновение, как полосчатой структуры, так и сверхпроводящего состояния.
http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/9812425, версия от 5.01.99

Верхнее критическое поле борокарбида YNi₂B₂C
Измерения верхнего критического поля H_c2 в сверхпроводниках осложняются наличием “паразитного” парамагнитного сигнала, обусловленного несовершенством образца (наличием областей нормальной фазы). Поэтому в ходе экспериментов по определению H_c2(T) в борокарбиде YNi₂B₂C группа американских и южнокорейских физиков уделила особое внимание качеству исследованных ими монокристаллов [M.-O.Mun et al., Physica C 303 (1998) 57]. Им удалось понизить парамагнитный сигнал до уровня 10% от минимального приводимого в литературе и получить таким образом более достоверные значения H_c2. Оказалось, что во всем изученном диапазоне температур 9K < T < T_c » 15K (0 < H_c2 < 3Тл) зависимость H_c2(T) имеет положительную кривизну. Иными словами, скорость роста H_c2 при понижении температуры увеличивается, а признаки выхода H_c2 на константу при T ® 0 отсутствуют. Интересно, что точно такой же вид кривая H_c2(T) имеет и в “overdoped” ВТСП. Это “совпадение” может быть следствием сходства механизмов сверхпроводимости борокарбидов и ВТСП.

Легированная Си-О плоскость: еще одна попытка описать основное состояние
Проблема основного состояния слаболегированных 2D купратов до сих пор активно дискутируется при множестве разноречивых экспериментальных результатов и теоретических моделей. Картину усложняют два обстоятельства (к слову, они же обуславливают разнородность экспериментальных данных):

1. наличие дальнего и/или ближнего магнитного порядка и
2. существенно различная подвижность дырок при легировании исходной диэлектрической матрицы различными типами допантов.

Так, например, модельное соединение La₂CuO₄ можно легировать тремя принципиально разными способами: примесью замещения в позицию La (1) или Cu (2) а также примесью внедрения в виде сверхстехиометрического кислорода (3). В последнем случае из-за большой подвижности кислорода система демонстрирует макроскопическое фазовое расслоение на дырочно-богатую и дырочно-бедную фазы, размеры которых могут достигать масштаба нескольких микрон. При всем многообразии ВТСП систем, система La₂CuO_4+х – единственная, где явление фазового расслоения происходит на макроскопических масштабах. Именно это явление легло в основу представления о легированной Сu-О плоскости, как о нестабильной относительно фазового расслоения. При этом следует иметь в виду, что в случае “тяжелых” примесей (Sr вместо La и Li вместо Cu) система может расслаиваться только на микроуровне. В первом приближении размеры возникающих “фаз” определяются выигрышем в магнитной энергии и проигрышем в кинетической.

Какая форма зарядовых флуктуаций будет реализовываться на практике, опять же зависит от типа конкретной системы. Например, магнитная восприимчивость La(Sr)CuO₄ системы трактовалась [1] как система антифазных доменов, где носители тока сконцентрированы на границах доменных стенок. Система La₂CuO_4+x с низкой подвижностью кислорода и, как следствие, с отсутствием макроскопического расслоения не укладывается в модель с дырочно-богатыми доменными стенками, а более адекватно описывается в модели дырочно-богатых капель с размерами, зависящими от подвижности кислорода [2]. Кроме этого, значительный блок работ (в основном по упругому рассеянию нейтронов) теперь уже на кристаллах с большой подвижностью избыточного кислорода посвящен обнаружению и исследованию кислородной сверхструктуры и структурам, связанным с кислородным упорядочением (stripes, stagers etc.).

Наконец, недавно появилась еще одна работа, касающаяся вопроса о том, как же выглядит допированная Сu-О плоскость с точки зрения распределения в ней избыточного заряда. Изучалась система La₂Cu(Li)O₄. Известно, что замещение меди литием дает самую низкую подвижность дырок в La₂CuO₄ (сопротивление dR/dT<0 во всей области концентраций и температур!). ЯКР исследования на ¹³⁹La в этой системе [3] и сравнение результатов с данными для La(Sr) системы с аналогичным поведением привели авторов к заключению, что нечувствительность результатов эксперимента к характеру допирующей примеси и подвижности избыточных дырок требует пересмотра представлений об основном состоянии легированной Сu-О плоскости. В работе сделана попытка ввести представление о новой коллективной структуре избыточных дырок. Хотя идея нова и безусловно заслуживает внимания, но предстоит еще ответить на вопрос, насколько она применима ко всем системам и насколько, в связи с этим, можно говорить об универсальном поведении легированной Сu-О плоскости. А.Захаров

1. J.Cho et al. Phys. Rev. Lett., 1993, 70, p.222
2. V.Pomjakushin et al. Phys. Rev. B, 1998, 58, p.12350
3. B.Suh et al. Phys. Rev. Lett.,1998, 81, p.2791

Сверхпроводниковый магнит для LHC
16 июля 1998 года в CERN’е продемонстрирована успешная работа сверхпроводникового дипольного магнита для будущего коллайдера LHC. В разработке и изготовлении магнита принимали участие итальянский INFN (Национальный институт ядерной физики) и промышленная компания Ansaldo Energia. INFN в содружестве с CERN разработали конструкцию сверхпроводящего магнита, а Ansaldo Energia изготовила его.

Магнит был установлен на испытательном стенде в LHC в начале июня и охлажден до температуры 1.8К, при этом было достигнуто проектное значение магнитного поля 8.3Тл. После увеличения поля до значения 8.6Тл сверхпроводниковый магнит перешел в нормальное состояние.

При весе около 26т и длине 15 –16м магнит имеет длину магнитного участка 14.2м при 1.9К, внутренний диаметр каждой из двух апертур - 56мм.

Июньская демонстрация стала частью из серии испытаний магнита, при которых магнит термоциклировали и исследовали качество магнитного поля и системы защиты магнита при его переходе в нормальное состояние.

CERN Courier, 1998, 38(6), p.17

НАНОСТРУКТУРЫ

NC-AFM манипулирует наночастицами
Бесконтактный атомно-силовой микроскоп (NC-AFM), изобретенный и усовершенствованный в период 1987-91гг., совмещает преимущества сканирующего туннельного микроскопа (STM) (отсутствует контакт с поверхностью) и атомно-силового микроскопа (AMF) (не требуется проводящая подложка).

Принцип его работы основан на том, что резонансная частота механических колебаний кантилевера сдвигается при приближении его к поверхности. Обычно взаимодействие кантилевера с поверхностью положительное, и тогда сдвиг частоты отрицателен. Но возможен и обратный случай. Поддерживая постоянный сдвиг частоты при перемещении кантилевера вдоль поверхности, можно добиться условий, когда его острие очень близко к поверхности, но все-таки не касается ее. Таким образом NC-AMF, в отличие от обычного AMF, не вызывает нежелательных деформаций ни самой поверхности, ни "нежных" объектов на ней. Кроме того, наличие зазора позволяет перемещать по поверхности отдельные наночастицы.

Ученым из University of Southern California (Los Angeles, США) удалось выстроить в цепочку частицы золота диаметром 5нм и 15нм.

Электрический контакт к молекуле
Исследование электрической проводимости отдельных молекул смыкает физику с биологией. Чтобы изготовить контакт к отдельной молекуле, надо на изолирующую поверхность нанести два электрода с зазором, несколько большим длины молекулы. Затем можно разбросать молекулы по поверхности и с помощью атомно-силового микроскопа (AFM) "снять фотографию" их расположения. После этого по технологии электронно-лучевой литографии можно достроить контакты к ближайшей молекуле от базовых электродов. По идее все очень просто. И конечно же не в этом заслуга ученых из Institute of Physical High Technology и Institute of Moleclular Biotechnology (Jena, Германия). Важно то, что они смогли осуществить этот сложный технологический процесс на деле, успешно преодолев главное препятствие - точное совмещение. В результате удалось наблюдать эффект кулоновской блокады на отдельной молекуле.

Если зазор между электродами выбрать чуть меньше длины молекулы, то можно надеяться, что при рассыпании молекул по поверхности случайно образуется контакт к одной из них. О подобных экспериментах ПерсТ уже сообщал.

Полевой транзистор с "квантовоточечным" каналом
Корейским специалистам (Korea Univ., Seoul и др.) удалось сформировать полевой транзистор путем нанесения алюминиевых электродов на поверхность с самосформированными кремниевыми квантовыми точками с характерным размером около 7нм. В отличие от предыдущих подобных экспериментов, авторам удалось добиться эффекта переключения, т.е. немонотонной зависимости тока между контактами истока и стока от напряжения на затворе.

Моделирование искусственных атомов и молекул
Н.Е.Капуткина и Ю.Е.Лозовик (Институт спектроскопии РАН) провели расчет энергетических спектров отдельной квантовой точки - искусственного атома [1], и цепочки близко расположенных квантовых точек - искусственной молекулы [2]. Трехмерная квантовая точка имела форму шара и обладала параболическим удерживающим потенциалом. В расчете учитывалось межэлектронное взаимодействие (квантовый аналог атома Томсона). Была также рассмотрена двухэлектронная система из двух соседних квантовых точек с двумерным параболическим латеральным удерживающим потенциалом. Различными методами (Гайтлера-Лондона, методом молекулярных орбиталей, вариационным методом и методом численной диагонализации гамильтониана) определены энергии основного состояния системы и энергетические спектры с учетом межэлектронного взаимодействия для широкого диапазона крутизны удерживающего потенциала, расстояния между точками и внешнего магнитного поля. Представленные упрощенные модели могут служить "нулевым" приближением для сравнения с экспериментальными данными.

1. ФТТ, 1998, 40, p.2134
2. ФТТ, 1998, 40, p.2127

НАНОТЕХНОЛОГИЯ

Оптическая литография преодолеет 100нм рубеж
На последнем ежегодном семинаре Semicon West прозвучало сенсационное сообщение о том, что оптическая литография перейдет 0.1мкм отметку. Директор службы маркетинга ф. Canon USA Inc. Phillip Ware заявил даже, что “нам никогда не понадобятся неоптические литографические системы нового поколения, такие как УФ-литография дальнего диапазона, Scalpel, рентгеновская или проекционная ионнолучевая литографии”. А Gross, руководитель литографического производства ф. Sematech General, настроен еще более решительно, заявляя, что жертвой эскалации 193нм системы могут стать также 157нм лазерные системы

Вице-президент ф. Advanced Micro Devices Inc. не видит причин, которые помешали бы 193нм литографии с фазосдвигающей маской и другими технологическими хитростями (внеосевое освещение, коррекция эффекта близости, фильтрация излучения в плоскости зрачка, двухслойный резист) стать потенциальной технологией ИС с топологическими размерами 0.1мкм и меньше. Основные проблемы на этом пути - выбор оптического материала линз для 193нм длины волны и выбор материала для двухслойного резиста. В марте прошедшего года были опубликованы результаты совместных работ ф. Sematech и University of Texas по изготовлению с помощью 193нм степперов в ограниченном рабочем поле элементов с размерами 0.08мкм и 0.07мкм. Сейчас Massachusetts Institute of Technology разрабатывает на основе 193нм лазера систему экспонирования step-and-scan с рабочем полем 22 х 32мм².

В ближайшем будущем, считают официальные представители фирм ASM Lithography и Nikon, система шагового сканирования на основе источника глубокого УФ станет доминирующей, если не единственной, системой экспонирования в производстве микроэлектронных кристаллов следующего поколения. Хотя сканеры - более дорогая установка, чем степперы, но ожидаемый более высокий выход годных ИС уменьшит общую стоимость готовой продукции. К тому же сканеры обеспечивают двухкратную глубину фокуса при 0.18мкм технологии по сравнению со степперами и лучший контроль критических размеров с более низким искажением.

Semiconductor Business News, http://pubs.cmpnet.com/sbn/stories/8g14ngl.htm

ФУЛЛЕРЕНЫ

Углеродные нанотрубки эмитируют свет
Электронным эмиттерам на нанотрубках, как основе нового типа мониторов с рекордным разрешением, посвящены многие публикации. А недавно группа авторов из Политехнической школы (J.-M. Bonard et. аl., Лозанна, Швейцария) наблюдала, что нанотрубки, наряду с электронами, испускают также видимое излучение. Швейцарцы исследовали эмиттеры из отдельных многослойных трубок и из пленки на основе одно- и многослойных трубок. Отдельные многослойные трубки устанавливались на золотой проволоке с радиусом острия ~250нм и удерживались на ней силами Ван-дер-Ваальса. Против исследуемого образца располагался цилиндрический электрод диаметром 3мм на расстоянии 1мм, либо 125мкм (при работе с единичной трубкой или с пленкой, соответственно). Типичная величина приложенного напряжения составляла ~400В. Измерения проводились в вакуумной камере при давлении менее 10^-7мбар. Люминесцентное излучение регистрировалось либо кремниевым фотодиодом, либо ПЗС-камерой, либо спектрометром с ПЗС-фотоприемником, расположенными вне камеры. Установлено, что в многослойной трубке излучение эмитируется в области вершины золотого острия, а его интенсивность возрастает с ростом тока эмиссии. В пленке на основе многослойных трубок распределение интенсивности люминесценции по поверхности эмиттера неоднородно, люминесценция наблюдается только в той области пленки, которая расположена напротив цилиндрического электрода. В отсутствие внешнего напряжения люминесценции не происходит; интенсивность люминесценции быстро снижается с уменьшением напряжения и практически повторяет изменения тока эмиссии. Спектры люминесценции отдельных многослойных нанотрубок в диапазоне токов эмиссии 2-20мкА соответствуют области длин волн 0.6-0.75мкм с максимумом интенсивности около 0.68мкм. Люминесценция пленок на основе одно- и многослойных трубок имеет аналогичный характер, за исключением незначительного смещения спектра в коротковолновую область в случае однослойных трубок. Особенности люминесценции указывают на ее непосредственную связь с током эмиссии. Этот факт отличает люминесценцию нанотрубок от более привычной холодной люминесценции, обусловленной ионизацией с участием ускоренных полем электронов. Предполагается, что люминесценция обусловлена электронными переходами между двумя энергетическими уровнями в области острия: основным, расположенным вблизи уровня Ферми, и глубоким уровнем.

Углеродные нанотрубки заполняются фуллеренами
Одно из наиболее интересных свойств углеродных нанотрубок состоит в возможности их заполнения различными материалами. Если в качестве такого материала выступает металл, то это приводит к образованию изолированных проводов толщиной в несколько нм. Круг объектов, которыми удается заполнить углеродную нанотрубку, непрерывно расширяется. Недавно сотрудникам Университета штата Пенсильвания удалось заполнить нанотрубку молекулами фуллерена С₆₀. Молекулы С₆₀ образуются, в частности, при синтезе углеродных нанотрубок методом импульсного лазерного испарения графита. В результате очистки и отжига большая часть этих молекул удаляется вместе с другими остаточными загрязнениями. Наличие внутри очищенных однослойных нанотрубок замкнутых углеродных оболочек (большей частью это молекулы С₆₀ диаметром 0.7нм) было установлено с помощью просвечивающей электронной микроскопии. Некоторые из них самоорганизуются в цепочки с почти одинаковым расстоянием между центрами элементов (~1нм) и на расстоянии 0.3нм от стенок трубки. После продолжительного воздействия пучка электронов с энергией 100кэВ возможно слияние фуллеренов в протяженные стабильные агрегаты, содержащие по 3-4 сферических молекулы. Большинство нанотрубок не содержат фуллеренов, хотя число заполненных фуллеренами нанотрубок достаточно велико.

Nature 1998, 396, pp.323-324, 26 November

СИНХРОТРОННОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ

Борьба за синхротроны 3-го поколения
Pohang Light Source – источник синхротронного излучения (CИ) 3-го поколения, введенный в действие в 1995г. в Ю.Корее. Источник, расходы на эксплуатацию которого поступают из госбюджета, используется для прикладных и фундаментальных исследований. В настоящее время на нем работают 8 выходных каналов, еще 3 канала должны заработать в ближайшее время. Но и такое число каналов не может удовлетворить растущее число пользователей СИ. До 2008г планируется строить и запускать по 3 новых канала в год. В 1998г. завершилось строительство первого ондулятора, и строятся еще два ондулятора – непременные атрибуты источников СИ 3-го поколения. Четыре ВЧ клистрона мощностью по 60кВт обеспечивают ток пучка 400мА при энергии 2ГэВ. Рабочий режим для пользователей – это 100мА в течение 20 часов. Все действующие выходные каналы (кроме одного литографического) используются для проведения измерительных и аналитических исследований.

В Японии главным участником проекта VSX источника вакуумного УФ и рентгеновского излучения 3-го поколения является Institute for Solid State Physics. Яркость источника, превышающая 10²⁰ фотонов? с^-1? мм^-2? мрад^-2 на 0.1% полосы излучения при энергии фотонного пучка 1кэВ, будет достигнута с помощью ондуляторов, установленных в длинных прямых секциях. 2ГэВ накопительное кольцо будет иметь длину окружности около 388м, эмиттанс 5нм? рад, четыре прямых секции длиной 14м и двенадцать – длиной 7м. Основной зал будет частично окружен дополнительным залом для вывода каналов длиной до 80м. Это позволит проводить спектроскопические эксперименты с более высоким разрешением. Затраты на строительство источника поддержаны правительством.

Правительство Франции приняло решение не финансировать в 1999 году строительство нового 2.15ГэВ источника синхротронного излучения SOLEIL, стоимостью 244млн. долл. При обсуждении в парламенте министр по научным исследованиям представил этот источник СИ как дорогую установку, представляющую интерес только для 40 собственных и иностранных исследователей, в том числе английских. Поэтому затраты на строительство источника следует рассматривать как "субсидию на британские исследования". В конце концов, считает министр, французские ученые могут продолжать свои исследования на других источниках. Ответом на такое заявление стало письмо, подписанное директорами синхротронных установок в Швеции и Германии, в котором говорится, что вверенные им шведские и германские установки не могут быть предоставлены такому большому и разнообразному по интересам научному сообществу, как французское.

Генеральный директор European Synchrotron Radiation Facility (Гренобль) Y.Petroff не знает "от кого министр получил эти сведения, но они так смешны, что не стоят даже ответа". В частности, цифра 40 относится не к числу исследователей, заинтересованных в синхротроне 3-го поколения, а к числу выходных каналов, заложенных в проекте SOLEIL. Petroff добавил также, что даже стареющим синхротроном 2-го поколения LURE (в Орли) пользуются более 2000 исследователей.

Регионы, соперничающие за размещение SOLEIL на своей территории, единодушны во мнении, что "строительство SOLEIL - это главный приоритет". Поэтому регион, который выиграет SOLEIL, возьмет на себя частичное финансирование строительства источника и заложенных в проекте выходных каналов, в то время как остальные регионы будут финансировать строительство дополнительных каналов, предназначенных для специфических исследований.

Без SOLEIL, считают руководители CNRS (Centre National de la Recherche Scientifique), "Франция будет выглядеть отсталой на фоне других европейских стран, которые уже обзавелись источниками СИ 3-го поколения, как Германия, или строят их, как Великобритания".

НОВОСТИ ФИЗИКИ В БАНКЕ ПРЕПРИНТОВ

СВЕРХПРОВОДНИКИ

Локализация носителей заряда в YBa₂(Cu_1-xZn_x)₃O_7-d
До сих пор окончательно не выяснена причина подавления сверхпроводимости ВТСП YBa₂Cu₃O_7-d при замещении атомов меди атомами цинка. Исследование низкотемпературного поведения r _ab монокристаллов YBa₂(Cu_1-xZn_x)₃O_7-d в магнитном поле до 18Тл показало, что замещение меди на цинк ведет к локализации носителей заряда даже в относительно “чистых” образцах с k_Fl > 5 (k_F - импульс Ферми, l - длина свободного пробега), то есть когда величина l больше длины волны электрона и локализации, вообще-то говоря, быть не должно. В качестве возможной причины этого эффекта авторы рассматривают нарушение локальных антиферромагнитных корреляций спинов атомов меди.
K.Segawa and Y.Ando, http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/9811278
Contact: Kouji Segawa segawa@criepi.denken.or.jp

Экспериментальное подтверждение кроссовера от бозе-эйнштейновского конденсата к БКШ-сверхпроводимости в ВТСП
Новый экспериментальный аргумент появился в споре о наличии или отсутствии в ВТСП бозе-эйнштейновской конденсации локальных пар. Исследования динамики релаксации квазичастиц в YBa₂Cu₃O_7-x (x < 0.48) с разрешением по времени 10^-15с показали следующее. В “underdoped” области (x > 0.15) отсутствуют низкоэнергетические изменения щели при T=T_c, что говорит о существовании связанных пар выше T_c. С ростом x до » 0.1 имеет место переход к БКШ-режиму: щель “схлопывается” при T=T_c. Таким образом, при x » 0.1 имеет место кроссовер от бозе-эйнштейновской конденсации к БКШ-сверхпроводимости.
J.Demsar et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/9812079
Contact: Jure Demsar jure.demsar@ijs.si

Аномальные примесные эффекты в неадиабатических сверхпроводниках
Показано, что выход за рамки адиабатического приближения Мигдала-Элиашберга приводит к новому эффекту - быстрому уменьшению критической температуры T_c изотропного s-волнового сверхпроводника с ростом концентрации n немагнитных примесей (тогда как T_c(n) » const в адиабатических сверхпроводниках). Авторы полагают, что экспериментальное наблюдение подавления сверхпроводимости K₃C₆₀ и Nd_2-xCe_xCuO_4-d при атомном разупорядочении обусловлено именно неадиабатичностью электрон-фононного взаимодействия в этих сверхпроводниках. Они предсказывают, что влияние изотопического замещения на T_c в присутствие примесей качественно отличается от ожидаемого для анизотропных сверхпроводников.
M.Scattoni et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/9812192
Contact: Claudio Grimaldi claudio@pil.phys.uniroma1.it

Угловая зависимость поперечного нелинейного магнитного момента Y-Ba-Cu-O в мейснеровском состоянии
При T = 2.5К с помощью низкочастотной методики исследована угловая зависимость нелинейного поперечного магнитного момента M качественных оптимально допированных монокристаллов ВТСП Y-123, не содержащих двойников. Как известно, для d-волнового типа спаривания теория предсказывает периодичность M(q ) с периодом 2p /4 в силу наличия у параметра порядка четырех нулей на поверхности Ферми. Однако ничего похожего на такую зависимость в эксперименте не было обнаружено. Автор полагает, что сверхпроводящая щель отлична от нуля во всех точках поверхности Ферми. (Submitted to Physical Review Letters)
A.Bhattacharya, http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/9812234
Contact: Anand Bhattacharya bhat0015@gold.tc.umn.edu

Не универсальная температурная зависимость холловского угла в однослойном купрате Bi₂Sr_2-xLa_xCuO₆
Синтезированы качественные монокристаллы Bi₂Sr_2-xLa_xCuO₆ с одним слоем CuO₂ в элементарной ячейке и различными x, соответствующими очень широкому диапазону концентраций носителей заряда от “underdoping” до “overdoping”. При оптимальном допировании остаточное удельное сопротивление монокристаллов самое маленькое из приводимых в литературе для Bi-2201, а критическая температура T_c = 33К - самая большая. Обнаружено, что температурная зависимость холловского угла является степенной (~Tⁿ), причем показатель степени n монотонно уменьшается с ростом x (n = 1.7 при оптимальном допировании). Это ставит под вопрос универсальность зависимости T² “ферми-жидкостного типа” в Bi-2201. Интересно, что r _ab выше T_c строго линейно по температуре.
Yoichi Ando and T.Murayama, http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/9812334
Contact: Yoichi Ando ando@criepi.denken.or.jp

Изменение анизотропии сверхпроводящей щели при допировании
Методом фотоэмиссионной спектроскопии с угловым разрешением (ARPES) выполнены очень точные измерения угловой зависимости сверхпроводящей щели |D | монокристаллов Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+d с различным уровнем допирования. Обнаружено, что при уменьшении концентрации носителей максимальная величина |D | увеличивается, а “наклон” |D | вблизи нулей уменьшается. В целом полученные результаты согласуются с d-волновой симметрией параметра сверхпроводящего порядка D , но не могут быть описаны простой зависимостью D ~ cos(k_x) - cos(k_y). Авторы полагают, что их данные свидетельствуют о наличии взаимодействия между квазичастицами, которое становится более сильным в “underdoped” области.
J.Mesot et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/9812377
Contact: Mike Norman norman@hexi.msd.and.gov

Ответственный редактор С.Т.Корецкая, тел: (095) 930 33 89

В подготовке выпуска принимали участие:
В.Вьюрков, А.Елецкий, Ю.Метлин, Л.Опенов