СВЕРХПРОВОДНИКИ

Сверхтонкие YBCO пленки с Т_с выше 77К
Сверхтонкие (< 10нм) ВТСП пленки представляют интерес как для физических исследований, так и для практического использования, в частности в СВЧ-электронике: джозефсоновские переходы, полевые приборы, нелинейные элементы микроволновых схем, инфракрасные детекторы и т.п.

Однако критическая температура Т_с пленок YBCO резко снижается при уменьшении толщины ниже 10нм. Ответственность за это несут как фундаментальные механизмы (переход Костерлитца-Таулесса, передача заряда подвижных носителей через интерфейс), так и чисто технологические причины – рассогласование параметров решетки подложки и растущей пленки. Стандартный прием улучшения сверхпроводящих свойств сверхтонких пленок – использование буферного слоя между подложкой и пленкой; при этом материал буферного слоя должен иметь неметаллические свойства и максимально близкие к YBCO параметры решетки. Лучшим буферным материалом для YBCO оказался PrBa₂Cu₃O₇ (PBCO); его использование существенно повысило значение Т_с, но важный рубеж в 77К так и не был перейден.

Для улучшения сверхпроводящих свойств сверхтонких YBCO пленок в отделе член-корр. РАН Игоря Всеволодовича Грехова (ФТИ им. Иоффе РАН) предложили принципиально новую структуру буферного слоя – композитный диэлектрик, состоящий из кристаллитов изолятора YBa₂NbO₆ (YBNO) и сверхпроводника (YBCO). Такой слой можно приготовить методом лазерного распыления мишени, синтезированной из окислов Y, Ba, Cu, Nb. Пленка буферного слоя с типичной толщиной ~ 30нм формируется на подложке SrTiO₃ (001). Дифракционные рентгеновские спектры показывают, что буферная пленка состоит из смеси фаз YBCO (с пониженным содержанием кислорода) и YBNO, имеющей кубическую структуру с постоянной решетки a=0.84нм. Характерный размер гранул - 100-500нм.

Исследования ранних стадий роста пленок с помощью атомно-силового микроскопа показали, что фаза YBCO в буферном слое демонстрирует 3-D островковый рост, а фаза YBNO формирует ровное плато. Обе фазы сосуществуют бок о бок, и вблизи границы раздела фаз на диэлектрическом плато YBNO всегда присутствует некоторое количество 2-D зародышей YBCO, которые могут являться центрами зародышеобразования нового молекулярного слоя YBCO при осаждении YBCO на YBaCuNbO буферный слой.

Сверхтонкие пленки YBCO, осажденные непосредственно на подложку SrTiO₃, формируются путем двумерного зародышеобразования с последующим ростом в плоскости a-b. В то же время как механизмом роста сверхтонких пленок YBCO на YBaCuNbO буферном слое является локальное распространение ступеней. В

результате сверхтонкие пленки YBCO, осажденные на SrTiO₃ подложку и на YBaCuNbO буферный слой, имеют разную морфологию поверхности. Авторы считают, что именно механизм роста путем локального распространения ступеней позволяет улучшить совершенство кристаллической структуры сверхтонкой YBCO и увеличить критическую температуру.

Применение принципиально нового буферного слоя позволило поднять Т_с с 68К до 80К (в пленке толщиной в 3 ячейки) и до 86К (в пленке толщиной в 4 ячейки). Это пока лучший в мире результат для пленок YBCO такой толщины.

Новый безмедный сверхпроводник K-Bi-O
Хорошо известно семейство сверхпроводящих соединений BaBi(Pb)O₃. Все эти сверхпроводники являются "четверными": Ba-Pb-Bi-O или Ba-K-Bi-O. В Японии (ISTEC, Токио) путем синтеза при высоком давлении впервые получили тройной сверхпроводник K_1-xBi_1+xO₃ [N.R.Khasanova et al., Physica C 305 (1998) 275]. Величина T_c составляет около 10К при 0? x? 0.1 и почти не зависит от x в этом диапазоне, а увеличение x>0.1 ведет к потере сверхпроводимости. По данным рентгеновской и электронной дифракции кристаллическая структура представляет собой кубический перовскит.

Ревизия симметрии параметра порядка в "электронных" ВТСП
Большинство (хотя и не все) экспериментальных данных говорит о том, что в ВТСП с дырочным типом проводимости параметр сверхпроводящего порядка D имеет d-волновую симметрию. Таких ВТСП подавляющее большинство (YBa₂Cu₃O₇,
La_2-xSr_xCuO₄, Bi₂Sr₂CaCu₂O₈ и т.д.). Что касается немногочисленных известных на сегодня ВТСП с электронным типом проводимости, наиболее изученным из которых является Nd_2-xCe_xCuO₄, то долгое время считалось, что в них D имеет s-волновую симметрию.

Группа японских физиков из Nagoya University, Tohoku University и Japan Science and Technology Corporation выполнила исследования квазичастичных спектров возбуждений в монокристаллах
Nd_2-xCe_xCuO₄ методом STM/STS [1]. Полученные результаты показали, что D не только анизотропен в импульсном пространстве, но и имеет
d-волновую симметрию. Авторы [1] обсуждают, тип этой симметрии – d_xy-волна или d_x2_-y2-волна – и склоняются в пользу последней.

Сверхпроводимость Tl_1.8Ba_2.0Ca_2.6Cu_3.0O_10+d в морозную погоду при высоком давлении
Известно, что критическая температура T_c большинства ВТСП увеличивается под давлением, достигая рекордной величины T_c» 160К в HgBa₂Ca₂Cu₃O_x при P» 30ГПа. Недавно появилось сообщение [1] об аномальном росте T_c поликристаллических образцов ВТСП Tl_1.8Ba_2.0Ca_2.6Cu_3.0O_10+d при P» 5ГПа. Авторы [1] обнаружили, что T_c быстро увеличивается с ростом P от своего начального значения T_c=129К при P=0 и достигает величины T_c=255К (обычная для русской зимы температура!) при P=4.3ГПа. Вот только T_c, измеренная в [1], к сожалению, представляет собой не температуру нулевого сопротивления, а лишь температуру начала уменьшения (хотя и очень резкого) R(T) при охлаждении образца. Заметим, что статья [1] представляет собой своеобразный "интернациональный винегрет": она написана китайскими физиками на английском языке и опубликована в украинском журнале.

Завершена сборка магнитной системы RHIC (Brookhaven)
1800 сверхпроводящих магнитов установлены и частично испытаны в единой магнитной системе коллайдера тяжелых релятивистских ионов (RHIC). На их изготовление потребовались 21млн. метров сверхпроводящего проводника и 900 тысяч часов рабочего времени. Планируется, что первый испытательный “пуск” пучка ионов будет произведен в марте 1999 года, а в июле ожидаются эксперименты по первому столкновению пучков. Поставщиком первичного пучка ионов для RHIC станет старейший брукхэвенский синхротрон (AGS), построенный еще в 1960 году.

Сверхпроводящий фильтр
Ученые International Superconductivity Technology Center (Tokyo) совместно с NEC Corp. (Tokyo) разработали ВТСП фильтр для использования в спутниковых системах связи и на базовых станциях сотовых телефонов. В процессе разработки преодолена проблема, стоявшая перед такими фильтрами. Прежние конструкции ВТСП фильтров не совместимы с высокими уровнями мощности, характерными для систем космической связи. ВТСП фильтр, анонсированный ф. NEC, выдерживает в 10 раз более высокие уровни мощности в сравнении с другими ВТСП фильтрами.

Контакт:
G. Pindoria, e-mail: govind@inJapan.net

НАНОСТРУКТУРЫ

Некаскадный лазер от Capasso
Группа F.Capasso из Bell Labs сообщает успешные результаты исследования “некаскадного” лазера на длину волны 7.7мкм. Фактически был взят только один период из соответствующего каскадного лазера. Преимущества такой структуры, называемые авторами, очевидны: более простой технологический процесс, более низкие рабочие напряжения и возможность прямого исследования излучательных и безизлучательных переходов без артифактов, вызванных множеством каскадов.

Сверхпроводимость двумерной электронной системы
Наблюдающийся переход металл-диэлектрик в двумерной электронной системе (2DES), возникающей в обычных кремниевых полевых транзисторах (MOSFET), снова приковал внимание физиков к двумерии. Ранее ПерсТ сообщал о гипотезе возникновения сверхпроводящего состояния в 2DES, которая объясняла этот переход. Однако, как выяснилось, надобности в этой гипотезе не было, поскольку с 1991 года существует теория, выдвинутая D.Belitz (University of Origon) и T.R.Kirkpatrick (University of Maryland) [1]. Они предложили механизм спаривания электронов при наличии их сильного кулоновского взаимодействия и неупорядоченности в системе. Спаривание является следствием того, что в неупорядоченной системе облака электрического заряда или спиновой поляризации медленно рассасываются. Возникающая в результате этого сверхпроводимость была названа экзотической, поскольку электроны спаривались в триплетном состоянии (суммарный спин равен 1), в отличие от обычной сверхпроводимости - синглетной (суммарный спин равен 0). Тогда же авторы указали на то, что предложенный ими процесс наиболее эффективен в двумерной системе. В недавней своей работе [2] они провели расчеты, базирующиеся на параметрах реальных MOSFET’ов, и показали, что, действительно, возникновение экзотической сверхпроводимости вполне реально в подобных структурах.

Теоретическому исследованию сверхпроводимости 2DES посвящена статья J.S.Thakur и D.Neilson (The University of the New South Wales, Sydney, Австралия) [3]. Они показали, что эффективное притяжение между электронами возможно даже в том случае, когда степень беспорядка в системе настолько велика, что гасит плазмоны.

Очень важный научный результат получен недавно российским физиком В.М.Пудаловым (ФИАН им.П.Н.Лебедева) в содружестве с австрийскими коллегами (Johannes Kepler Universitat) [4]. Напомним, что запрет на существование металлического состояния 2DES при Т=0 основывался на скейлинговой теории, согласно которой система описывалась всего одним параметром. Измерения, выполненные на MOSFET’ах, показали недостаточность однопараметрического описания системы в широких диапазонах варьирования электронной плотности и степени беспорядка.

Cамоорганизация пленок SiGe
Обзорная статья (C.Teichert, J.C.Been и M.G.Lagally [1]) содержит систематическое изложение известных к настоящему времени результатов по самоформированию различных наноструктур, возникающих в процессе эпитаксии Странского-Краштанова Si_1-xGe_x на поверхности Si(001). Особый интерес вызывает рассмотрение возможностей управления процессом роста для формирования желаемых структур.

Двумерный атомный газ
Напряженность электрического поля в стоячей световой волне вблизи отражающей поверхности имеет минимум, что создает потенциальную яму для атомов. Ученым из Universitat Konstanz (Германия) удалось, направляя пучок охлажденных атомов аргона на такую ловушку, сконцентрировать атомы в ней в 100 раз.

Холодные молекулы
Хорошо разработанная технология лазерного охлаждения атомов, основанная на эффекте отдачи при переизлучении фотонов, неприемлема для охлаждения молекул. В отличие от атомов, у молекул имеются многочисленные вращательные и колебательные возбуждения, подавить которые в процессе лазерного охлаждения практически невозможно. Сотрудники Harvard University (США) предлагают весьма универсальный метод охлаждения парамагнитных атомов и молекул. Вначале молекулы охлаждаются в гелии до температуры, которая (в энергетических единицах) ниже высоты потенциального барьера в магнитной ловушке. Дальнейшее охлаждение происходит за счет ухода “горячих” молекул из ловушки. Исследователи реализовали эту идею на молекулах CaH. Спектры флуоресценции доказали, что им удалось охладить молекулы до температуры 400мК.

Лазерная оптическая литография для наноэлектроники
Финансируемая правительством Японии организация Advanced Semiconductor Equipment Technology (ASET) силами 30 специалистов приступила к реализации программы по исследованию литографии на основе крайнего УФ (extreme ultraviolet – EUV). Ведущий участник программы - ф.Nikon, известный поставщик степперов для литографических процессов.

Большинство японских фирм, занимающихся “постоптическими” литографиями, сосредоточены главным образом на рентгеновской и электронно-лучевой литографиях. ASET провела анализ возможностей литографических методов и пришла к следующим выводам относительно предельных возможностей оптической литографии:

Solid State Technology, 1998, (11)

ФУЛЛЕРЕНЫ

Синтез однослойных нанотрубок в атмосфере азота

До недавних пор считалось, что атмосфера гелия является необходимым условием образования одностенных нанотрубок в процессе лазерной абляции. Это приводило к усложнению и удорожанию экспериментов. Правило разрушила группа японских исследователей, среди которых первооткрыватель углеродных нанотрубок Iijima. Они осуществили успешный синтез в атмосфере азота.

Эксперименты проводили при температуре поверхности графитовой мишени 1200^оС и давлении азота в камере ~500Торр. Излучение второй гармоники неодимового лазера с длительностью импульса 8нс фокусировали на поверхность мишени, обеспечивая плотность энергии ~3Дж/см². Графитовая мишень содержала 1.2ат.% примеси (Ni+Co) в качестве катализатора. Образовавшаяся в результате сажа содержала, наряду с фуллеренами и частицами углерода, до 50% однослойных нанотрубок диаметром 1.3-1.4нм. Часть трубок соединена в жгуты диаметром до 30нм. Измерения, выполненные методом спектроскопии потерь энергии электрона, показывают, что полученные нанотрубки практически не содержат молекул азота. Выход и структурные характеристики нанотрубок, синтезированных в атмосфере азота, аналогичны соответствующим параметрам нанотрубок, синтезированных в атмосфере гелия.

Никель упрощает превращение углеродных нанотрубок в алмазные

Под действием высоких температур и давлений кристаллическая структура фуллеренов модифицируется в алмазную. По некоторым сообщениям в результате подобного воздействия может возникнуть и некоторое новое состояние углерода, по твердости превосходящее алмаз. С₆₀ превращается в объемные поликристаллы алмаза в результате негидростатического сжатия с давлением ~ 20ГПа при комнатной температуре. Конверсия фуллеренов в алмазы наблюдалась как при повышенных температурах и давлениях, так и при воздействии быстрых электронов, ионов или ударных волн. Наряду с фуллеренами, исходным материалом для получения искусственных алмазов могут служить также и углеродные нанотрубки. Так, группой китайских ученых (Tsinghua Univ., Beijing, China) для этой цели использовались многослойные углеродные нанотрубки, синтезированные методом химического парофазного осаждения из смеси этилена и водорода в присутствии металлических катализаторов. Полученные нанотрубки с гальваническим слоем никеля затем подвергались сжатию при давлении 8ГПа и отжигу при температуре 1600^оС в течение 5с. В качестве контрольных образцов в этих же процессах использовались чистые углеродные нанотрубки (без покрытий) и трубки, покрытые сплавом FeNiCo. В результате сжатия и отжига образцов получены чешуйчатые структуры. Проведенные на них измерения спектров комбинационного рассеяния с облучением от Ar-лазера и дифракционные рентгеновские измерения свидетельствуют о том, что покрытые никелем углеродные нанотрубки при указанных режимах превращаются в алмаз с кубической алмазоподобной кристаллической решеткой с постоянной решетки 0.356нм. Слой никеля на поверхности нанотрубки действует как активный катализатор и обеспечивает высокую эффективность конверсии в алмаз. Чистые нанотрубки после сжатия и отжига конвертируются в кристаллический графит с высокой степенью упорядочения структуры, в трубках с покрытием FeNiCo появление алмаза наблюдается лишь на отдельных участках.

Jap. J. Appl. Phys., part. 2, 1998, 37(9A/B), pp.1085-1086

КВАНТОВЫЕ СИСТЕМЫ

Квантовая логика на оптической решетке
Главная трудность в создании квантового компьютера состоит в том, чтобы изолировать квантовую систему от внешней среды и, в то же время, обеспечить легкий доступ к каждому кубиту для манипулирования его состоянием. Исследователи из University of New Mexico и University of Arizona (США) предлагают устройство квантового компьютера, которое, по крайней мере, теоретически совмещает эти противоречивые требования. Идея заключается в помещении нейтральных атомов в потенциальные ямы в оптической решетке, наподобие того, как помещают яйца в картонных упаковках. Управлять атомами можно с помощью лазерного излучения, вызывающего резонансные переходы между состояниями, одно из которых можно считать нулем, а другое - единицей (квантовый бит = кубит). Перед работой компьютера атомы следует предварительно охладить, т.е. перевести в основное состояние. К сожалению, авторы не рассматривают спонтанные излучательные переходы атомов, которые могут стать основным процессом декогеренизации в системе.

Всегда ли квантовые компьютеры быстрее классических?
Огромный интерес к квантовым компьтерам вызван тем, что они способны решать многие практически важные задачи за гораздо меньшее число операций, чем классические компьютеры. Однако в последнее время ведется поиск таких задач, при решении которых, квантовые компьтеры не дают значительного ускорения.

Успех алгоритма Grover’а создал иллюзию, что любой анализ функции N переменных может быть выполнен квантовым компьтером за число операций O N. Но это оказывается не так. Ученым из Massachusetts Institute of Technology и Notheastern University (США) удалось показать, что задача определения четности функции, по отношению к которой задача Grover’а является лишь частным случаем, разрешается на квантовом компьтере за число операций N/2 [1]. По виду задача очень простая. Имеется функция f(x)=± 1 для x=1, 2,....N. Требуется определить, является ли произведение всех ее значений par(f) = P f(x_i) равным +1 или -1. Решение этой задачи на классическом компьютере требует, естественно, N шагов. Как видно, ускорение расчета на квантовом компьютере не велико.

По мнению ученых, большое ускорение в алгоритме Grover’а вызвано очень большими ограничениями на функцию f(x): она принимает значения +1 во всех точках, кроме одной, в которой она равна - 1.

А вот российскому ученому Ю.Ожегову (МГТУ “Станкин”) удалось даже придумать задачу, касающуюся также обработки данных (анализа функции), при решении которой квантовый компьютер вообще не дает никакого ускорения [2].

2. http://xxx.lanl.gov/abs/quant-ph/9802049

НОВОСТИ ФИЗИКИ В БАНКЕ ПРЕПРИНТОВ

Электронная структура La_2-xSr_xCuO₄ в окрестности перехода сверхпроводник-диэлектрик
Сообщается об исследованиях электронного строения La_2-xSr_xCuO₄ с 0.03? x? 0.15 методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением (ARPES). Обнаружено, что вблизи перехода сверхпроводник-диэлектрик, происходящего при x» 0.05, имеет место перенос спектрального веса между двумя компонентами, которые сосуществуют вблизи перехода. Полученные данные свидетельствуют о наличии микроскопической неоднородности в распределении избыточных дырок. В “underdoped” образцах (x<0.1) дисперсионная зона, пересекающая уровень Ферми, исчезает в направлении
(0,0)-(p ,p ) - в отличие от Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+y. Авторы отмечают, что их результаты согласуются с картиной эволюции дырок в диэлектрике к флуктуирующим “полоскам” (stripes) в сверхпроводнике.

(Submitted to Physical Review Letters)
A.Ino et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/9902048
Contact: Akihiro Ino ino@wyvern.phys.s.u-tokyo.ac.jp

Андреевское отражение, псевдощель и локальные пары
Предложен простой способ экспериментальной проверки широко дискутируемого сейчас вопроса о том, связано ли наличие псевдощели в ВТСП с так называемыми локальными парами, между которыми отсутствует фазовая когерентность. Этот способ основан на теоретических результатах, полученных авторами, а именно: даже при T>T_c (то есть выше температуры установления фазовой когерентности) должен существовать эффект андреевского отражения от таких пар. Качественные соображения подтверждены детальными расчетами (решались уравнения Боголюбова – де Жена). Такой эффект должен проявляться как пик туннельной проводимости вдоль плоскостей Cu-O при нулевом напряжении.

H.-Y.Choi et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/9902125
Contact: Han-Yong Choi hychoi@mephisto.physics.uiuc.edu

Псевдощель в атомных ядрах
В препринте, написанном физиком-ядерщиком, теоретически исследованы свойства сверхтекучей фазы ядерного вещества. Показано, что при T>"T_c" в спектральной функции присутствует псевдощель. Может быть она, как и (предположительно) в ВТСП, связана с наличием в ядрах некоррелированных пар нуклонов?

P.Bozek, http://xxx.lanl.gov/abs/nucl-th/9902019
Contact: Piotr Bozek bozek@troy.nscl.msu.edu

Модель плавления вихревой решетки в двумерных сверхпроводниках
Предложена простая модель плавления абрикосовской решетки магнитных вихрей в двумерных сверхпроводниках второго рода. Она основана на феноменологической теории Гинзбурга-Ландау и допускает аналитическое решение. Показано, что флуктуации локальной фазы параметра сверхпроводящего порядка, обусловленные скольжением брэгговских цепочек вдоль главных кристаллографических направлений вихревой решетки, ведет к "плавлению" решетки при T_m<<T_c. Этот переход является переходом первого рода и сопровождается резким уменьшением модуля сдвига (но не до нуля). Остаточный модуль сдвига увеличивается с ростом T>T_m. Несмотря на сильные флуктуации, усредненные координаты брэгговских цепочек соответствуют регулярной вихревой решетке, лишь слегка искаженной по сравнению с треугольной абрикосовской решеткой. Фазовая когерентность на больших расстояниях существует только при T=0, а при конечной температуре реализуется "квазидальний порядок". Результаты хорошо согласуются с имеющимися в литературе численными расчетами методом Монте-Карло.

V.Zhuravlev and T.Maniv, http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/9902162

Contact: Vladimir Zhuravlev chrvlzh@techunix.technion.ac.il

Наблюдение новых несоразмерных  магнитных корреляций в La_2-xSr_xCuO₄ с x=0.05
Методом неупругого рассеяния нейтронов исследованы магнитные свойства монокристаллов
La_2-xSr_xCuO₄ с x=0.03; 0.04; 0.05 (диэлектрические составы) и x=0.06 (сверхпроводящий состав). Во всех образцах при низких температурах обнаружены упругие магнитные пики, ширина которых максимальна при "критической" для сверхпроводимости концентрации стронция x=0.05. В образце с x=0.05 (и только в нем!) наблюдались также несоразмерные пики, положение которых повернуто в обратном пространстве на угол 45⁰ вокруг направления (p ,p ) относительно пиков в сверхпроводящем образце с x=0.06.

S.Wakimoto et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/9902201
Contact: Young Sang Lee younglee@yoko.mit.edu

ФИНАНСИРОВАНИЕ

Комплексные проекты по подпрограмме “Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники”

Ниже перечислены комплексные проекты, сформированные в результате конкурса, проведенного Министерством науки и технологий РФ в 1998 году.

Проект № 1. Разработка технологии и совершенствование оборудования молекулярно-пучковой эпитаксии кремния и гетероэпитаксия тонких пленок на кремнии, включая Ge/Si на Si, кремния на пористом кремнии и сверхскоростных транзисторных структур на основе этих слоев.

Головной исполнитель – ИФП СО РАН,

Игорь Георгиевич Неизвестный,

тел. (3832) 33 2367, 33 2771

e-mail: neizv@isp.nsc.ru,

Олег Петрович Пчеляков, тел. (3832) 33 3502

Соисполнители:

• Институт физики микроструктур (ИФМ) РАН – З.Ф.Красильник
• Отделение физики твердого тела ФИАН – Н.Н.Сибельдин
• Институт сильноточной электроники СО РАН – Д.И.Проскуровский
• КазФТИ КНЦ РАН – И.Б.Хайбуллин
• ИПТМ РАН – В.В.Старков

Проект № 2. Разработка технологии многоуровневых соединений СБИС; новая самосовмещенная технология силидизации низкоомных контактов к мелкозалегающим p-n переходам, технологиям барьерных слоев, изолирующих слоев, соединений между слоями и низкоомных соединений.

Головной исполнитель – ФТИАН, Александр Александрович Орликовский, тел.(095) 125 3826

Соисполнители:

• МИРЭА – А.С.Сигов
• АОЗТ “НИИМЭ и завод МИКРОН” - А.С.Валеев
• Институт микроэлектроники РАН - А.Е.Бердников
• МГТУ им. Н.Э.Баумана – А.В.Шахнов
• ВНЦ ГОИ им. С.И.Вавилова – В.А.Толмачев

Проект № 3. Разработка технологии структур “кремний на диэлектрике”, имплантации мелкозалегающих p-n переходов и быстрых отжигов полупроводниковых структур.

Головной исполнитель – ИПТМ РАН, Виталий Васильевич Аристов, тел. (095) 962 8074, 962 8047,
e-mail: aristov@ipmt-hpm.ac.ru

Соисполнители:

• Институт физической химии РАН – А.Г.Акимов
• ОАО Концерн “Научный центр” - П.С.Приходько
• Институт микроэлектроники РАН – М.И.Маковийчук, В.И.Рудаков
• Ульяновский ГУ – С.В.Булярский

Проект № 4. Создание научных основ, макетов оборудования и лабораторных технологий электронной, проекционной оптической, проекционной рентгеновской литографии и проекционной ионной литографии с разрешением порядка 0.1мкм.

Головной исполнитель – Институт физики микроструктур РАН, Николай Николаевич Салащенко, тел. (8312) 67 9692, 67 5313,

e-mail: salashch@ipm.sci-nnov.ru

Соисполнители:

• ИПТМ РАН – В.В.Казьмирук, А.Ф.Вяткин
• МГТУ им. Н.Э.Баумана – Ю.С.Протасов
• Институт физики высоких технологий – С.Н.Ячменев

Проект № 5. Разработка конструктивно-технологических принципов и отдельных узлов технологических модулей установок кластерного типа для процессов формирования затворов, силидизации контактов, имплантации мелкозалегающих p-n переходов и создания систем металлизации глубокосубмикронных (менее 0.5мкм) интегральных схем (в том числе – источники плазмы, ионов, ВУФ).

Головной исполнитель – ФТИ РАН, Александр Александрович Орликовский, тел. (095) 125 3826

Соисполнители:

• НИИЯФ МГУ – А.С.Ковалев
• НИИСИ РАН – А.В.Калинин
• НПК ТЦ МИЭТ - М.Г.Путря
• АООТ “НИИМЭ и завод МИКРОН” - Н.А.Зайцев, В.П.Бокарев
• МИФИ – В.Н.Неволин
• ТОО “Сайенс” при НИТИ – И.Е.Махов
• ФТИ РАН – К.А.Валиев, А.П.Кирьянов

Проект № 6. Разработка методов и аппаратных средств мониторинга технологических процессов и определение моментов их окончания.

Головной исполнитель – ГНПО “Поток”,

Александр Валентинович Тябликов,

тел. (095) 535 93 00, 535 42 69

Соисполнители:

• ФТИ РАН – А.А.Орликовский
• МГУ им. М.В.Ломоносова – А.Ф.Александров
• КФТИ КНЦ РАН – А.А.Бахараев

Проект № 7. Разработка методов электронной и рентгеновской микроскопии, разработка компактных электронных микроскопов для контроля технологических процессов, методы туннельной и атомно-силовой микроскопии.

Головной исполнитель – ИПТМ РАН,

Вячеслав Васильевич Казьмирук,

тел. (095) 962 80 53, 962 80 47,

e-mail: kazmiruk@ipmt-hpm.ac.ru

Соисполнители:

• ИОФ РАН – В.П.Калинушкин
• ИМ РАН – М.Н.Преображенский
• ИК РАН – М.В.Ковальчук
• МГИЭМ – П.А.Арутюнов

Проект № 8. Разработка аппаратуры и методов рентгеновской, оптической и вторичной эмиссионной диагностики поверхности, тонких слоев и границ раздела полупроводниковых структур.

Головной исполнитель – ИКАН, Рафик Мамедович Имамов, тел. (095) 330 68 56, 330 07 83,

e-mail: imamov@labdif.crystal.msk.su

Соисполнители:

• МГУ им. М.В.Ломоносова – А.Ф.Александров
• ФТИ РАН – А.М.Афанасьев, К.А.Валиев
• ИРЭ РАН – И.И.Перов
• ФИАН – А.В.Виноградов
• МИФИ – Е.А.Протасов
• ИОФ РАН – А.А.Маненков

Проект № 9. Создание сверхскоростных глубокосубмикронных кремниевых транзисторов и интегральных схем на их основе; разработка кремниевых нанотранзисторов с использованием методов самоформирования.

Головной исполнитель – НПК ТЦ МИЭТ,

Александр Николаевич Сауров,

тел. (095) 532 45 21, 913 21 92,

e-mail: tc@techcen.zgrad.su

Соисполнители:

• ФТИ РАН – А.А.Орликовский
• ИФП СО РАН – А.Л.Асеев
• НПК ТЦ МИЭТ – Н.М.Луканов, А.И.Галушков

Проект № 10. Разработка технологии эпитаксиальных транзисторных структур на соединениях А₃В₅ и сверхскоростных транзисторов на их основе: транзисторы с дельта-легированными слоями, глубоко субмикронные СВЧ-транзисторы и интегральные схемы на метаморфных гетероструктурах InAlAs/InGaAs на подложках GaAs, высококачественные биполярные транзисторы и интегральные схемы на основе GaAs, легированного Si.

Головной исполнитель – ОФТТ ФИАН, Юрий Васильевич Копаев, тел. (095) 132 6331

Соисполнители:

• ИРЭ РАН – В.Г.Мокеров
• ИПТМ РАН – В.В.Аристов
• ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН – А.Я.Шик

Проект № 11. Создание физических основ высокотемпературной одноэлектроники и технологии цифровых одноэлектронных устройств, функциональных наноприборов на структурах с квантовыми ямами и приборов на металлических наноструктурах.

Головной исполнитель – МГУ им. М.В.Ломоносова, Евгений Сергеевич Солдатов, тел.(095) 939 3978, 939 3987,

e-mail: esold@cryop73.phys.msu.su

Соисполнители:

• ИФП СО РАН – А.Л.Асеев, В.Я.Принц
• ИПТМ РАН – Г.М.Михайлов, В.В.Аристов
• ИМ РАН – В.М.Мордвинцев
• ОФТТ ФИАН – В.И.Цебро
• ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН – Г.Э.Цирлин, Н.Т.Баграев
• НИИЯФ МГУ – С.В.Вышенский

Проект № 12. Разработка теории и физического эксперимента квантовых логических устройств с целью создания физических основ квантового компьютера.

Головной исполнитель – ФТИ РАН, Камиль Ахметович Валиев, тел. (095) 125 7709

Соисполнители:

• МГУ им. М.В.Ломоносова – В.И.Панов
• ИФТТ РАН – С.Н.Молотков
• ИМ РАН – В.В.Костюченко

Проект № 13. Разработка методов моделирования приборов, технологических процессов и оборудования микро- и наноэлектроники.

Головной исполнитель – НОЦ “Квантовые приборы” МИЭТ и ФИАН, Александр Алексеевич Горбацевич, тел/факс (095) 530 8665,

e-mail: aag@qdn.miee.ru

Соисполнители:

• ФТИ РАН – К.А.Валиев, Т.М.Махвиладзе
• ИФП СО РАН – И.Г.Неизвестный
• МИФИ – В.С.Першенков
• ИМ РАН – О.С.Трушин

Проект № 14. Разработка новых схемотехнических решений для создания УБИС (нейрочип, УБИС памяти, дисплейные схемы и др.).

Головной исполнитель – НПИЦ “Микросистемы”, Александр Александрович Харламов,

тел. (095) 367 8945, 367 8954, 367 8790,

e-mail: micros@dialup.ptt.ru, ninform@aha.ru

Соисполнители:

• МГИЭТ – В.И.Старосельский, М.А.Королев
• МГИЭМ – К.О.Петросянц
• НИИ “АРГОН” - В.В.Китович
• МИРЭА – А.С.Сигов

НАУЧНЫЙ СОВЕТ по подпрограмме “Перспективные технологии и устройства   микро- и наноэлектроники”

Председатель Научного совета

Валиев Камиль Ахметович – академик РАН, директор ФТИ РАН

• Вернер Виталий Дмитриевич – д.ф.-м.н., ректор МГИЭТ Минобразования России
• Копаев Юрий Васильевич – член-корр. РАН, директор ОФТТ ФИАН им. Н.П.Лебедева
• Неизвестный Игорь Георгиевич – член-корр. РАН, заместитель директора ИФП СО РАН

• Лебедева Татьяна Анатольевна – к.т.н., ведущий специалист Управления поисковых исследований Миннауки России
• Орликовский Александр Александрович – д.т.н., заведующий лабораторией ФТИ РАН

• Александров Андрей Федорович – д.ф.-м.н., заведующий кафедрой МГУ им. М.В.Ломоносова
• Аристов Виталий Васильевич – член-корр. РАН, директор ИПТМ РАН
• Афанасьев Александр Михайлович – член-корр. РАН, заведующий лабораторией ФТИ РАН
• Бабаян Борис Арташесович – член-корр. РАН, директор-организатор Института микропроцессорных вычислительных систем РАН
• Докучаев Юрий Петрович – д.т.н., директор НИИ “Пульсар” Минэкономики России
• Жотиков Вадим Геннадиевич – к.ф.-м.н., главный специалист Управления поисковых исследований Миннауки России
• Копьев Петр Сергеевич – д.ф.-м.н., заведующий лабораторией ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН
• Красников Геннадий Яковлевич – член-корр. РАН, директор НИИМЭ и завода “Микрон” Минэкономики России
• Курчидис Виктор Александрович – д.т.н., директор Института микроэлектроники РАН
• Маненков Александр Александрович – д.ф.-м.н., заведующий лабораторией ИОФАН
• Мизеров Михаил Николаевич – к.ф.-м.н., директор НТЦ “Микроэлектроника и субмикронные гетероструктуры” при ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН
• Мокеров Владимир Григорьевич – член-корр. РАН, заместитель директора ИРЭ РАН
• Панов Владимир Иванович – д.ф.-м.н., профессор МГУ им. М.В.Ломоносова
• Рахимов Александр Турсунович – д.ф.-м.н., начальник отдела НИИЯФ МГУ им. М.В. Ломоносова
• Романов Сергей Николаевич – начальник Отдела информационных технологий Миннауки России
• Румянцев Владимир Викторович – начальник Управления поисковых исследований Миннауки России
• Самсонов Николай Сергеевич – д.т.н., директор ГНИИФП им. Ф.В.Лукина Минэкономики России
• Сауров Александр Николаевич – к.т.н., директор ГНЦ “НПК Технологический центр” при МГИЭТ Минобразования России
• Слепцов Владимир Владимирович – д.т.н., профессор МАТИ Минобразования России
• Сухопаров Анатолий Иванович – к.т.н., заместитель директора НИИТТ и завода “Ангстрем” Минэкономики России
• Шахнов Вадим Анатольевич – д.т.н., заведующий кафедрой МГТУ им. Э.Н.Баумана Минобразования России
• Яковлев Анатолий Тимофеевич – к.т.н., вице-президент НПК “Научный центр” Минэкономики России

Бюро Научного совета

В.В.Аристов, К.А.Валиев, В.Д.Вернер, Т.А.Лебедева, В.Г.Мокеров, А.А.Орликовский

Ответственный редактор С.Т.Корецкая, тел: (095) 930 33 89

В подготовке выпуска принимали участие:
В.Вьюрков, А.Елецкий, Л.Журавлева, Ю.Метлин, Л.Опенов