Как нам найти новые высокотемпературные сверхпроводники?
В работе [1] лауреат Нобелевской премии К.А.Мюллер изложил свое видение физической причины сверхпроводимости купратных высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) и поделился соображениями о путях поиска новых ВТСП с еще более высокими критическими температурами Tc. Известные нам ВТСП Мюллер подразделяет на три класса: (а) слоистые купраты, (б) MgB2, (в) легированные фуллерены типа K3C60. Он подчеркивает, что к открытию купратных ВТСП его и Дж.Беднорца привела концепция ян-теллеровских поляронов. Более того, Мюллер считает, что присутствие в проводящих слоях CuO2 поляронов и биполяронов на сегодняшний день доказано десятками экспериментов. Он рисует следующую картину. Дырки на кислородных орбиталях взаимодействуют со спинами ионов меди антиферромагнитным образом, формируя синглетные состояния. Два таких синглета-полярона притягиваются друг к другу за счет упругих сил и образуют биполярон (см. рисунок). Эти упругие силы по величине могут быть сопоставимы с магнитными и перевешивать кулоновское отталкивание. Биполяроны, в свою очередь, способны образовывать металлические кластеры (страйпы). Очень сильное изменение так называемой псевдощелевой температуры T* при изотопическом замещении Мюллер рассматривает как проявление вибронной природы основного состояния ВТСП.
Какие же факторы надо учитывать при поиске новых ВТСП? Прежде всего Мюллер отмечает, что сверхпроводимости благоприятствует слоистая (квазидвумерная) кристаллическая структура. Он также придает большое значение сильной поляризуемости ионов кислорода O2- и в качестве альтернативных анионов предлагает фтор, хлор и азот. Что касается электронных корреляций и антиферромагнетизма, то их Мюллер считает необязательными, ссылаясь при этом на MgB2 и С60 и замечая, что антиферромагнитный фон не является необходимым условием существования ян-теллеровских биполяронов. Любопытная деталь: Мюллер признается, что к моменту открытия ВТСП им с Беднорцем не были известны идеи Гинзбурга о значении квазидвумерности для высоких Tc. Вполне может статься, что история повторится (на сей раз не в виде фарса или трагедии, а в виде очередной Нобелевской премии), и принципиально новый класс ВТСП найдет тот, кто не читал эту нравоучительную статью Мюллера о биполяронах…
Л.Опенов
Сверхпроводимости одномерных систем препятствуют такие факторы как электрон-электронное отталкивание (жидкость Томонаги-Латтинжера), пайерлсовский переход (волны зарядовой плотности) и малая плотность электронных состояний (что существенно, если уровень Ферми не совпадает с ванхововской сингулярностью). Идеальным объектом для исследования одномерной сверхпроводимости являются углеродные нанотрубки (УНТ). Пока в литературе имеются лишь два достоверных сообщения о сверхпроводимости УНТ. Во-первых, сверхпроводящий переход при Tc ≈ 0.4К зарегистрирован в связках одностенных УНТ [1] и, во-вторых, эффект Мейснера обнаружен в массиве самых тонких УНТ диаметром около 0.4нм [2].
В работе [3] японские ученые (Aoyama Gakuin Univ., Tokyo Univ., Nagoya Univ., JST-CREST) сообщили о наблюдении сверхпроводимости многостенных (преимущественно 9-стенных) УНТ при Tc ~ 10К. Массивы контактов Au/многостенная УНТ/Al были сформированы в нанопорах подложки из окиси алюминия. При этом (что подтвердила просвечивающая электронная микроскопия) контакты Au/УНТ относились к одному из следующих трех типов - см. рис.1: (a) все стенки каждой УНТ контактируют с электродом Au, (b) с электродом контактирует лишь часть стенок каждой УНТ, (c) контакт с электродом имеют лишь внешние стенки УНТ (так получается, если УНТ не обрезаны). Сверхпроводимость была обнаружена в УНТ с контактами типа (a).
Рис.2. (a) - Температурная зависимость сопротивления при H=0,
(b), (c) - дифференциальные ВАХ при H=0 и различных T > Tc (b) и
(d)
- дифференциальные ВАХ при
T
= 1.5К и различных
H
(цифры у кривых означают индукцию поля в теслах).
На рис.2 приведены температурные зависимости R и дифференциальные ВАХ при различных Tи H. Понижение Tс начала ведет к росту R, но при Tc » 11.5К (температуре начала сверхпроводящего перехода) величина R резко падает и обращается в нуль при Tc(R=0) = 7.8К. Эти величины Tc и Tc(R=0) в 30 ¸ 40 раз больше, чем Tc одностенных УНТ [1]. Магнитное поле, как ему и положено, подавляет сверхпроводящий переход. Величина сверхпроводящей щели D » 1.15мэВ хорошо согласуется с соотношением D = 1.76kBTc модели БКШ, если в качестве Tc использовать Tc(R=0). Критический ток ведет себя в соответствии с теорией Гинзбурга-Ландау, Ic ~ [1-(T/Tc)2]3/2. В слабых полях при T » 12К наблюдалось уменьшение намагниченности, то есть эффект Мейснера. Совокупность полученные в [3] результатов (кстати, воспроизводимых и подтвержденных на шести образцах) свидетельствуют о том, что в многослойных УНТ имеет место сверхпроводимость типа БКШ. Малая величина Hc и сравнительно большая глубина проникновения магнитного поля (> 10нм) означают, что такие УНТ относятся к сверхпроводникам второго рода.
В УНТ с контактами типа (c) не наблюдались ни особенности ВАХ, ни падение R, тогда как в УНТ с контактами типа (b) при понижении температуры R выходило на насыщение и даже слегка уменьшалось при T » 3.5К, а на дифференциальных ВАХ при T < 4К в окрестности I = 0 появлялся минимум, глубина которого увеличивалась по мере уменьшения температуры, и который исчезал с ростом H. Это говорит о том, что не все стенки УНТ в равной степени участвуют в сверхпроводимости и позволяет понять причину низких Tc в одностенных УНТ. Авторы [3] полагают, что число стенок N в УНТ сильно влияет на конкуренцию сверхпроводящего состояния с жидкостью Томонаги-Латтинжера. В качестве одного из возможных путей дальнейшего увеличения Tc они предлагают попытаться увеличить концентрацию свободных носителей путем легирования многостенных УНТ (например, бором или кальцием).
Л.Опенов
Электропроводность углеродных нанотрубок (УНТ) зависит от величины приложенной нагрузки. Это свойство УНТ позволяет создавать на их основе новый класс сверхминиатюрных измерительных приборов и датчиков. В совместной работе сотрудники Micro and Nanosystems (Цюрих, Швейцария); Max Planck Inst. Solid State Res. (Штуттгарт, Германия); Univ. Colorado (США) недавно изготовили сверхминиатюрный датчик давления на основе однослойной нанотрубки. В статье [1] представлено детальное описание конструкции этого датчика и процедуры его изготовления. Датчик состоит из круглой мембраны из Al2O3 толщиной 100мкм, к которой с помощью двух золотых электродов прикреплена однослойная УНТ, играющая роль датчика нагрузки (см. рисунок).
При
этом нанотрубка испытывает такую же нагрузку, как и мембрана. Градуировочная
связь между величиной избыточного давления и отклонением мембраны
устанавливается на основании независимых интерферометрических измерений и
используется в дальнейшем для получения абсолютной величины давления. Принцип
основан на линейной зависимости электрического сопротивления нанотрубки от
механической нагрузки, которая, в свою очередь, пропорциональна избыточному
давлению. Линейная зависимость сохраняется в диапазоне изменения избыточного
давления от 0 до 140кПа.
А.В.Елецкий
Для телекоммуникационных систем с применением спутниковых ретрансляторов требуются мощные портативные катоды, способные работать на частотах до 30ГГц. Здесь могут быть эффективны катоды на основе холодной полевой эмиссии электронов, в которых эмиттерами служат углеродные нанотрубки (УНТ): благодаря их высокому коэффициенту усиления электрического поля возможна работа устройств при низком напряжении, что позволяет снизить вес и габариты, что важно для спутниковых систем.
Однако развитие подобных устройств было ограничено из-за невысоких токов эмиссии (до 100мА), обусловленных малыми размерами элементарных эмиттеров. Существенный шаг сделан недавно в совместной работе исследователей из Univ. Cambridge (Англия), Thales Research and Technology (Франция) и Federal Lab. Materials Testing and Res. (Швейцария). Многослойные УНТ высотой ~5мкм и диаметром ~50нм, ориентированные перпендикулярно поверхности подложки, синтезированы методом плазмохимического осаждения паров. Среднее расстояние между нанотрубками составляло 10мкм. Катализатором служили частицы никеля размером ~100нм, которые наносили на поверхность барьерного слоя TiN площадью 400х500мкм2 методом электронно-лучевой литографии.
Рис. Однородные вертикально ориентированные УНТ с типичным отклонением по диаметру 4% и по высоте 6%.
Полученный таким образом холодный катод эффективно работал как при постоянном напряжении, так и при частоте модуляции 1.5ГГц, отвечающей стандартному диапазону частот спутниковой связи. В триодной конфигурации достигали ток эмиссии до 3мА при напряженности электрического поля на катоде до 20В/мкм, что соответствует плотности тока эмиссии ~1А/см2. Столь высокие показатели достигаются за счет высокой степени поверхностной однородности УНТ, что, в свою очередь, обеспечивает равномерную по поверхности эмиссию электронов.
А.В.Елецкий
Многообразие структур, которые могут быть синтезированы из углерода, продолжает нас изумлять. Едва стихло удивление по поводу синтеза «стручков» (нанотрубки, заполненные молекулами фуллеренов), как появилось еще более удивительное сообщение о получении нанотрубок, состоящих непосредственно из этих молекул. Поскольку при комнатной температуре молекулы фуллеренов представляют собой твердый материал, называемый фуллеритом, из этого материала в принципе могут быть изготовлены любые структуры, в том числе структуры типа полого цилиндра. Однако трудно было ожидать, что процедура получения таких структур в макроскопических количествах окажется не только технически реализуемой, но и достаточно простой. Это сделали совместно исследователи из Peking Univ. и Inst. Chemistry Chinese Academy Science (Китай), используя пористый оксид алюминия.
Многократное заполнение продолговатых цилиндрических пор раствором фуллерена С60 в толуоле с последующим высушиванием привело к образованию внутри пор нанотрубок длиной от 1 до 40мкм и толщиной стенок ~30нм, диаметр которых (200-300нм) соответствует диаметру пор. Наблюдения, выполненные с помощью просвечивающего электронного микроскопа, показывают, что материал нанотрубок представляет собой поликристаллический фуллерит С60. Для измерения электропроводности полученных нанотрубок на поверхность кремниевой подложки методом электронно-лучевой литографии были напылены электродные полоски микронного размера из сплава Ti/Ag, разделенные расстоянием 0.8мкм. Индивидуальную нанотрубку с помощью наноманипулятора помещали между этими электродами. Измерения вольтамперных характеристик нанотрубок проводили на воздухе при различных температурах, а также в условиях оптического облучения. Темновая проводимость, измеренная на длине трубки 1мкм, оказалась равной величине 2×10-9Ом-1м-1, существенно ниже вычисленной ранее для кристалла фуллерита С60 (10-6-10-4Ом-1м-1). Столь существенное различие можно объяснить влиянием кислорода, сорбированного на поверхности молекул фуллерена и создающего примесные состояния, являющиеся ловушками для носителей. Это предположение подтверждают измерения проводимости таких же образцов в условиях вакуума, согласно которым величина проводимости составляет 1.9×10-5Ом-1м-1.
Рис. Изображение нанотрубок из фуллеренов в СЭМ.
Авторы измерили также фотопроводимость нанотрубок из фуллеренов, используя 100Вт осветительную лампу, и зарегистрировали высокую чувствительность проводимости нанотрубок к оптическому облучению. Фототок существенно возрастает с повышением температуры в диапазоне от 313 до 473К.
Результаты эксперимента позволяют рассматривать фуллереновые нанотрубки потенциально перспективными для создания сверхминиатюрных оптических переключателей.
А.В.Елецкий
По
мере развития исследований по применению углеродных нанотрубок (УНТ) в различных
технологиях, все более актуальны методы их механической обработки. В частности,
уже продемонстрированы эффективные методы обрезания УНТ, основанные на
воздействии сильных окислителей и электронных пучков. Недавно группа
исследователей из National Tsing Hua Univ. (Тайвань) разработала еще один
подход, основанный на использовании фотовспышки [1]. Тканеподобный образец
тонкой пленки однослойных УНТ толщиной ~300нм, площадью 1х2мм2 и
электросопротивлением ~200 Ом помещали между двумя электродами и многократно
облучали фотовспышкой (с интенсивностью 80мВт/см2). Как следует из
наблюдений, выполненных с помощью электронного микроскопа, облучение приводит к
снижению поверхностной плотности нанотрубок, которое сопровождается увеличением
электросопротивления образца. В качестве механизма разрушения УНТ авторы
рассматривают окисление материала при нагреве в результате оптического
облучения. При этом важную роль играют частицы железа, используемые в качестве
катализатора при синтезе УНТ и внедренные в их структуру. Окисление этих частиц
на воздухе при повышенной температуре приводит к возникновению дефектов в
структуре нанотрубки (см. рисунок), что сопровождается их дальнейшим
разрушением.
А.В.Елецкий
«Квантовая физика наносит новый удар по «здравому смыслу»: оказывается, можно получить результат расчета по квантовому алгоритму, не запуская этот алгоритм. Единственным утешением обычному сознанию является то, что компьютер должен быть все-таки включен». Это буквальный перевод вступления к заметке Dowling'a в журнале Nature [1], назначение которой в том, чтобы привлечь внимание читателей к статье Hosten'a et al. [2], посвященной необычной конструкции оптического квантового компьютера, реализованной к тому же в эксперименте.
Рис. 1. Парадокс «бомбы и фотона».
Прежде чем рассмотреть конструкцию компьютера, вспомним один парадокс, на основе которого работает этот компьютер. В начале 90-х годов израильские физики Elitzur и Vaidman сформулировали следующий парадокс. На рис. 1 представлен интерферометр. Одиночный фотон входит в точке А и в равной степени расходится по двум плечам интерферометра С и В. Детектор D1 регистрирует конструктивную интерференцию между двумя путями прохождения, он может сработать, когда фотон пройдет по какому-то одному плечу или по обоим вместе. Детектор D2 регистрирует деструктивную интерференцию, он может сработать, если фотон пройдет только по одному плечу. Для остроты ощущений в плечо В помещается бомба (в общем случае просто поглотитель фотона), которая запускается в результате поглощения фотона. Возможны три исхода: 1) ни один из детекторов не сработал, это означает, что фотон был поглощен бомбой, и она взорвалась; 2) сработал детектор D1, этот случай не дает никакой информации о наличии бомбы; 3) сработал детектор D2, этот случай означает, что фотон прошел по пути С, а в плече В находится бомба. Парадокс состоит в том, что фотон несет информацию о наличии бомбы, даже если проходит другим путем. В классической физике это совершенно невозможно. В квантовой физике этот парадокс объясняется дуализмом волна-частица и процедурой квантовых измерений. До измерения состояния фотона он находился одновременно в обоих плечах, в результате измерения произошел коллапс его состояния в детекторе D2. И все-таки удивительно, что это его состояние несет информацию о присутствии поглотителя (бомбы) в плече В.
Ученые из Univ. Illinois at Urbana-Champaign (O.Hosten et al.) вместо классического объекта поместили в плечо интерферометра квантовую систему, которая реализует алгоритм Гровера поиска в несортированной базе данных (рис. 2).
Рис. 2. Интерферометр с блоком алгоритма Гровера поиска в базе данных.
В эксперименте это тоже была оптическая система. Вся конструкция основана только на линейных оптических элементах: делителях (BS), поляризационных делителях (PBS) и зеркалах (Mirror). ПерсТ уже сообщал, что вместо нелинейных элементов, осуществляющих взаимодействие фотонов, можно использовать процедуры измерения состояния фотонов, которые ввиду неразличимости фотонов приводят к их эффективному взаимодействию. В данном случае устройство алгоритма Гровера не играет роли, важно только, что результат его работы кодируется на пролетающем через него фотоне. Исходный фотон имеет горизонтальную поляризацию (Н). Алгоритм Гровера осуществляет выборку из четырех элементов:
Два плеча интерферометра авторы называют On и Off, имея в виду, что в первом случае фотон проходит через алгоритм Гровера, а во втором – нет. Тогда состояние фотона в обоих плечах интерферометра может рассматриваться как кубит-переключатель. Одно его базовое состояние |Off> означает выключенный алгоритм, а |On> - включенный. Поскольку это настоящий кубит, он может находиться в состоянии суперпозиции. Так, на входе в систему исходное состояние кубита |Off> с помощью делителя переводится в состояние (|Off> + |On>)/21/2.
Для улучшения работы компьютера авторы используют особые процедуры, основанные на квантовом эффекте Зенона, при котором состояние системы стабилизируется в результате многократных измерений. Об этом можно прочитать в статье [2]. Здесь же мы только обратим внимание на парадоксальный факт: некоторую информацию о работе алгоритма Гровера можно получить, даже если использовать только выходное состояние фотона |Off>. Это формально означает, что алгоритм Гровера не был включен!
В.Вьюрков
Высокоэффективные светодиоды на основе InGaN с нанопористой GaN:Mg структурой
Для создания мощных светодиодов (СД) зеленого, синего, ультрафиолетового и белого свечения перспективны квантовые структуры на основе нитрида галлия, InGaN/GaN. Актуальна проблема увеличения их эффективности, которая зависит от внутреннего квантового выхода (hint) и коэффициента вывода излучения (hout). На внутреннюю квантовую эффективность влияют процессы безызлучательной рекомбинации, а также сильные пьезоэлектрические поля, вызванные несоответствием постоянных решеток гетероструктур. Коэффициент вывода излучения, в свою очередь, уменьшается из-за процессов полного внутреннего отражения и перепоглощения излучения в слое GaN. Для увеличения коэффициента вывода излучения применяют различные технологии: создание структурированной подложки Al2O3, создание шероховатых поверхностей в областях p-GaN:Mg и n-GaN:Si, продольное заращивание слоев неполярного GaN и другие.
В совместной работе сотрудников National Chung Hsing Univ., National Changhua Univ. Education и Luxxon Technology Corp. (Тайвань) [1] для создания уникальной нанопористой поверхности GaN:Mg (p-типа) использовали процесс фотоэлектрохимического окисления с последующим удалением кислорода. Полученная шероховатая поверхность над активным слоем с множественными квантовыми ямами может значительно увеличить как hint, так и hout.
В эксперименте структуры были выращены методом металлорганической эпитаксии (MOCVD) следующих слоев:
- слой специально нелегированного n-GaN (толщиной 1мкм),
- слой n-GaN (толщиной 3мкм),
- активный слой, состоящий из 10 пар множественных квантовых ям InGaN/GaN, за которым следовал слой p-GaN, легированный магнием.
Рис.1. Морфология поверхности
нанопористого GaN:Mg
в гетероструктуре InGaN/GaN:
(а) профиль ступеньки между поверхностями
n-
и p-типа;
(b) поверхность нанопористого
GaN:Mg
после процесса окисления с последующим удалением оксида.
Активные слои состояли из ямы InGaN (толщиной 30Ả) и барьера GaN (толщиной 70Ả). После эпитаксии проводили фотоэлектрохимическое окисление (с предварительным травлением меза-области глубиной 1.5мкм) и 30 мин. выдержку при облучении ртутной лампой мощностью 400Вт и приложении постоянного напряжения 20В. Образованный на поверхности слой Ga2O3 затем удаляли в растворе HCl. В растровом электронном микроскопе (рис.1) была видна пористая структура p-GaN:Mg со средним размером пор ~75-85нм и максимальным – 180-200нм.
После создания пористой структуры p-GaN в спектрах фотолюминесценции наблюдали значительное увеличение интенсивности излучения, а также явление сдвига максимума излучения структуры в синюю область на 9.5нм (56мэВ). Этот сдвиг был обусловлен частичным снятием механических напряжений в структуре и, соответственно, уменьшением пьезоэлектрических полей (оценка ослабления пьезоэлектрического поля составила ~0.2МВ/см). Наблюдали также увеличение энергии активации от 33 до 85мэВ в нанопористой структуре, что может быть объяснено тепловым переносом носителей из InGaN квантовых ям в GaN барьеры.
М.Бадгутдинов
Углеродная нанотрубка – 1D молекулярный проводник – идеальный кандидат на исследование одномерной сверхпроводимости (1D).
1. Superconductivity in Ropes of Single-Walled Carbon Nanotubes
Tc= 0.4K
M. Kociak, S. Guéron, B. Reulet, H. Bouchiat (Univ. Paris-Sud, Orsay, France)
A.Yu. Kasumov, I. I. Khodos, Yu. B. Gorbatov, V. T. Volkov (Instit. Microelectronics Technology and High Purity Materials, RAS, Chernogolovka, Russia)
L. Vaccarini (Univ. Montpellier, Montpellier, France)
Источник Phys. Rev. Lett. 2001, 86, 2416, 12 March
2. Superconductivity in 4 Angstrom Single-Walled Carbon Nanotubes
Tc= 15K
Z. K. Tang, Lingyun Zhang, N. Wang, X. X. Zhang, G. H. Wen, G. D. Li, J. N. Wang, C. T. Chan, and Ping Sheng (Hong Kong Univ. Science and Technology, Hong Kong, China).
Источник Science 2001, 292, 2462, 29 June
Многостенные нанотрубки
3. Superconductivity in Entirely End-Bonded Multiwalled Carbon Nanotubes
Tc » 11.5К (начало), Tc(R=0) = 7.8К.
I. Takesue, J. Haruyama, N. Kobayashi (Aoyama Gakuin Univ.)
S. Chiashi, S. Maruyama (Tokyo Univ.)
T. Sugai (Nagoya Univ.)
H. Shinohara (JST-CREST (Japan Science and Technology Agency – Core Research for Evolutional Science and Technology)
Источник Phys. Rev. Lett., 2006, 96, 057001, 10 Febr.
July 20-26, 2006.
International School of Solid State Physics
"Twenty Years from the Discovery of High-Tc Superconductivity", Erice, Sicily.
Contact:
Prof. Antonio Bianconi
e mail: conf.stripes@roma1.infn.it
web page: http://www.superstripes.com
REGISTRATION
The total fee, which includes full board and lodging (arranged by the School), is 900 EURO.
Closing date for application: April 15, 2006
INVITED SPEAKERS
James Annett, HH Wills Physics Lab., UK
Gabriel Aeppli, University College London, UK
N.W. Ashcroft, Cornell Univ., USA
Alan R. Bishop, Los Alamos Nat. Lab., USA
J.C. Campuzano, Argonne Nat. Lab., USA
R. Combescot, Ecole Normale Supérieure, France
Paul C. W. Chu, Univ. Houston, USA
Carlo Di Castro, Univ. Roma La Sapienza, Italy
Helmut Eschrig, Inst. Festkörper- und Werkstoffforschung, Dresden, Germany
Atsushi Fujimori, Univ. Tokyo, Japan
Theodore Geballe, Stanford Univ., USA
Lev P. Gor'kov, Nat. High Magnetic Field Lab., USA
Masatoshi Imada, Univ. Tokyo, Japan
James D. Jorgensen, Argonne Nat. Lab., USA
S. A. Kivelson, Stanford Univ., USA
Alessandra Lanzara, Univ. California, Berkeley, USA
R. B. Laughlin, Univ. California, Berkeley, USA
Dung-Hai Lee, Univ. California, Berkeley, USA
Vladimir Kresin, Lawrence Berkeley Lab., USA
Yoshiteru Maeno, Kyoto Univ., Japan
Luciano Pietronero, Univ. Roma La Sapienza, Italy
David Pines, Los Alamos Nat. Lab., USA
Naurang L. Saini, Univ. Roma La Sapienza, Italy
Kurt Scharnberg, Univ. Hamburg, Germany
Nils Schopohl, Universität Tübingen, Germany
J. Robert Schrieffer, Florida State University, USA
Manfred Sigrist, ETH-Hönggerberg, Switzerland
Erio Tosatti, Internat. Center of Theoretical Physics, Italy
Shin-ichi Uchida, Univ. Japan
Kazuyoshi Yamada, Tohoko Univ., Japan
Zhong-Xian Zhao, Inst., Beijing, China
26-30
сентября 2006 г., XXXIV Совещание по физике
низких температур (LT-34).
Ростов-на-Дону, п. Вардане, Россия.
Тематика
Оргвзнос
в размере 1500 рублей должен быть перечислен до 15 июня 2006 г.
Стоимость проживания 960 руб. с человека в сутки.
Заявка на участие должна быть представлена не позднее 15 апреля 2006 г.
Контакт:
Гуфан Марина Александровна
Тел.: (863) 267 4925
Факс: (863) 243 4044
E-mail: org.lt34@gmail.com
Web http://ip.rsu.ru/?part=news&news_id=5
____________________________________________
Редактор С.Т. Корецкая
stk@issp.ras.ru
тел: (495) 930 33 89
Научный консультант: К.Кугель
В подготовке выпуска принимали участие:
М.Батгутдинов, В.Вьюрков, А.Елецкий, Ю.Метлин, Л.Опенов