СВЕРХПРОВОДНИКИ

Высокотемпературная сверхпроводимость на границе
раздела диэлектриков
CaCuO2 и SrTiO3

Электронные свойства границ раздела сложных оксидов могут радикально отличаться от таковых в объеме образца. Например, граница между диэлектриками LaAlO3 и SrTiO3 является сверхпроводящей, хотя и с очень низкой критической температурой Tс ~ 0.1 К. В работе [1] (Италия, США) обнаружена высокотемпературная сверхпроводимость двухслойных пленок CaCuO2/SrTiO3 на подложках NdGaO3. Она наблюдается лишь в том случае, когда плоскость Ca в слое CaCuO2 граничит с плоскостью TiO2 в слое SrTiO3 (см. рис.) и поэтому оказывается допированной кислородом (Ca ® CaOx), который через связи Cu-O поставляет дырочные носители заряда в плоскости CuO2.

 

a – Температурные зависимости сопротивления двухслойных и трехслойных пленок из слоев CaCuO2 (CCO), SrTiO3 (STO) и CaTiO3 (CTO) на подложках NdGaO3 (NGO). Здесь amSTO – аморфный слой SrTiO3.
b-d – Схематическое изображение структуры различных границ раздела.

 

Данные сканирующей просвечивающей электронной микроскопии и спектроскопии характеристических потерь энергии электронами указывают на то, что в (сверх)проводимости участвует элементарная ячейка CaCuO2, непосредственно примыкающая к границе раздела. Максимальная Tc составляет около 40 К.

Л.Опенов

    1. D. Di Castro et al., Phys. Rev. Lett. 115, 147001 (2015).

Ультратонкие сверхпроводящие пленки Mo2C

В семье квазидвумерных материалов очередное прибавление: карбид молибдена. Используя метод химического осаждения паров, китайские физики изготовили хоть и не монослои, но чрезвычайно тонкие кристаллы Mo2С толщиной несколько нанометров (рис. 1) и поперечными размерами более 0.1 мм [1].

Следствием ионно-ковалентной связи атомов Mo и C является сочетание твердости, прочности и термической устойчивости с металлической проводимостью. Более того, в этих ультратонких пленках наблюдается сверхпроводимость, которая, впрочем, исчезает при уменьшении толщины до 3.4 нм (рис. 2). Комбинация таких пленок с другими 2D структурами может привести к созданию новых гибридных структур с необычными свойствами. Авторы отмечают, что развитая ими методика пригодна и для синтеза ультратонких слоев карбидов других переходных металлов (WC, TaC).

 

Рис. 1. Схематическое изображение монослоя Mo2C (вверху)
и кристалла
Mo2C толщиной 3 нм (внизу).

Рис. 2. Температурные зависимости электросопротивления пленок Mo2C различной толщины.

Л.Опенов

1. C.Xu et al., Nature Mater. 14, 1135 (2015).

ГРАФЕН

Графен из компоста

Сегодня для получения графена широко используются такие методы, как механическое расщепление (отшелушивание), химическое осаждение из газовой фазы (CVD) и эпитаксия, кроме того, достаточно распространен химический синтез. Однако даже наличие отработанных комплексных методик далеко не всегда позволяет получить высококачественный графен приличных размеров, поэтому желаемой целью исследователей является поиск несложного и эффективного способа создания идеального графенового листа, обладающего при этом хорошей повторяемостью. Ученые из Поднебесной предложили свое решение – экологически чистый синтез графена из биомассы в рамках, так называемой, “зеленой химии”. Созерцание природы и поиск вдохновения в ней всегда было характерной особенностью восточного мировоззрения, а проблема перерождения – это один из ключевых вопросов любой философии. Вот и авторы работы [1] пришли к заключению, что неживые листья камфорного дерева могут дать жизнь графеновому листу. В основе предлагаемого ими метода лежит пиролиз: сначала в постоянном потоке азота листья нагревали до 1200 ºC со скоростью 10 ºC/мин, затем выдерживали 4 мин при этой температуре и, наконец, оставляли медленно остывать до “комнаты” (см. рис.). После высокотемпературного пиролиза образцы смешивали с D-тирозином и хлороформом и подвергали центрифугированию для отделения от смеси аморфного углерода. В конечном итоге авторы получили многослойный (согласно данным атомно-силовой микроскопии), состоящий из семи слоев графен, что подтвердилось рамановской спектроскопией и просвечивающей электронной микроскопией. Исследователи отмечают, что выделить многослойный графен удалось благодаря π-π взаимодействию между графеновыми листами и D-тирозином (см. рис.).

 

Схема получения графена из листьев камфорного дерева

 

При необходимости, D-тирозин может быть легко выведен из образца, поскольку он растворим в большинстве сильных кислот и оснований. В конечном итоге представленные авторами результаты подтверждают возможность синтеза графена напрямую из биоресурсов без каких-либо специальных катализаторов или многоступенчатых химических реакций. Тем не менее, необходимы технологические улучшения этого подхода, направленные, во-первых, на уменьшение числа слоев в получаемом графене и, во-вторых, на создание крупномасштабного его производства.

М. Маслов

1. S.S.Shams et al., Mater. Lett. 161, 476 (2015).

Наноматериалы

Композитные нанопокрытия могут снизить риск образования тромбов
в искусственных сосудах и стентах

Российские ученые из Санкт-Петербургского национального исследовательского университета ИТМО и Петрозаводского ГУ разработали уникальное нанопокрытие искусственных сосудов и стентов, которое сможет помочь существенно снизить риск образования тромбов [1].

Сердечно-сосудистые заболевания являются основной причиной смерти во всем мире. Большую опасность для человека представляет сужение сосудов (стеноз), которое может привести к ишемической болезни сердца, нарушению мозгового кровообращения. Раньше основным методом лечения была операция коронарного шунтирования, но с конца прошлого века для восстановления проходимости сосуда стали широко использовать более простую процедуру стентирования. Стент – специальный цилиндрический каркас из металла или пластика, который помещается в просвет сосуда (или другого полого органа) и расширяет его. В настоящее время существует уже около 400 типов стентов, самораскрывающихся или раскрываемых баллоном. Они различаются по материалу, конструкции, системе доставки. Разработка стентов с лекарственным покрытием позволила снизить количество случаев повторного сужения сосудов, которое возникает, например, из-за чрезмерного разрастания мышечной ткани. При аневризме аорты и других патологических расширениях сосудов используют стент-графты (сочетание сосудистого протеза со стентом). К сожалению, и после имплантации стент-графта, и после стентирования возможно образование тромбов. Применение современных стентов с покрытиями, из которых постепенно выделяются разрушающие тромб лекарства, лишь отдаляет опасные последствия. Авторы [1] предложили альтернативный подход – препарат не выделяется, а постоянно находится внутри пористого покрытия трансплантата и работает неограниченное время.

В своих предшествующих публикациях [2, 3] исследователи сообщили о разработке тромболитических (то есть способствующих растворению тромба) композитов. В биосовместимую матрицу из нанокристаллического оксида алюминия они внедрили белок ТРА, активатор циркулирующего в крови плазминогена [2]. Под действием активатора плазминоген превращается в белок плазмин, который разрушает волокнистый белок фибрин – основу тромба (рис. 1). Активатор не теряет своей активности даже после 30 дней испытаний в физиологическом растворе.

 

 

Рис. 1. Плазминоген, циркулирующий в крови, проникает в пористый композит и под действием внедренного в него активатора ТРА превращается в плазмин. Плазмин расщепляет фибрин – основу тромба. Начинается фибринолиз – процесс растворения тромба.

 

 

 

В новой работе [1] исследователи успешно использовали композит для создания тромболитического покрытия. Данные электронной микроскопии и рентгеновской дифракции показали, что пленки, полученные золь-гель методом, состоят из плотноупакованных наностержней оксида алюминия (точнее, бёмита) размером 2×5 нм2 (рис. 2). Раствор фермента урокиназы, который в этой работе применяли в качестве активатора плазминогена, добавляли к золю. После конденсации молекулы активатора оказались захваченными в поры оксида алюминия. Для исследований использовали пленки, нанесенные как на стекло, так и на внутреннюю поверхность сосудистого графта. Тромб синтезировали путем добавления тромбина к раствору плазмы крови с известным содержанием плазминогена и фибриногена. (Тромбин – фермент, под действием которого из фибриногена плазмы крови образуется волокнистый белок фибрин, основа тромба). Эксперименты на стекле показали, что растворение тромба обеспечивают молекулы активатора, захваченные в мелкие поры. Процесс формирования плазмина происходит при миграции плазминогена в пористый композит.

Важно, что синтезированный композит имеет бимодальную пористую структуру – кроме пор диаметром 2-3 нм присутствуют также мезопоры с характерными размерами 14-40 нм (рис. 2). Это, с одной стороны, обеспечивает сохранность молекул активатора в мелких порах и стабильность активности, а с другой стороны позволяет плазминогену легко проникать в каналы носителя. Взаимодействие плазминогена с активатором приводит к образованию плазмина, который растворяет сгусток крови.

Рис. 2. Слева: ТЕМ изображение нанокристаллического золь-гель оксида алюминия.
Справа
: бимодальное распределение пор в композите. Отчетливо видны мезопоры

Покрытие на внутренней поверхности полимерного графта диаметром 8 мм получили методом окунания в золь с активатором (концентрация урокиназы 2.5%; 5%; 7.5% и 10%). Золь на несколько мкм проникает внутрь и после высушивания и конденсации превращается в гель. Волокна полимерного графта служат упрочняющими элементами, покрытие надежно фиксируется. В зависимости от концентрации урокиназы для рассасывания и удаления тромба потребовалось от 10 до 80 мин. В графтах без покрытия тромб сохранился (рис. 3).

Рис. 3. (а) SEM изображение тромболитического золь-гель покрытия на стенке сосудистого графта.
Схема (
b,c) и фотографии процесса растворения и удаления искусственного тромба из графта с покрытием.
В графте без покрытия (
справа) тромб полностью сохранился.

Покрытия можно наносить на любые поверхности. Авторы утверждают, что это единственные в мире тромболитические покрытия, срок службы которых практически не ограничен. Биосовместимые композиты с внедренными активаторами плазминогена смогут растворять тромбы еще на стадии формирования.

О. Алексеева

1. Y.Chapurina et al., J. Med. Chem. 58, 6313 (2015).

2. V.Vinogradov et al., Sol-Gel Sci. Technol. 73, 501 (2015).

3. V.Vinogradov et al., J. Mater. Chem. B 2, 2868 (2014).

КВАНТОВЫЕ СИСТЕМЫ

Двухкубитная квантовая логика в кремнии

До настоящего времени двухкубитные операции в твердотельных системах удавалось осуществлять только со сверхпроводниковыми кубитами.

Схема двухкубитного логического устройства
на основе квантовых точек в кремнии.

 

Между тем с точки зрения масштабируемости квантовых вычислительных устройств спиновые кубиты в полупроводниках гораздо перспективнее. При этом, однако, полупроводниковый материал нужно подбирать так, чтобы он содержал как можно меньше ядерных спинов, взаимодействие с которыми ведет к декогерентизации спинов электронных.

В работе [1] (Австралия, Япония) сообщается об успешной реализации двухкубитных операций со спиновыми кубитами в кремнии, максимально очищенном от изотопов 29Si. Для этих целей использовались электронные импульсы, контролирующие обменное взаимодействие между кубитами.

1. M.Veldhorst et al., Nature 526, 410 (2015).

МУЛЬТИФЕРРОИКИ

Скирмионы и магнитоэлектричество

Решетки магнитных скирмионов – одно из недавно обнаруженных состояний в гелимагнетиках, и с ними связывают надежды на создание сверхплотной магнитной памяти [1]. Особый интерес в связи с этим вызывает возможность управления скирмионной решеткой с помощью электрического поля. В недавней работе [2] (Германия, Швейцария) исследован магнитоэлектрический эффект в материале Cu2OSeO3, в котором наблюдается большое разнообразие магнитных фаз: коллинеарная, коническая, геликоидальная и, наконец, решетка скирмионов (рис. 1).

 

Рис. 1. Фазовая диаграмма Cu2OSeO3: SkX – решетка скирмионов [2].

Авторы [2] провели комплексные измерения магнитных, пироэлектрических, сегнетоэлектрических и диэлектрических характеристик Cu2OSeO3 в зависимости от температуры и магнитного поля, уделяя особое внимание скирмионной фазе. Как оказалось, электрическая поляризация в Cu2OSeOобязана своим происхождением исключительно магнитному упорядочению, причем практически во всех фазах эта электрическая поляризация намертво связана с определенным направлением, ее не удается переключить электрическим полем. Исключение составляет как раз скирмионная фаза, в которой электрическая поляризация хотя бы отчасти слушается электрического поля, что, вероятно, связано со сложным антисегнетоэлектрическим характером упорядочения в скирмионной решетке: скирмионы представляют вихреподобные структуры (солитоны), и магнитоиндуцированная поляризация в них неоднородна. Заметим, что в работе [4] рассчитано подобное распределение электрической поляризации, образованной вследствие флексомагнитоэлектрического эффекта и предсказана возможность стабилизации скирмиона электрическим полем.

А. Пятаков

1.     A.Fert et al., Nature Nanotech. 8, 152 (2013).

2.     E.Ruff et al., Sci. Rep. 5, 15025 (2015).

3.     ПерсТ 17, вып. 13/14 (2010);  ПерсТ 19, вып. 9 (2012)ПерсТ 19, вып. 21 (2012).

4.     А.С.Сергеев, Электростатические свойства магнитных структур.
   Диссертация на соискание степени кандидата физ.-мат.наук. М., МГУ им. М.В. Ломоносова (2014).

конференции

Семинар по физике конденсированного состояния, 11 ноября 2015 г.

(17.00, многофункциональный зал библиотеки физического факультета МГУ, 5 этаж)

Сергей Анатольевич Тарасенко (Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург) - “Двумерные и трехмерные топологические изоляторы на основе структур HgTe/CdHgTe”

На поверхности кристалла или гетерогранице могут возникать локализованные состояния, обусловленные нарушением периодического потенциала. Особый класс диэлектрических трехмерных (и двумерных) кристаллов, имеющих устойчивые к возмущениям проводящие поверхностные (краевые) состояния получили название топологических изоляторов. В докладе дан краткий обзор современного состояния физики топологических изоляторов, представлены результаты наших исследований электронной структуры и фотогальванических эффектов в двумерных и трехмерных топологических изоляторах на основе гетероструктур HgTe/CdHgTe. Обсуждаются эффекты, обусловленные отсутствием центра пространственной инверсии в гетероструктурах, в том числе связанные со смешиванием легких и тяжелых дырок на интерфейсах.

Пропуск на физический факультет слушателей семинара будет осуществляться по предъявлению паспорта.

Предварительная запись на семинар на сайте http://nano.msu.ru/education/seminars (до 15:00 дня семинара).

Для расширения возможностей участия в семинаре предполагается обеспечить прямую он-лайн трансляцию заседаний через сайт http://nano.msu.ru/video.php

Видеозапись семинара впоследствии будет доступна на сайтах http://cm.phys.msu.ru/?q=seminar или http://nano.msu.ru/research/seminars/condensed/seminars

Дополнительная информация:

тел. +7(495)939-11-51

E-mail: khokhlov@mig.phys.msu.ru 

XXXVI Международная зимняя школа физиков-теоретиков “Коуровка”,
21 - 27 февраля 2016 г., Верхняя Сысерть, Россия

Зимняя школа физиков-теоретиков “Коуровка” регулярно проводится на Урале с 1961 г. Она была организована по инициативе и при непосредственном участии академика С.В. Вонсовского. В 2016 г. она будет проводиться в тридцать шестой раз.

Научная программа традиционна: квантовая теория сверхпроводимости и магнетизма; сильно коррелированные и неупорядоченные системы; фазовые переходы и низкоразмерные системы.

Важные даты:

Последний срок подачи заявок – 1 декабря 2015 г.

Приём тезисов докладов – до 23 декабря 2015 г.

E-mail: kourovka@imp.uran.ru (Кудряшова Ольга Валерьевна, учёный секретарь оргкомитета)

Сайт: http://conf.uran.ru/Default.aspx?cid=kourovka

XX Международный Симпозиум “Нанофизика и наноэлектроника”,
14 - 18 марта 2016 г., Нижний Новгород, Россия

Тематика:

1. Сверхпроводящие наносистемы;

2. Магнитные наноструктуры;

3. Полупроводниковые наноструктуры: электронные, оптические свойства, методы формирования;

4. Зондовая микроскопия: измерения и технологии атомарного и нанометрового масштаба;

5. Многослойная и кристаллическая рентгеновская оптика.

Основной язык Симпозиума - русский, возможно представление докладов на английском языке. В связи с участием в Симпозиуме зарубежных ученых рекомендуется докладчикам приводить иллюстрации на английском языке.

Важные даты

Регистрация, представление тезисов докладов  - 5 ноября 2015 г.

Е-mail: symp@nanosymp.ru

Сайт: nanosymp.ru

XV International Conference on Intergranular and Interphase Boundaries in Materials (iib-2016),
23 - 27 May, 2016, National University of Science and Technology “MISiS”, Moscow, Russia

The iib Conferences, which are held every three years, represent a unique international forum bringing together the specialists working in different areas of Interface Science. Researchers that otherwise are mainly focused on their scientific domain have a unique opportunity to exchange their views and ideas with colleagues investigating the different aspects of interfacial behaviour; iib conferences strongly promote an interdisciplinary approach in interface science.

A variety of hot topics will be covered such as:

- Characterization of interfaces: atomic and electronic structure

- Modeling of interfaces: analytical and phenomenological approaches, numerical simulations, ab-initio modelling

- Thermodynamics and kinetics of interfaces: phase transformations, segregation, transport phenomena, migration and gliding, growth - recrystallization

- Mechanical properties and interfaces

- Interfaces in advanced and emerging materials: properties and applications

- Electronic, magnetic and photonic materials, energy materials, nanomaterials and low-dimensional systems, metals, ceramics, composites, polymer and organic materials, biomaterials

Important dates:

Registration before -  January 1, 2016

Abstract submission before - February 1, 2016

The temporary web-page of iib-2016 you can find under http://misis.ru/about-university/struktura-universiteta/instituty/inmin/organizacionnaj-struktura/kafedra-fizicheskoy-himii/iib-2016

_________________________________

Внимание!

С апреля 2006 г. ПерсТ выпускается только в электронном формате и представлен по адресу http://www.issp.ac.ru/journal/perst .
Желающие получать выпуски ПерсТа по своему электронному адресу могут сообщить его в адрес редакции
 www.issp.ac.ru/journal/perst.


Главный редактор И.Чугуева  irina@issp.ras.ru  тел: (499) 995 16 21

Научные редакторы: К.Кугель kugel@orc.ru, Ю.Метлин

В подготовке выпуска принимали участие: О.Алексеева, М.Маслов, Л.Опенов, А.Пятаков 

Выпускающий редактор: И.Фурлетова