СОДЕРЖАНИЕ
Номер 5-6,1999
XXVIII КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФИЗИКЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ
ЧАСТИЦ С КРИСТАЛЛАМИ
(25-28 мая 1998 г., Москва, НИИЯФ МГУ)
Сегрегация
вблизи поверхности в сплаве У-5Ре после облучения ионами ванадия
Г. В. Лысова,
Г. А. Биржевой 5
Потенциалы
взаимодействия между атомами кристаллической решетки в моделировании рассеяния
ионов поверхностью
С.
С. Волков, И. К. Путилин 9
Электронно-микроскопическая
диагностика аморфно-кристаллических наносистем,
полученных бомбардировкой кремния ионами Kr+
А. В. Питиримов,
Е. А. Питиримова,Д. И. Тетельбаум,
В. Г. Шенгуров, А. Ф. Хохлов 11
Особенности
рассеяния ионов Ме4' поверхностью ОаР(100)
при скользящем падении
А. А. Джурахалов, У. О. Кутлиев
14
Энергетическое
распределение обратнорассеянных ионов при нормальном
падении на мишень
Р. Маццука, А. И. Толмачев, Дж. Фальконе.Л.
Форлано
18
Исследование
распыления карбида бора в виде отрицательных ионных кластеров при бомбардировке
положительными ионами цезия
Р. Джаббарганов, Б. Г. Атабаев, Э.
М. Канаева
21
Аномалии
ван-дер-ваальсового взаимодействия движущихся атомов в среде буферного газа
около поверхности кристалла
В. И. Высоцкий,
А. А. Пинчук
25
Исследование
профилей распределения фтора и тантала в покрытиях W-Ta при помощи ядерного микрозонда
В. Н.
Бондаренко, А. В. Гончаров, В. Я. Колот, В. И. Сухоставец,
Б. М. Широков
28
Исследование
перепыленных слоев бериллия, образующихся при
облучении высокоинтенсивным низкоэнергетичным потоком
ионов водорода
М. И. Гусева,
В. М. Гуреев,Л. С. Данелян,
В. В. Затекин, А. М. Зимин, Б. Н. Колбасов,
В. С. Куликаускас, В. Г. Столярова 32
Модификация
поверхности МоЗ^ при бомбардировке ионами низких
энергий
И. П. Сошников,
М. Г. Степанова, А. Л. Шахмин, М. А. Ходорковский, Н.
А. Берт 36
Образование
отрицательных ионов бора в процессах перезарядки
И. С. Дмитриев,
Я. А. Теплова, Ю. А. Файнберг
42
Влияние
дискретности кристаллографических плоскостей на потенциал взаимодействия при
плоскостном каналировании
А. П. Лазарь
46
Квантовая
теория излучения релятивистских электронов в тонком слое вещества
С. П.
Фомин 49
Метод
канонических преобразований в квазиклассичсской
теории излучения ультрарелятивистских электронов в кристалле
Н. Ф. Шульга, В. В. Сыщенко
53
Исследование
степени замещения водорода дейтерием в кристаллах KH2(1-x)D2xPO4 методом ядер отдачи
В. Т. Куанышев, Т. А. Белых, И. Н. Огородников, В. М. Гармаш. Б. В. Шульгин 57
Влияние
электронного облучения на критические токи и линию необратимости в
монокристалле Bi2Sr2CaCu2Ox
В. И. Гатальская, Г. В. Гатальский, С.
Л. Курочкин
61
Радиационное
дефектообразование в арсениде галлия при высокотемпературном облучении
протонами
В. В.
Козловский, Т. И. Кольченко, А. Э. Васильев 65
Изменение
поверхностных свойств твердых сплавов под воздействием ионных пучков различной
интенсивности
С.
Н. Поворознюк,
К. Н. Полещенко, Г. А. Вершинин,
П. В. Орлов 69
Локальные
состояния атомов 57Fe в аморфной фазе Fe-В при имплантации азота
В. В. Углов, Ю.
А. Федотова, В. В. Ходасевич, Я. Станек
73
Двумерные
распределения ионизационных потерь вдоль следа тяжелого иона
В. А. Бакаев.
С.Д. Богданов, С. С. Богданов, А. Я. Бердников, В. Ф. Космач, Е. Е. Журкин,
Л. В.
Рабинович
80
Исследования
пробегов и ионизационных потерь тяжелых ионов в гомогенных средах
В. А. Бакаев,
С. Д. Богданов, С. С. Богданов, В. Ф. Космач, Е. Е. Журкин, В. М. Молчанов, В.
Е. Дудкин, Н. А. Нефедов, В. А. Плющев 83
Радиолиз
гидрида и дейтерида лития под действием ионов гелия
Т. А. Белых, Г.
И. Пилипенко
89
Применение
ионной имплантации для создания полупроводниковых газовых сенсоров
С.
И. Анисимов, Е. А. Питиримова,
В. В. Сухорукое, А. Ф. Хохлов, Т. Ю. Чигирииская, Ю.
И. Чигиринский
94
Классическая
модель перезарядки ионов в кристалле
Г. П. Похил, Т. В. Гранкина
97
Распределение
дозы от вторичных заряженных частиц в многослойных образцах, облучаемых гамма-квантами
В. А. Бакаев,
Я. А. Бердников, С. Д. Богданов, В. Ф. Космач
103
Применение
методов обратного рассеяния для исследования покрытий, . получаемых микродуговым оксидированием
Е. А.
Романовский, О. В. Беспалова, А. М. Борисов, О. Н. Дунькин,
В. С. Куликаускас, В. Г. Сухарев, И. В. Суминов, А. В. Эпелъфельд 106
Влияние
поперечных размеров мишени на переходное излучение релятивистских электронов в
тонком слое поглощающего вещества в миллиметровом диапазоне волн
Н.
Ф. Шульга, С. Н. Добровольский
110
Нейтронные
исследования конденсированных сред на импульсном источнике ускорителя
"ФАКЕЛ"
С.
Н. Иишаев, И.
П. Садиков, А. А. Чернышев
113
Неупругое
рассеяние рентгеновского излучения в условиях существования стоячей
рентгеновской волны
Интерференционные
эффекты комптоновского и теплового диффузного рассеянии
С. А. Григорян,
М. В. Ковальчук
119
Изучение
структуры твердых растворов InSb1-x-yAsxBiy методом рентгеновской эмиссионной
спектроскопии
Л. Н. Мазалов.Л. А. Борисова, В. В. Резвицкий,
Б. А. Трейгер
130
Адсорбционные
свойства поверхностей алмаза и графита. 1. Квантово-химический расчет
потенциальных поверхностей
А. Б.
Свечников
137
Роль
стерического фактора в формировании границы раздела
кремний-сульфид цинка
Л.
П. Алехин, В. Б. Алесковский,
С. Н. Мазуренко
143
Влияние
поверхностной рекомбинации на динамику межзонной люминесценции в
монокристаллических пластинах кремния
Л.
Б. Петренко, М. Н. Столяров, В. К).
Тимошенко
148
Поверхностные
явления на границе раздела карбидов кремния и бора с ионными расплавами
В. В.
Малышев
153
Катодолюминесценция
углеродных пленок, полученных методом газофазного
химического осаждения
Л.
П. Волков, А. II. Образцов, И. Ю.
Павловский, А. С. Петров, В. И. Петров, И. Þ. Топильский 161
Оценка
глубины проникновения излучения при внутреннем отражении
Л.
В.Демин
167
Переходные
процессы при термополевой ионной эмиссии в
приближении кратерной модели эволюции эмиттирующей
поверхности
Н. В. Егоров,
Б. В. Яковлев 170