Отклонение пучка электронов с энергией 1.87-4.52 МэВ при скользящем падении на поверхность диэлектриков

В. И. Гриднев, В. II. Забоев, Ю.Л. Пивоваров, Е. И. Розум, С. Р. Углов, К. М. Филимонов

6

Влияние воздуха на характеристики центров захвата и рекомбинации облученного истцами нитрида бора

А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, В. В.Лопатин       

9

Влияние отжига на состав и структуру GaAs, имплантированного ионами Ва с низкой энергией

Б. Е. Умирзаков, Д. А. Таишухамедова

14

Дефектообразование и зарядка в тонких слоях KCI-Si(l 11) при облучении медленными электронами

Б. Г. Атабаев, С. Г. Гаипов, Н. Н. Болтаев, Ш. Т. Хожиев

18

Кратерообразование на поверхности титановых сплавов при облучении мощным ионным пучком

Т. К. Панова, В. С. Ковивчак, Н. И. Писчасов

23

Моделирование температурных полей и диффузионных процессов в материалах под действием мощных ионных пучков

Н. И. Писчасов, Т. К. Панова, В. С. Ковивчак

27

Массоперенос в гетерогенных материалах при воздействии высокоинтенсивными пучками заряженных частиц

Г. А. Вершинин, К. Н. Полещенко, С. Н. Поворознюк, В. В. Кеба, Т. В. Субочева

32

Программа Р1С для численных экспериментов по взаимодействию частиц с поверхностью

С. С. Волков, И. К. Путилин

36

Исследование переходного слоя хром-графит с помощью ядерного микрозонда

В. Н. Бондаренко, А. В. Гончаров, В. И. Змий, В. Я. Колот, С. Г. Рудечькин, В. И. Сухоставец

38

Изучение методом дифракции электронов низкой энергии дефектообразования при электронно-лучевом стимулировании твердофазной эпитаксии Ge на Si(111)

С. Ж. Ниматов, И. А. ГарафутОинова, Б. Г. Атабае,.Д. С. Руми

41

Визуализация структурной перестройки VSe^ в процессе интеркаляции

Д. А. Валдайцев, М. В. Гомоюнова, И. И. Пронин, Н. С. Фараджев

44

Изучение механизма радиационно-индуцированной сегрегации элементов вблизи поверхности сплава Fe-20Cr-20Ni после облучения ионами железа

Г. В.Лысова, Г. А. Биржевой, Н. И. Храмушин

48

Исследование релаксации намагниченности в облученном монокристалле Bi₂Sr₂CaCu₂O_x

В. И. Гатальская, Г. В. Гатальский, С. Л. Курочкин

52

Влияние предварительной обработки в водородной плазме на радиационное дефектообразование в арсениде галлия, облученном гамма-квантами ⁶⁰Со

Ф. П. Коршунов, Н. Ф. Курилович, Т. А. Прохоренко, В. К. Шешолко, Ю. А. Бумай, А. Г. Улъяшин

55

Механизмы формирования следов тяжелых ионов в ядерной фотоэмульсии

А. Я. Бердников, С. Д. Богданов, С. С. Богданов, В. Ф. Космач, Е. Е. Журкин

62

О влиянии электрического поля на диффузию ионов кислорода в диоксиде циркония

Н. Г. Голубева, В. Г. Володько

66

К оптимизации измерений диффузионной длины прямозонных полупроводниковых материалов катодолюминесцентным методом

М. А. Степович

69

Эффект дальнодействия при радиационных воздействиях на полупроводниковые структуры с внутренними границами раздела

С. В. Оболенский, В.Д. Скупов

75

Особенности высокотемпературной имплантации ионов водорода в кремний и карбид кремния

В. В. Козловский, В. А. Козлов

80

Исследование кристаллов оксида бериллия, имплантированных цинком

М. В. Якушев, И. II. Огородников, А. Н. Вириксин, А. В. Кружалов. В. П. Нагарный, В. П. Денкс,

А. А. Живодеров

83

О едином подходе к интерпретации эффекта дальнодействия при облучении твердых тел заряженными частицами и фотонами светового диапазона

Д. И. Тетельбаум, В. А. Пантелеев, А. К. Азов, М. В. Гуткин

87

Обмен водородом и дейтерием через поверхность контактирующих металлов

Н. И. Тюрин, И. П. Чернов

90

Изучение релаксации упругих напряжений на интерфейсе эпитаксиальной структуры Ge_0.2Si_0.8/Si методом каналирования ионов гелия

Л. Ф. Вяткин, В. К. Егоров, А. П. Зуев

93

Изучение углового распределения примесного элементного состава в струе электрореактивного двигателя методами с использованием ионных пучков

В. М. Арбатский, А. Б. Надирадзе, А. А. Чиров, В. В. Шапошников, В. К. Егоров                             

102

Правила для авторов

111