СОДЕРЖАНИЕ

№ 2, 2002

IX НАЦИОНАЛЬНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО РОСТУ КРИСТАЛЛОВ

(Москва, 16-21 октября 2000 г., ИК РАН)

Особенности получения кристаллов вольфрамата свинца для проекта ЦЕРН ALICE
С.Ф.Бурачас, С.Я.Белогловский, Д.В.Елизаров, И.В.Маков, В.А.Маслобоев, Р.М.Никитин, Ю.А.Савельев, А.А.Васильев, М.С.Ипполитов, В.И.Манько, С.А.Никулин, А.Л.Апанасенко	5
Модель перехода от двухмерно-слоевого к трехмерному росту при гетероэпитаксии Ge/Si
В.А.Зиновьев, А.В.Двуреченский, П.Л.Новиков	10
Влияние характеристик германия на рассеяние ИК-излучения
И.А.Каплунов, А.И.Колесников	14
Структура межфазных границ раздела в сверхрешетках Mo/Si
Е.Н.Зубарев, А.Ю.Золотарев, В.В.Кондратенко, О.В.Польцева, В.А.Севрюкова, А.И.Федоренко, С.А.Юлин, Т.Файгл, Т.Кульман, Н.Кайзер	20
Исследование начальных стадий зарождения при эпитаксиальном росте теллурида цинка на поверхностях кремния различных ориентаций
Д.Н.Придачин, М.В.Якушев, Ю.Г.Сидоров	25
Теоретические модели самоорганизации при эпитаксиальной кристаллизации и экспериментальные результаты
К.С.Максимов, С.К.Максимов	30
Влияние микрогравитации на структуру и свойства кристаллов InSb:Te при их выращивании методами Бриджмена и бестигельной зонной плавки в космических условиях
В.С.Земсков, М.Р.Раухман, В.П.Шалимов	38
Расчетно-экспериментальное обоснование конструкции и параметров тепловых зон космических ростовых установок, основанных на использовании методов Бриджмена и зонной плавки
В.К.Артемьев, Н.В.Гусев, В.П.Шишулин	44
Нелинейные релаксационные тепловые процессы при высокоскоростной Кристаллизации
О.Н.Шабловский	49
Волновой метод выращивания кристаллов
А.А.Абгарян	55
Рост и характеристики кристаллов селенида свинца-селенида олова, выращенных из паровой фазы
Ю.М.Таиров, В.А.Мошников, В.В.Томаев	63
Рост кристаллов и структурные перестройки при замещении Ti4+ на Mg2+, Nb5+ в КТР и КТА
А.И.Белов, Л.И.Исаенко, А.А.Меркулов, И.А.Ларина	68
Рост пленок сульфида кадмия из тиомочевинных комплексов на различных подложках
А.В.Наумов, В.Н.Семенов	72
Особенности силицидообразования в многослойной пленочной системе Sc/Si
Д.Л.Воронов, Е.Н.Зубарев, В.В.Кондратенко, А.В.Пеньков, Ю.П.Першин	75
Фотоориентация жидких кристаллов с помощью УФ-облучения композитной пленки ПММА + провитамин Д3
И.А.Гвоздовский, И.П.Теренецкая	80
Программно-технический комплекс для установок роста кристаллов из расплава
А.В.Бородин, В.А.Бородин, А.Б.Ивлев, И.С.Петьков, В.В.Сидоров, Д.Н.Францев	84
Термооксидирование поверхностно-модифицированного фосфида индия
И.Я.Миттова, А.Н.Прокин, В.Н.Гаврютин, Е.В.Томина, В.М.Кашкаров	89
Связь эллипсометрических параметров с характеристиками поверхностного потенциального барьера полупроводника в области субмонослойных покрытий
Ю.И.Асалханов, Е.Ф.Мартынович	93
Третья национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (РСНЭ-2001)	99
Правила для авторов	111-112