СОДЕРЖАНИЕ

Номер 3, 2002

IX НАЦИОНАЛЬНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО РОСТУ КРИСТАЛЛОВ

Влияние особенностей микроструктуры и фазового состава на магнитные
свойства принципиально новых кристаллических материалов в системе Y-Ba-Cu-O
Е. А. Семенова, М. З. Семенов, А. В. Савинков, В. А. Шошокин	6
Оксидирование тонких пленок никеля, меди и твердых растворов медь-никель
Е. Г. Гончаров, В. Н. Ховив, И. Н. Назаренко, Е. Н. Удодова	11
Приготовление и исследование структуры квазикристаллического сплава Al-Pd-Tc
М. Н. Михеева, А. А. Теплов, К. Г. Буков, М. С. Григорьев, М. А. Черников	17
Сравнительное исследование влияния условий выращивания и последующего
оксидирования на характер структурного фазового разделения, упорядочение спинов и дырок, сверхпроводимость монокристаллов La2CuO4 + y
С. Н. Барило, Д. И. Жигунов, С. В. Ширяев, П. Лемменс, В. П. Гнездилов,
Ю. Г. Пашкевич, А. А. Захаров, Дж. М. Транквада, А. М. Балагуров	20
Выращивание пленок PbTe, легированных галлием в процессе их роста,
на Si-подложках при помощи модифицированного метода "горячей стенки"
Я. А. Угай, А. М. Самойлов, М. К. Шаров, А. В. Арсенов, С. А. Бучнев	28
Выращивание структурно-совершенных монокристаллов халькопиритных
полупроводников CuInSe2 и CuGaSe2 и исследование их оптических свойств
А. В. Мудрый, А. И. Патук, И. А. Шакин, Т. П. Ларионова, М. В. Якушев,
Р. Д. Томлинсон, А. Е. Хилл, Р. Д. Пилкингтон	37
Динамическая устойчивость движения высокоскоростного плоского фронта затвердевания
Д. А. Данилов, П. К. Галенко	42
Исследование термоэлектрических эффектов в нитевидных кристаллах p-Si
Я. С. Буджак, , И. П. Островский	50
Получение гетероэпитаксиальных структур ZnO/GaN/a-Al2O3 высокого совершенства методом химического транспорта
Б. М. Атаев, И. К. Камилов, А. М. Багамадова, В. В. Мамедов,
А. К. Омаев, С. Ш. Махмудов	53
Квазибикристаллические структуры оксида цинка
Б. М. Атаев, И. К. Камилов, А. М. Багамадова, В. В. Мамедов,
С. Ш. Махмудов, А. К. Омаев, Ш. О. Шахшаев	56
Кинетика поверхностного пиролиза гидридов в проблеме формирования
границ Si1 - xGex/Si1 - yGey, выращиваемых из молекулярных потоков SiH4 и GeH4
Л. К. Орлов, А. В. Потапов, Н. Л. Ивина, С. В. Ивин	59
Механизм зародышеобразования в молекулярно-лучевой эпитаксии
на As-стабилизированных поверхностях (001) GaAs
Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов	63
Модель образования и трансформации микродефектов в бездислокационных
монокристаллах кремния
И. Е. Таланин, В. И. Таланин, Д. И. Левинзон	69
Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии слоев GaN и InGaN, полученных
с использованием аммиака
Б. А. Борисов, Д. М. Демидов, Д. М. Красовицкий, Ю. В. Погорельский,
И. А. Соколов, В. П. Чалый, А. П. Шкурко, С. Ю. Карпов, В. В. Ратников,
М. Г. Ткачман, Т. В. Шубина, А. О. Голубок, С. А. Масалов	74
Получение эпитаксиальных слоев пятикомпонентных твердых растворов
GaInAsPSb изопериодических с GaSb
В. И. Васильев, Г. С. Гагис, Е. А. Когновицкая, В. И. Кучинский,
С. Н. Лосев, В. М. Смирнов	78
Свойства и применение полупроводниковых сцинтилляторов на основе селенида цинка
В. Д. Рыжиков, Л. П. Гальчинецкий, Н. Г. Старжинский	85
Структура и свойства тонкопленочного титаната свинца на монокристаллическом кремнии
А. М. Ховив, В. А. Логачева, Ю. Ю. Якимова	90
Выращивание и исследование кристаллов CdZnTe, полученных методом Бриджмена при высоком давлении в одно- и многозонной печах
В. К. Комарь, Д. П. Наливайко, А. С. Герасименко, С. В. Сулима, П. В. Матейченко	94
Влияние рентгеновского облучения на реальную структуру и концентрацию носителей тока в твердых растворах A2B6
Э. М. Пашаев, В. Н. Перегудов, С. Н. Якунин, А. А. Зайцев, В. М. Каневский	100
Градиентные оптические среды для ИК-области спектра
В. Ф. Голованов, И. С. Лисицкий, В. В. Сахаров	104
Морфология кристаллов Bi4Ge3O12, выращенных низкоградиентным
методом Чохральского
Ю. А. Боровлев, Я. В. Васильев, Н. В. Иванникова, В. Н. Шлегель, Ю. В. Шубин	108
Игорю Георгиевичу Неизвестному 70 лет	112