СОДЕРЖАНИЕ Номер 3, 2003

 

 

Томашполъский Ю.Я. Поверхностный барьер в моделях вторично-электронной эмиссии

6-10

 

 

Заварин Е.Е., Зайцев С.И., Сироткин В.В., Усиков А.С., Шмидт Н.М., Якимов Е.Б. Исследование эпитаксиальных слоев я-GaN в режиме наведенного тока с субмикронным пространственным разрешением

11-14

 

 

Якимов Е.Б. Измерение параметров дислокации в полупроводниковых кристаллах методом наведенного тока в РЭМ

15-20

 

 

Аливов Я.И., Разгонов И.И., Якимов Е.Б. Определение величин диффузионной длины и скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей из измерений спектров наведенного тока при оптическом возбуждении

21-23

 

 

Злобин В.А. Особенности формирования сигнала наведенного тока в р-п-структурах из карбида кремния

24-26

 

 

Соколов В.Н., Юрковец Д.И., Разгулина О.В., Мельник В.Н. Экспресс-метод измерения высот микрообъектов в РЭМ

27-31

 

 

Гасенкова И.В., Чубаренко В.А., Тявловская Е.А., Свечникова Т.Е. Однородность твердых растворов на основе В^Тез и ЗЬ^Тез

 

32-41

 

 

Гайнутдинов Р.В., Степина Н.Д., Толстихина АЛ., ФейгинЛ.А., Иванова В.Н., Кудрявцев В.В..Лебедева Г.К., Николаев АЛ. АСМ-исследования пленок Ленгмюра-Блоджетт фуллеренсодержащих поли(мет)акрилатов

42-45

 

 

Гетманова Т.Н., Зайцев Б.Н., Рябичева Т.Г., Вараксин Н.А., Нечаева Е.А. Применение методов микроскопии к изучению морфологии микрокапсулированной формы вакцины

46-50

 

 

Толстихина АЛ., Белугина Н.В., Гайнутдинов Р.В. Об использовании естественной поверхности скола кристаллов со спайностью для калибровки пьезосканера атомно-силового микроскопа

51-56

 

 

Дьяконенко ИЛ., Рябчун А.А., Кривонос С.С. Наноструктура аморфных пленок стеклообразующих халькогенидных соединений

57-60

 

 

Киселева Т.Ю., Сидорова Е.Н., Новикова А.А., Соколов В.Н., Левина В.В. Мониторинг образования промежуточных соединений при получении нанокристаллических Fe-Ni-композиций

61-66

 

 

Попов В.А., Ходос И.И., Клименко ГЛ., Кондратенков М.Ю. Исследование структуры металломатричных композитов методами электронной микроскопии

67-71

 

 

Николайчик В.И., Амелинкс С., КлинковаЛ.А., Барковский Н.В..Лебедев О.И., Ван Тендело Г. Электронно-микроскопическое исследование богатых висмутом оксидов системы Ba-Bi-0

72-79

 

 

Николайчик В.И., Зу К.Д., Ховмюллер С., КлинковаЛ.А. Применение методов электронной кристаллографии для расшифровки трехмерной упорядоченной структуры с большим размером сверхячейки

80-86

 

 

Николайчик В.И., Учида М., Мацу и И., КлинковаЛ.А., Барковский Н.В. Электронно-микроскопическое исследование структуры упорядоченного сверхпроводника bo] _ ,Х,.ВЮз

87-91

 

 

Дьяконенко НЛ., Семченко ГД., Старолат Е.Е. Электронно-микроскопическое исследование нитевидных кристаллов нитрида кремния

92-95

 

 

Артёмов В.В., Каневский В.М., Иванов Ю.М. Исследование структуры CdTe методами просвечивающей и растровой электронной микроскопии

96-98

 

 

Киселева Т.Ю., Сидорова Е.Н., Новикова А.А., Соколов В.Н., Левина В.В. Мониторинг образования промежуточных соединений при получении нанокристаллических Fe-Ni-композиций

61-66

 

 

Новикова А.А., Сизов И.Г., Гвоздевер Р.С., Голубок Д.С., Киселева Т.Ю., Семенов А.П., Смирнягина Н.Н., Прусаков Б.А. Структурный анализ борированных слоев на поверхности малоуглеродистой стали до и после электронно-лучевой обработки

99-103

 

 

Гончаренко Ю Д., Евсеев Л.А., Казаков В.А., Крюков Ф.Н., Никитин ОМ. Применение метода ВИМС для исследования облученного ядерного оксидного топлива

104-107

 

 

Бешенков В.Г., Знаменский А.Г., Марченко В.А. Диагностика фазового состава системы CeO^/SiQ 11) по оже-спектрам при ионном профилировании

108-110