1.  В тонких свободно подвешенных пленках сегнетоэлектрических и смектических C жидких кристаллов обнаружено образование структур, обладающих продольной (параллельной плоскости наклона молекул) поляризацией. Установлено, что температура перехода от состояния с поперечной поляризацией к состоянию с продольной поляризацией увеличивается с уменьшением толщины плёнки. Предложена модель, связывающая возникновение продольной поляризации с неоднородным профилем параметра порядка в плёнке и позволяющая рассчитать температурную зависимость величины продольной поляризации и температуры переходов.

2. Впервые наблюдались 2π- и π-стенки в тонких свободно подвешенных плёнках неполярных смектических жидких кристаллов в магнитном поле (рис. 1). Обнаружен распад 2π-стенок на две π-стенки при изменении ориентации магнитного поля относительно плоскости плёнки (рис. 2), зависимость структуры стенки от ориентации стенки относительно направления поля (рис. 3). Определены величины констант двумерной упругости в антисегнетоэлектрических плёнках, в смектике C и величина продольной электрической поляризации в плёнках антисегнетоэлектрика.

Рис. 1. Различные точечные топологические и линейные дефекты (стенки) в смектических плёнках. π-стенка в магнитном поле, параллельном плоскости плёнки (a), 2π-стенка в наклонном к плоскости плёнки поле (b), два точечных топологических дефекта с топологическими зарядами +1 и -1 (c), аннигиляция 2π-стенки, образующей замкнутую дисклинационную петлю (d).

Рис. 2. Распад 2π-стенки на две π-стенки при изменении ориентации магнитного поля относительно плоскости плёнки. Угол α между направлением магнитного поля и плоскостью плёнки уменьшается от фотографии (1) к фотографии (3).

Рис. 3. Зависимость структуры 2π-стенки от её ориентации относительно направления магнитного поля. Магнитное поле перпендикулярно стенке (a), проекция поля на плоскость плёнки параллельна 2π-стенке (b).

ЛСМС