Среда 30 октября 10:00 аудитория КМП

А.А. Капустин (докладчик), С.И. Дорожкин

«Эффекты памяти» и немарковская динамика электронов в поглощении микроволнового излучения 2D электронной системой полевого транзистора GaAs/AlGaAs.

Доклад по двум работам, объединенным общей тематикой:
[1] S.I.Dorozhkin, A.A.Kapustin, I.A.Dmitriev, V.Umansky, K.von Klitzing and J.H.Smet, PRB 96, 155306
[2] С.И.Дорожкин, А.А.Капустин, В.Уманский, Ю.Х.Смет, Письма в ЖЭТФ 109, 178

Среда 2 октября 10:00 аудитория КМП

Станислав Петруша (30 мин.)

Демонстрация топологической защиты как фазово-когерентного явления.