20.05.2022 
  

в Лабораторию электронной кинетики:
- специалиста в области низкотемпературных транспортных и шумовых измерений в топологических изоляторах и нанопроводах - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию профилированных кристаллов:
- специалиста в области разработки инструментов на основе профилированных кристаллов сапфира для медицинской терапии и диагностики - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию поверхностей раздела в металлах:
- специалиста в области исследования поверхностных фазовых переходов на внутренних поверхностях раздела в металлах - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию неравновесных электронных процессов:
- специалиста в области наноплазмоники, поверхностно-усиленной Рамановской спектроскопии, биофотоники, имеющий опыт в оптимизации и разработке оптических сенсоров - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- специалиста в области кинетики релаксации надбарьерных носителей заряда в полупроводниковых гетероструктурах, а также лазеров на основе полупроводниковых микрорезонаторов с вытравленным двумерным хиральным рисунком - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- специалиста в области экспериментального исследования
плазменных возбуждений в двумерных электронных системах в
микроволновом и субтерагерцовом частотном диапазоне - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию спектроскопии дефектных структур:
- специалиста в области моделирования и экспериментального исследования твердооксидных топливных и электролизных элементов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- специалиста в области топливных процессоров и конверсии топлив в твердооксидных топливных элементах - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- специалиста в области технологии получения композитов с металлической матрицей, армированной непрерывным волокном, в том числе углеродным - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Сектор элементного и структурного анализа:
- специалиста в области рентгеноструктурных исследований электронных фазовых переходов в низкоразмерных органических проводниках при низких температурах и высоких давлениях, включая анализ корреляционных связей электронной и молекулярной структуры ян-теллеровских анионов (металлофталоцианинов, фуллеренов и др.) в кристаллах анионных комплексов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию структурных исследований:
- специалиста в области просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии аморфных и нанокристаллических сплавов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию квантовых кристаллов:
- специалиста в области емкостной спектроскопии глубоких уровней в кремнии - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 04.02.2022г.

 

Contacts

Contacts

Phone:
8(496) 52 219-82
+7 906 095 4402

Fax:
+7(496) 522 8160
8(496) 522 8160

Postal:
Osipyan Institute of Solid State Physics Russian Academy of Sciences Chernogolovka, Moscow District, 2 Academician Osipyan str., 142432 Russia

E-mail:

WWW: www.issp.ac.ru