23.05.2022 
  

Публикации В.В. Кведера 2011-2020

  1. Eichler, H.J. Alexander A. Kaminskii
    H.J. Eichler, O. Lux, H. Rhee, J. Findeisen, P.Becker-Bohaty, L. Bohaty, W. Krupke, K. Ueda, O. Alekseeva, S. Bagaev, P. verev, I. Sherbakov, N.L. Istomina, V. Kveder, B.H.J. McKellar, D.Y. Tang, J. Chen, J. Dong, J.Q. Lu, S. Wang, X. Wang, K. Paff, S. Hildebrandt
    Physica Status Solidi A. – 2020. – Vol. 217, Iss. 23. – P. 2000129.
  2. Eichler, H.J. Alexander A. Kaminskii OBITUARY
    H.J. Eichler, O. Lux, H. Rhee, J. Findeisen, P.Becker-Bohaty, L. Bohaty, W. Krupke, K. Ueda, S. Bagaev, I. Sherbakov, N.L. Istomina, V. Kveder, B.H.J. McKellar, D.Y. Tang, J. Chen, J. Dong, J.Q. Lu, S. Wang, X. Wang, K. Paff, S. Hildebrandt
    Laser Photonics Reviews – 2020. – P. 2000113.
  3. Khorosheva, M. Impact of iron atoms on electronic properties of FZ n-Si with dislocations
    М. Khorosheva, V. Kveder, A. Tereshchenko
    Physica B. – 2019. – Vol. 570. – P. 274–279.
  4. Kveder, V. Interaction of Chromium Atoms with Dislocations and as-Grown Vacancy Complexes and its Impact on the Electronic Properties of FZ-Si
    V. Kveder, M. Khorosheva
    Physica Status Solidi B. – 2019. – Vol. 256, Iss. 8. – P. 1900013.
  5. Kveder, V. Concerning vacancy defects generated by moving dislocations in Si
    V. Kveder, M. Khorosheva, M. Seibt
    Materials Today: Proceedings. – 2018. – Vol. 5, Iss. 6(3). – P. 14757–14764. – DOI:10.1016/j.matpr.2018.03.065
  6. Kveder, V. Interaction of chromium with dislocations and vacancy defects generated during dislocation motion and its impact on the electronic properties of silicon
    V. Kveder, М. Khorosheva
    17th International Biannual Meeting Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology ( GADEST 2017 ) : proceedings. – 2017. – P. 143.
  7. Agarkov, D.A. A new technique for in-situ studies of the SOFC interfaces employing Raman spectroscopy and transparent electrolyte membrane
    D.A. Agarkov, I.N. Burmistrov, F.M. Tsybrov, I.I. Tartakovskii, V.V. Kharton, V.V. Kveder, S.I. Bredikhin
    15th Asian Conference on Solid State Ionics : proceedings. – 2016.
  8. Agarkov, D.A. A new approach for in-situ Raman spectroscopy studies of the SOFC interfaces under operation conditions
    D.A. Agarkov, I.N. Burmistrov, F.M. Tsybrov, I.I. Tartakovskii, V.V. Kharton, V.V. Kveder, S.I. Bredikhin
    16 Asian SOFC Symposium : proceedings. – 2016.
  9. Agarkov, D. Analysis of Interfacial Processes at the SOFC Electrodes by In-Situ Raman Spectroscopy
    D. Agarkov, I. Burmistrov, F. Tsybrov, I. Tartakovskii, V. Kharton, S. Bredikhin, V. Kveder
    Conference on Electrochemical Energy Conversion and Storage with ( ECS SOFC-14 ) : proceedings. – 2015. – P. 286.
  10. Molodtsova, O. 3-D hybrid organic-inorganic structures: CuPc matrix with metallic nanoparticles
    O. Molodtsova, I. Aristova, O. Vilkov, A. Pietzsch, M. Tchaplyguine, S. Babenkov, V. Kveder, V. Aristov
    European XFEL Users' Meeting, DESY Photon Science Users' Meeting : proceedings. – 2015. – P. 239.
  11. Kveder, V. Interplay of Ni and Au atoms with dislocations and vacancy defects generated by moving dislocations in Si
    V. Kveder, М. Khorosheva, M. Seibt
    Solid State Phenomena. – 2016. – Vol. 242. – P. 147–154. – DOI:10.4028/www.scientific.net/SSP.242.147
  12. Andreev, A.F. In memory of Vsevolod Feliksovich Gantmakher
    A.F. Andreev, V.T. Dolgopolov, V.N. Zverev, S.V. Iordanskii, V.V. Kveder, I.V. Kukushkin, V.D. Kulakovskii, E.I. Rashba, V.B. Timofeev, M.R. Trunin, D.E. Khmelnitskii, V.S. Khrapai
    Physics-Uspekhi. – 2015. – Vol. 58, Iss. 4. – P. 414–415. – DOI:10.3367/UFNe.0185.201504i.0447
  13. Sinitsyn, V.V. White phosphor on the basis of Gd-2(MoO4)(3): Tm,Tb,Eu single crystal
    V.V. Sinitsyn, B.S. Redkin, A.P. Kiselev, S.Z. Shmurak, N.N. Kolesnikov, V.V. Kveder, E.G. Ponyatovsky
    Solid State Sciences. – 2015. – Vol. 46. – P. 80–83. – DOI:10.1016/j.solidstatesciences.2015.06.006
  14. Kolevatov, I. Oxygen-related defects: minority carrier lifetime killers in n-type Czochralski silicon wafers for solar cell application
    I. Kolevatov, V. Osinniy, M. Herms, A. Loshachenko, I. Shlyakhov, V. Kveder, O. Vyvenko
    Physica Status Solidi C. – 2015. – Vol. 12, № 8. – P. 1108–-1110. – DOI:10.1002/pssc.201400293
  15. Khorosheva, M.A. On the nature of defects produced by motion of dislocations in silicon
    M.A. Khorosheva, V.V. Kveder, M. Seibt
    Physica Status Solidi A. – 2015. – Vol. 212, Iss. 8. – P. 1695–1703. – DOI:10.1002/pssa.201532153
  16. Agarkov, D.A. Analysis of Interfacial Processes at the SOFC Electrodes by in-situ Raman Spectroscopy
    D.A. Agarkov, I.N. Burmistrov, F.M. Tsybrov, I.I. Tartakovskii, V.V. Kharton, S.I. Bredikhin, V.V. Kveder
    ECS Transactions. – 2015. – Vol. 68, Iss. 1. – P. 2093–2103. – DOI:10.1149/06801.2093ecst
  17. Kolesnikov, N.N. Semiconductor ceramic materials produced from AIIBVI nanopowders
    N.N. Kolesnikov, E.B. Borisenko, V.V. Kveder, D.N. Borisenko, F.N. Timonina, B.A. Gnesin
    Powder Engineering, Technology & Applications. – Nova Science, 2011. – P. 311-324.
  18. Aleksandrov, E.B. Aleksandr Aleksandrovich Kaplyanskii (on his 80th birthday)
    E.B. Aleksandrov, Zh.I. Alferov, S.N. Bagaev, T.T. Basiev, A.G. Zabrodskii, V.V. Kveder, L.V. Keldysh, B.V. Novikov, V.V. Osiko, R.A. Suris, V.B. Timofeev, I.A. Shcherbakov
    Physics-Uspekhi. – 2011. – Vol. 54, Iss. 1. – P. 107–108. – DOI:10.3367/UFNe.0181.201101p.0115
  19. Beringov, S. Multicrystalline silicon production for solar cell applications by continuous induction melting in cold crucible
    S. Beringov, A. Shkulkov, Yu. Cherpak, M. Vlasiuk, T. Vlasenko, I. Buchovska, V. Kveder, M. Khorosheva
    Physica Status Solidi C. – 2013. – Vol. 10, Iss. 1. – P. 24–27. – DOI:10.1002/pssc.201200401
  20. Sedykh, V.D. Thermodynamically nonequilibrium states in lanthanum manganite LaMnO3 doped with 5 at % Ba
    V.D. Sedykh, V.S. Rusakov, V.V. Kveder, G.E. Abrosimova, V.I. Kulakov, I.E. Kuritsyna
    Physics of the Solid State. – 2014. – Vol. 56, Iss. 10. – P. 2100–2106. – DOI:10.1134/S1063783414100242
  21. Abdelbarey, D. Platinum and gold diffusion monitor vacancy profiles induced into silicon wafers by aluminum alloying
    D. Abdelbarey, V. Kveder, W. Schroter, M. Seibt
    Physica Status Solidi A. – 2013. – Vol. 210, № 4. – P. 771–776. – DOI:10.1002/pssa.201300020
  22. Krenckel, P. Interaction of iron with extended defects in multicrystalline silicon studied by local gettering
    P. Krenckel, P. Saring, M.A. Falkenberg, V. Kveder, M. Seibt
    Energy Procedia. – 2013. – Vol. 38. – P. 582–588. – DOI:10.1016/j.egypro.2013.07.320
  23. Sedykh, V. Fluctuation character of structural transformations in La0.95Ba0.05Mn0.9857Fe0.02O3+δ under heat treatment
    V. Sedykh, V.S. Rusakov, V.V. Kveder, I.I. Zver’kova, V.I. Kulakov
    Materials Letters. – 2013. – Vol. 96. – P. 82–84. – DOI:10.1016/j.matlet.2013.01.031
  24. Molodtsova, O.V. Morphology and properties of hybrid systems comprising gold nanoparticles in CuPc matrix
    O.V. Molodtsova, I.M. Aristova, V.V. Kveder, V. Knupfer, C. Laubschat, V.Yu. Aristov
    Journal of Physical Science and Application. – 2012. – Vol. 2, Iss. 6. – P. 166–170. – DOI:
  25. Molodtsova, O.V. Hybrid systems comprising Au nanoparticles in organic matrix
    O.V. Molodtsova, I.M. Aristova, M. Knupfer, V.V. Kveder, C. Laubschat, V.Yu. Aristov
    MAX-lab Activity Report 2010, National Laboratory Lund Sweden. – 2011. – P. 238–239. – DOI:
  26. Seibt, M. Gettering processes and the role of extended defects
    M. Seibt, V. Kveder
    Advanced Silicon Materials for Photovoltaic Applications. – Wiley, 2012. – Ch. 4. – P. 127–188. – ISBN 9780470661116.
  27. Timonina, A.V. Hydrogen sorption by carbon nanomaterials
    A.V. Timonina, D.N. Borisenko, V.V. Kveder, N.N. Kolesnikov, S.K. Brantov
    Russian Microelectronics. – 2011. – Vol. 40, Iss. 4. – P. 595–601. – DOI:10.1134/S1063739711080191
  28. Хорошева, М.А. Электронные свойства атомов железа на дислокациях в кремнии
    М.А. Хорошева, В.В. Кведер, А.Н. Терещенко
    12-я Международная Конференция Кремний-2018 : сб. тр. – 2018. – С. 10.
  29. Кведер, В.В. Влияние атомов хрома на электронные свойства кремния с дислокациями и ростовыми вакансионными дефектами
    В.В. Кведер, М.А. Хорошева
    12-я Международная Конференция Кремний-2018 : сб. тр. – 2018. – С. 9.
  30. Седых, В.Д. Влияние условий термообработки на структурные превращения в магнганате лантана Lа0.95Bа0.05MnO3 стехиометрического состава
    В.Д. Седых,С.В. Русаков, В.В. Кведер, Г.Е. Абросимова, В.И. Кулаков, И.Е. Курицына
    8-я Международная конференция «Фазовые превращения и прочность кристаллов»; 1-я Всероссийская Молодежная Школа «Структура и свойства перспективных материалов» : сб. тр. – 2014. – С. 117.
  31. Хорошева, М.А. О природе дефектов, возникающих в процессе движения дислокаций в кремнии
    М.А. Хорошева, В.В. Кведер
    10-я конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний – 2014» : сб. тр. – 2014. – С. 85.
  32. Кведер, В.В. Наблюдение вакансионных дефектов, возникающих в процессе движения дислокаций в кремнии
    В.В. Кведер, М.А. Хорошева
    11-я Российская конференция по физике полупроводников : сб. тр. – 2013. – С. 337.
  33. Кведер, В.В. Инженерия дефектов в поликристаллическом кремнии для солнечной энергетики
    В.В. Кведер
    Школа молодых ученых «Современные аспекты высокоэффективных топливных элементов и энергоустановок на их основе». – 2017. – DOI:10.5072/ISSP.2017.1.8080
  34. Кведер, В.В. Солнечные элементы из мультикристаллическго кремния: инженерия дефектов
    В.В. Кведер
    10-й Научно-практический семинар «Актуальные проблемы физики конденсированных сред» : сб. тр. – 2017. – С. 6.
  35. Агарков, Д.А Анализ электродных процессов в Ni-керметных анодах ТОТЭ методом in-situ спектроскопии комбинационного рассеяния света
    Д.А. Агарков, И.Н. Бурмистров, Ф.М. Цыбров, И.И. Тартаковский, В.В. Хартон, В.В. Кведер
    13-е совещание с международным участием "Фундаментальные проблемы ионики твердого тела" : сб. тр. – 2016.
  36. Кведер, В.В. Перспективы инженерии дефектов в мультикристаллическом кремнии для солнечной энергетики
    В.В. Кведер
    11-я Конференция и 10-я Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний – 2016» : сб. тр. – 2016. – С. 19.
  37. Кведер, В.В. Инженерия дефектов для солнечных элементов из мультикристаллическго кремния
    В.В. Кведер
    9-й Научно-практический семинар «Актуальные проблемы физики конденсированных сред» : сб. тр. – 2016. – С. 2.
  38. Андреев, А.Ф. Памяти Всеволода Феликсовича Гантмахера
    А.Ф. Андреев, В.Т. Долгополов, В.Н. Зверев, С.В. Иорданский, В.В. Кведер, И.В. Кукушкин, В.Д. Кулаковский, Э.И. Рашба, В.Б. Тимофеев, М.Р. Трунин, Д.Е. Хмельницкий, В.С. Храпай
    Успехи Физических Наук. – 2015. – Т. 185, Вып. 4. – С. 447–448. – DOI:10.3367/UFNr.0185.201504i.0447
  39. ПМ 161095 Российская Федерация, МПК H 01 M 8/10. Мембранно-электродный блок ТОТЭ
  40. Александров, Е.Б. Александр Александрович Каплянский (к 80-летию со дня рождения)
    Е.Б. Александров, Ж.И. Алферов, С.Н. Багаев, Т.Т. Басиев, А.Г. Забродский, В.В. Кведер, Л.В. Келдыш, Б.В. Новиков, В.В. Осико, Р.А. Сурис, В.Б. Тимофеев, И.А. Щербаков
    Успехи Физических Наук. – 2011. – Т. 181, Вып. 1. – С. 115–116. – DOI:10.3367/UFNr.0181.201101p.0115
  41. Седых, В.Д. Термодинамически неравновесные состояния в манганите лантана LaMnO3, легированном 5 ат.%Ba
    В.Д. Седых, В.С. Русаков, В.В. Кведер, Г.Е. Абросимова, В.И. Кулаков, И.Е. Курицына
    Физика Твердого Тела. – 2014. – Т. 56, № 10. – С. 2033–2038. – DOI:
  42. Седых, В.Д. Структурные превращения в La0.95Ba0.05Mn0.9857Fe0.02O3 при термообработке
    В.Д. Седых, В.С. Русаков, В.В. Кведер, Г.Е. Абросимова, В.И. Кулаков
    Современные методы анализа дифракционных данных и актуальные проблемы рентгеновской оптики : сб. тр. – 2013. – С. 221–223. – DOI:
  43. Пат. 2456712 Российская Федерация, МПК H 01 L 33/50. Источник белого света
  44. Пат. 2415805 Российская Федерация, МПК B 82 B 3/00. Способ получения нанопорошка селенотеллурида цинка
 

2021 - год науки и технологий
Контакты

Контакты

Телефон:
8(496) 52 219-82
+7 906 095 4402

Факс:
+7(496) 522 8160
8(496) 522 8160

Почтовый адрес:
ИФТТ РАН, Черноголовка, Московская обл., ул.Академика Осипьяна д.2, 142432, Россия

E-mail:
Вебмастер
Ученый секретарь

WWW:
www.issp.ac.ru
 
ISSP RAS © 2004 - 2015 All rights reserved. Powered by Joomla Open Source.