Способ выращивания кристаллов фуллерена С60


				26.02.2021

Патент РФ на изобретение № 2652204 «Способ выращивания кристаллов фуллерена С60»
Авторы: Баженов А.В., Борисенко Д.Н., Колесников Н.Н., Левченко А.А.
Приоритет: 05.07.17
Зарегистрирован: 25.04.18

Контакты

Телефон:
8(496) 52 219-82
+7 906 095 4402

Факс:
+7(496) 522 8160
8(496) 522 8160

Почтовый адрес:
ИФТТ РАН, Черноголовка, Московская обл., ул.Академика Осипьяна д.2, 142432, Россия

E-mail:
Вебмастер
Ученый секретарь

WWW:
www.issp.ac.ru

Черноголовка

rp5.ru