Патент РФ на изобретение №2694768 «Способ получения кристаллов Cd3As2»
Авторы: Тимонина А.В., Колесников Н.Н., Девятов Э.В., Швецов О.О., Есин В.Д.
Приоритет: 7.12.18
Зарегистрирован: 16.07.19
![]() |
![]() | ||||
![]() |
![]() |
02.03.2021 | ||
![]() | ||||
![]() | ||||
![]() |
|
Способ получения кристаллов Cd3As2
Патент РФ на изобретение №2694768 «Способ получения кристаллов Cd3As2»
Авторы: Тимонина А.В., Колесников Н.Н., Девятов Э.В., Швецов О.О., Есин В.Д. Приоритет: 7.12.18 Зарегистрирован: 16.07.19 |
|
ISSP RAS © 2004 - 2015 All rights reserved. Powered by Joomla Open Source. |