Печать

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может использоваться для изготовления оптических фильтров видимого и ближнего инфракрасного диапазонов спектра. Оптический фильтр с активным элементом из слоя наночастиц теллурида цинка-кадмия Cd1-xZnxTe (0≤x<1) с размером наночастиц в слое 5-10 нм при толщине слоя 30-50 нм, причем слой выращен на поверхности пассивного элемента из кристаллического теллурида цинка (ZnTe). Изменение значения «х» в формуле Cd1-xZnxTe позволяет задавать спектральное положение границы пропускания в диапазоне длин волн от 0,550 мкм (х=1) до 0,838 мкм (х=0). Технический результат – снижение толщины активного элемента оптического фильтра.