17.12.2017 
  

В связи с обновлением программного обеспечения сайт находится на реконструкции (некоторые страницы и сервисы могут быть недоступны)

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в нанотехнологиях, связанных с применением нанопорошка теллурида цинка-кадмия с составом Cd0,9Zn0,1Te проводится путем осаждения из газовой фазы в потоке гелия. При этом источник испарения имеет состав Cd0,5Zn0,5Te температура источника испарения составляет 800-850°С, температура в зоне осаждения 540-610°С, а скорость потока гелия должна находиться в интервале 1000-1500 мл/мин. Таким образом, получается нанопорошок теллурида цинка-кадмия, имеющий состав Cd0,9Zn0,1Te и размер частиц основной фракции 10 нм.

Контакты

Контакты

Телефон:
8(496) 52 219-82
+7 906 095 4402

Факс:
+7(496) 522 8160
8(496) 522 8160

Почтовый адрес:
ИФТТ РАН, Черноголовка, Московская обл., ул.Академика Осипьяна д.2, 142432, Россия

E-mail:
Вебмастер
Ученый секретарь

WWW:
www.issp.ac.ru