Печать

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в нанотехнологиях, связанных с применением нанопорошка теллурида цинка-кадмия с составом Cd0,9Zn0,1Te проводится путем осаждения из газовой фазы в потоке гелия. При этом источник испарения имеет состав Cd0,5Zn0,5Te температура источника испарения составляет 800-850°С, температура в зоне осаждения 540-610°С, а скорость потока гелия должна находиться в интервале 1000-1500 мл/мин. Таким образом, получается нанопорошок теллурида цинка-кадмия, имеющий состав Cd0,9Zn0,1Te и размер частиц основной фракции 10 нм.