Печать

Изобретение относится к области нанотехнологий, развитие которых требует, в частности, получения наночастиц различных металлов. Для ряда применений особый интерес представляет получение наночастиц галлия. Задачей данного изобретения является получение наночастиц галлия в кристаллической матрице моноселенида галлия (GaSe) при одновременном упрощении процесса. Эта задача решается в предлагаемом способе получения наночастиц галлия в кристал лической матрице моноселенида галлия (GaSe) расплавлением навески состава Ga 52±0,05% (мас.), Se 48±0,05% (мас.) и последующей кристаллизацией при поступательном движении фронта кристаллизации с периодическими остановками, причем периодичность остановок фронта находится в диапазоне 6-18 мин, продолжительность каждой остановки составляет 0,003-0,005 сек. Получение наночастиц Ga в матрице GaSe не требует ни создания глубокого вакуума, ни приготовления специальной подложки, что существенно упрощает процесс.