01.07.2022 
  

- специалиста по разработке методов выращивания кристаллов полупроводников, сверхпроводников, материалов с топологически защищенными свойствами – полная ставка, 1 вакансия на срок полномочий директора ИФТТ РАН;

- специалиста по низкотемпературным исследованиям полупроводниковых, сверхпроводящих, магнитных низкоразмерных систем - полная ставка, 1 вакансия на срок полномочий директора ИФТТ РАН;

С полным перечнем требований к кандидатам можно ознакомиться на Портале вакансий по адресу https://ученые-исследователи.рф/

С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.

Срок подачи документов – до 09.04.2021г.