21.09.2021 
  

- специалиста по разработке методов выращивания кристаллов полупроводников, сверхпроводников, материалов с топологически защищенными свойствами – полная ставка, 1 вакансия на срок полномочий директора ИФТТ РАН;

- специалиста по низкотемпературным исследованиям полупроводниковых, сверхпроводящих, магнитных низкоразмерных систем - полная ставка, 1 вакансия на срок полномочий директора ИФТТ РАН;

С полным перечнем требований к кандидатам можно ознакомиться на Портале вакансий по адресу https://ученые-исследователи.рф/

С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.

Срок подачи документов – до 09.04.2021г.

 

2021 - год науки и технологий

Контакты

Контакты

Телефон:
8(496) 52 219-82
+7 906 095 4402

Факс:
+7(496) 522 8160
8(496) 522 8160

Почтовый адрес:
ИФТТ РАН, Черноголовка, Московская обл., ул.Академика Осипьяна д.2, 142432, Россия

E-mail:
Вебмастер
Ученый секретарь

WWW:
www.issp.ac.ru