17.05.2022 
  

в Лабораторию неравновесных электронных процессов:

- специалиста в области магнитооптики экситонных состояний в новых полупроводниковых материалах, оптики низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
- специалиста в области низкотемпературного исследования электродинамического отклика двумерных электронных систем – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

в Лабораторию сверхпроводимости:
- специалиста в области исследования тонкопленочных
джозефсоновских структур на основе туннельных и ферромагнитных барьеров, проектирования и изготовления тонкопленочных структур методами ионно-плазменного
осаждения и обработки, экспериментальных исследований в криостате Не-4 - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;

в Лабораторию спектроскопии дефектных структур:
- специалиста в области изучения структуры внутреннего сопротивления твердооксидных топливных элементов методом электрохимических исследований - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;

С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять Ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.

 

 

2021 - год науки и технологий

Контакты

Контакты

Телефон:
8(496) 52 219-82
+7 906 095 4402

Факс:
+7(496) 522 8160
8(496) 522 8160

Почтовый адрес:
ИФТТ РАН, Черноголовка, Московская обл., ул.Академика Осипьяна д.2, 142432, Россия

E-mail:
Вебмастер
Ученый секретарь

WWW:
www.issp.ac.ru