19.11.2019 
  

I. Доклады по работам, направляемым в печать:


1. М. Khorosheva, V. Kveder, A. Tereshchenko “Impact of iron atoms on the electronic properties of n-silicon with dislocations”, Physica Status Solidi a».

2. V. Kveder, М. Khorosheva “Interaction of chromium atoms with dislocations and as-grown vacancy-complexes and its impact on the electronic properties of FZ-Si”, «Physica Status Solidi b».

II. Закрытая часть.

Контакты

Контакты

Телефон:
8(496) 52 219-82
+7 906 095 4402

Факс:
+7(496) 522 8160
8(496) 522 8160

Почтовый адрес:
ИФТТ РАН, Черноголовка, Московская обл., ул.Академика Осипьяна д.2, 142432, Россия

E-mail:
Вебмастер
Ученый секретарь

WWW:
www.issp.ac.ru