14.11.2019 
  

18 апреля 2018 г. (среда), 10:00, аудитория КМП

Эффект близости и зарядовый транспорт в гибридных диффузионных структурах Al/InAs-nanowire/Al

Артём Денисов

Была исследована природа эффекта близости в длинных (~ 300нм) отрезках InAs полупроводниковых нанопроводов с контактами из Al в зависимости от плотности носителей, контролируемой задним затвором. Получены экспериментальные свидетельства высокой прозрачности интерфейса в области больших напряжений на затворе — эффект возвратного сопротивления, избыточный ток и многократное андреевское отражение. Положение щелевых особенностей в области высоких затворных напряжений в дифференциальном кондактансе совпадает с ожидаемым для сверхпроводящей щели в алюминии, определенной независимо. При уменьшении затворного напряжения особенности кондактанса становятся слабее и уходят в область меньших напряжений, что связано с уменьшением прозрачности интерфейса InAs/Al, и подавлением наведенной в InAs сверхпроводящей щели.

По материалам статьи: Proximity effect and interface transparency in Al/InAs-nanowire/Al diffusive junctions, A.V Bubis, A.O. Denisov, S.U. Piatrusha et al. Semicond. Sci. Technol. 32 (2017) 094007.

Контакты

Контакты

Телефон:
8(496) 52 219-82
+7 906 095 4402

Факс:
+7(496) 522 8160
8(496) 522 8160

Почтовый адрес:
ИФТТ РАН, Черноголовка, Московская обл., ул.Академика Осипьяна д.2, 142432, Россия

E-mail:
Вебмастер
Ученый секретарь

WWW:
www.issp.ac.ru