24.03.2019 
  

Среда 13 июня 10:00 аудитория КМП

Илья Фёдоров

Емкостная спектроскопия двухслойных электронных систем.

(дипломная работа студента кафедры Физики Твердого Тела МФТИ, 6 курс, научный руководитель д.ф.-м.н. С.И. Дорожкин)

Магнетоемкостным и магнетотранспортным методами выполнены исследования двухслойных электронных систем (ДсЭС) переменной плотности. ДсЭС — это электронная система с двумя заполненными подзонами размерного квантования, чьи центры тяжести волновых функций электронов значительно смещены друг относительно друга. В дипломной работе ДсЭС реализуются в широкой квантовой яме GaAs и двойной квантовой яме GaAs, входящих в состав гетероструктур GaAs/AlGaAs. Все исследованные в дипломной работе образцы имели по два затвора по разные стороны от квантовой ямы.

Реализована модифицированная емкостная методика, состоящая в одновременном измерении двух емкостей между электронной системой и двумя затворами.На основе модифицированной емкостной методики предложен новый способ одновременного определения концентраций носителей в обоих слоях ДсЭС. По сравнению с ранее использовавшимся методом анализа фурье-спектра магнетосопротивления новый способ более прост для интерпретации , а также обладает более высокой точностью. Обнаружено, что при заполнении одной подзоны размерного квантования, соответствующей одному электронному слою в квантовой яме, совпадают величины амплитуд осцилляций нормированных магнетоемкостей, измеренных с разных затворов.

На основании рассмотрения модели электронной системы, расположенной между двумя затворами, получены формулы для квантовых поправок к емкостям, объясняющие наблюдаемое совпадение амплитуд. В случае заполнения двух подзон в ДсЭС при некоторых целочисленных факторах заполнения в одном(«первом») из электронных слоёв ДсЭС наблюдается совпадение минимума одной из магнетоёмкостей и максимума другой магнетоёмкости . В рамках рассмотренной модели электронной системы необходимым условием для объяснения наблюдаемого совпадения является наличие отрицательной сжимаемости в другом(«втором») электронном слое ДсЭС.

Контакты

Контакты

Телефон:
8(496) 52 219-82
+7 906 095 4402

Факс:
+7(496) 522 8160
8(496) 522 8160

Почтовый адрес:
ИФТТ РАН, Черноголовка, Московская обл., ул.Академика Осипьяна д.2, 142432, Россия

E-mail:
Вебмастер
Ученый секретарь

WWW:
www.issp.ac.ru