Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт физики твердого тела Российской академии наук

ENG
23.10.2017  
  


В связи с обновлением программного обеспечения сайт находится на реконструкции (некоторые страницы и сервисы могут быть недоступны)

«Способ получения объемного теллурида кадмия прессованием»

Печать

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов, и может быть использовано в технологии полупроводников,  в том числе, для создания детекторов ионизирующих излучений. Сущность изобретения: нанопорошок теллурида кадмия со средним размером частиц 7-10 нм загружают в пресс-форму и помещают в камеру пресса. Образец нагружают до давления 600-650 МПа при температурах 20-25°С, а затем выдерживают под давлением в течение 10-30 минут. Получают объемный материал, обладающий высокой механической твердостью, составляющей 1200 МПа, что превышает твердость полученных известными способами кристаллов CdTe не менее чем в 2,5 раза.

 
Контакты

Телефон: 8(496) 52 219-82
+7 906 095 4402

Факс: +7(496) 522 8160
8(496) 522 8160

Почтовый адрес:ИФТТ РАН, Черноголовка, Московская обл., ул.Академика Осипьяна д.2, 142432, Россия

E-mail:

WWW:www.issp.ac.ru


  

ОБЪЯВЛЕНИЯ