Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт физики твердого тела Российской академии наук

ENG
21.10.2017  
  
Главная
КОНТАКТЫ
Информация Ученого Совета
ОБЩАЯ ИНФОРМАЦИЯ
Члены РАН
Конференции
Семинары
ЛАБОРАТОРИИ
Распределенный Центр Коллективного Пользования
ОБРАЗОВАНИЕ
БИБЛИОТЕКА
ИННОВАЦИИ
ССЫЛКИ
ЖУРНАЛЫ
НОВОСТИ
АСПИРАНТУРА
МАГИСТРАТУРА
ДИССЕРТАЦИОННЫЙ СОВЕТ
Документы
Службы ИФТТ
Совет молодых ученых
История института
Госконтракты
Карта сайта
Отчеты по НИР
Публикации
Важнейшие научные результаты
Информационный центр ПЕРСТ
Государственное задание
Стипендии им. академика Ю.А.Осипьяна
Итоги конкурсов научно-исследовательских работ ИФТТ РАН
Профком ИФТТ
Закупки


В связи с обновлением программного обеспечения сайт находится на реконструкции (некоторые страницы и сервисы могут быть недоступны)

Кулаковский Владимир Дмитриевич


Кулаковский Владимир Дмитриевич
член-корреспондент РАН,
доктор физ.-мат. наук, профессор

 

Кулаковский В.Д. – физик экспериментатор, работающий в области физики полупроводников. Он является автором и соавтором более 190 опубликованных научных работ в Российских и зарубежных ведущих научных журналах. Работы В.Д. Кулаковского в области физики экситонов и электрон-дырочной плазмы в полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах хорошо известны как в нашей стране, так и за ее пределами. Они получили высокую оценку на многих международных конференциях. В частности, им была

- измерена фазовая диаграмма газ экситонов – электронно-дырочная жидкость в непрямых полупроводниках и исследована зависимость свойств жидкости от кратности вырождения валентной и зоны и зоны проводимости,

- показано, что наличие вырождения зон является необходимым условием для образования стабильных многочастичных экситон-примесных комплексов, не имеющих аналогов  в атомной физике, 

- обнаружены и исследованы свойства экситонных молекул в непрямых полупроводниках кремнии и германии, исследовано взаимодействие спин-поляризованных экситонов в германии.

С конца 80х годов научные интересы В.Д. Кулаковского находятся в области изучения низкоразмерных электрон-дырочных систем в полупроводниковых наноструктурах. В этой области им

- исследованы многочастичные эффекты в плотных заряженной и нейтральной электрон-дырочных магнитоплазмах в квантовых ямах в III-V и II-VI полупроводниковых  гетероструктурах,

- обнаружено существование деэкситонных состояний в нейтральных системах с заполненными уровнями Ландау и исследованы их свойства,

- обнаружены и исследованы связанные магнитоплазмон-фононные моды,

- исследованы структура магнитоэкситонов в квантовых ямах и их взаимодействие в малых и сильных магнитных полях,

- исследованы структура и оптические и спиновые свойства экситонов в квантовых проволоках и точках, эти новые квантовые объекты безусловно будут востребованы в спинтронике.

Параллельно с исследованиями спиновых свойств экстонов в квантовых точках в конце 90-х годов В.Д.Кулаковский начал исследования экситон-фотонного взаимодействия в полупроводниковых микрорезонаторах с квантовыми ямами и квантовыми точками в активной области. За короткое время им были получены значительные результаты. В частности, им было

- исследовано экситон-фотонное взаимодействие в квазинульмерных микрорезонаторах с одиночной квантовой точкой в активной области, впервые реализован режим сильной экситон-фотонной связи в таких микрорезонаторах,

- исследовано взаимодействие экситонов в квантовых точках, расположенных в микрорезонаторах далеко друг от друга, через фотонную моду,

- исследованы  свойства экситонных поляритонов в плоских микрорезонаторах с одной и несколькими квантовыми ямами, обнаружена поляризационная мультистабильность экситонных поляритонов в условиях резонансной накачки,

- выяснен механизм формирования стимулированного параметрического поляритон-поляритонного рассеяния,

- обнаружено мультистабильное поведение, экспериментально реализован неравновесный конденсат экситонных поляритонов, обнаружен эффект Мейсснера  в поляритонном конденсате, помещенном в магнитное поле.

В.Д. Кулаковский является членом программных и представительских комитетов международных конференций по физике полупроводников и электронным свойствам в двумерных системах. В 1988 году В.Д. Кулаковскому была присуждена Государственная премия СССР в области физики. В 2002 году В.Д. Кулаковский получил Рентгеновскую профессорскую премию.

В.Д. Кулаковский является профессором МГУ им. М.В. Ломоносова и МФТИ. Под руководством В.Д. Кулаковского подготовлены 14 кандидатов физико-математических наук, двое из которых к настоящему времени стали докторами физ-мат наук.

Публикации В. Д. Кулаковского с 2001 по 2011 годы.
Контакты

Телефон: 8(496) 52 219-82
+7 906 095 4402

Факс: +7(496) 522 8160
8(496) 522 8160

Почтовый адрес:ИФТТ РАН, Черноголовка, Московская обл., ул.Академика Осипьяна д.2, 142432, Россия

E-mail:

WWW:www.issp.ac.ru


  

ОБЪЯВЛЕНИЯ