Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт физики твердого тела Российской академии наук

ENG
27.05.2016  
  
Главная
КОНТАКТЫ
Информация Ученого Совета
ОБЩАЯ ИНФОРМАЦИЯ
Члены РАН
Конференции
Семинары
ЛАБОРАТОРИИ
Распределенный Центр Коллективного Пользования
ОБРАЗОВАНИЕ
БИБЛИОТЕКА
ИННОВАЦИИ
ССЫЛКИ
ЖУРНАЛЫ
НОВОСТИ
АСПИРАНТУРА
МАГИСТРАТУРА
ДИССЕРТАЦИОННЫЙ СОВЕТ
Документы
Службы ИФТТ
Совет молодых ученых
История института
Госконтракты
Карта сайта
Отчеты по НИР
Публикации
Важнейшие научные результаты
Информационный центр ПЕРСТ
Государственное задание
Стипендии им. академика Ю.А.Осипьяна
Итоги конкурсов научно-исследовательских работ ИФТТ РАН
Профком ИФТТ


Тимофеев Владислав Борисович

Тимофеев Владислав Борисович
доктор физ.-мат. наук
профессор
академик РАН

Тимофеев В.Б.-специалист в области физики полупроводников и твердого тела, автор и соавтор более 200 публикаций, включая 14 обзоров и двух коллективных монографий. Тимофеевым В.Б. исследованы фазовые диаграммы конденсации в металлическую электрон-дырочную жидкость и проанализирована термодинамика неравновесных электрон-дырочных систем в полупроводниках; в неравновесном электрон-дырочном газе обнаружены новые квазичастицы - экситонные молекулы и исследованы их свойства; экспериментально реализован новый квантовый обьект - спин-ориентированный газ экситонов, обнаружено и исследовано его квантовое статистическое поведение. Тимофеевым В.Б. обнаружены гигантские излучательные вероятности экситонно-примесных комплексов в полупроводниках с прямой щелью. В его работах по многоэкситонным комплексам, определена устойчивость комплексов и проведена исчерпывающая классификация их электронных и дырочных термов в соответствии с оболочечным строением. В области оптической спектроскопии высокотемпературных сверхпроводников В.Б.Тимофеевым впервые выполнены исследования неупругого рассеяния света, связанного с надщелевыми возбуждениями в оксидных сверхпроводниках, обнаружена сильная анизотропия рассеяния, обусловленная анизотропией сверхпроводящей щели в этом классе высоко температурных свехпроводников.Все эти работы широко известны и получили мировое признание.

В последние годы Тимофеев В.Б. успешно развивает новое направление, касающееся оптических свойств низкоразмерных полупроводниковых систем. В этой интенсивно развивающейся области им обнаружены эффекты дробного квантования холловского сопротивления в кремниевых полевых транзисторах, предложен и реализован спектроскопический метод измерения кулоновских щелей в режиме дробного квантового эффекта Холла, обнаружена вигнеровская кристаллизация двумерных электронов в одиночном гетеропереходе, исследованы кулоновские корреляционные эффекты в системах с пространственно разделенными электрон-дырочными слоями и в этих системах обнаружена бозе-конденсация пространственно непрямых экситонов. Работы Тимофеева В.Б. заложили оcновы нового направления - магнитооптики низкоразмерных электронных систем в ультраквантовом пределе.

В организованной В.Б.Тимофеевым в 1976 г.лаборатории неравновесных электронных процессов подготовлено с момента основания двадцать кандидатов и семь докторов наук, один из сотрудников избран чл.-корреспондентом РАН. В.Б.Тимофеев продолжает вести успешную преподавательскую работу, являясь профессором Московского физико-технического института (г.Долгопрудный).

Тимофеев В.Б. - председатель Научного Совета ООФА РАН по "Физике полупроводников", член бюро комиссии по спектроскопии ООФА, член Бюро Отделения физических наук РАН, член Президиума научного центра РАН в Черноголовке, член международной Комиссси по физике полупроводников IUPAP, член редакционных коллегий ряда отечественных и международных научных журналов. Тимофеев В.Б. лауреат Государственной премии СССР и международной Гумбольдтовской премии, имеет правительственные награды.

Список публикаций В. Б. Тимофеева (с 1991 г.)
Контакты

Телефон: 8(496) 52 219-82
+7 906 095 4402

Факс: +7(496) 522 8160
8(496) 522 8160

Почтовый адрес:ИФТТ РАН, Черноголовка, Московская обл., ул.Академика Осипьяна д.2, 142432, Россия

E-mail:

WWW:www.issp.ac.ru