Главная Сотрудники Публикации English

 

 


Лаборатория квантового транспорта ИФТТ РАН

 

Заведующий лабораторией -
д.ф.-м.н. Шашкин Александр Александрович
тел.: +7-496-522-29-46, e-mail: shashkin@issp.ac.ru

Лаборатория основана в 1988 году. Научные интересы сотрудников лаборатории сосредоточены в основном в области исследования транспортных свойств никоразмерных полупроводниковых структур при сверхнизких температурах (до 30 мК) в квантующих магнитных полях (до 16 Тл).

Основные направления работы лаборатории:

  • 1. Исследование влияния сильного электрон-электронного взаимодействия на одночастичный спектр и фазовые переходы в системах пониженной размерности. Планируется исследование электронных систем с сильным взаимодействием и самого взаимодействия в этих системах. Выяснение роли беспорядка в фазовых переходах и электронных свойствах систем пониженной размерности. Исследование устойчивости фаз по отношению к параметрам, определяющим поведение систем пониженной размерности.
  • 2. Исследование транспорта носителей заряда в гибридных структурах, включающих в себя топологически нетривиальную электронную систему и металл с макроскопическим параметром порядка. Планируется исследовать транспорт через SN-интерфейс с Вейлевским полуметаллом. В случае Вейлевского полуметалла, который является примером сильно коррелированной системы, предсказано, что эффект близости со сверхпроводником приводит к зеркальному Андреевскому отражению на интерфейсе, или к возникновению сверхпроводящей корреляции в полуметалле.
  • 3. Исследование локального электронного транспорта в одномерных системах с использованием методики сканирующего затвора, роль которого исполняет заряженное острие атомно-силового микроскопа. Планируется проведение исследований устойчивости обнаруженной в InAs модуляции зарядовой плотности в области высоких магнитных полей. Будут исследованы особенности магнитотранспорта ультракоротких проволок InAs со сверхпроводящими контактами в присутствии магнитного зонда атомно-силового микроскопа. При помощи АСМ-манипулятора планируется изготовление образцов с использованием проволок InAs, имеющих различный уровень допирования, а также исследование магнитотранспорта в этих образцах.

Сотрудники лаборатории

Публикации лаборатории

 
Copyright © 2005-2018 ЛКТ ИФТТ РАН