Авторы разработки: Н. Н. Колесников, М. П. Кулаков, ИФТТ РАН, Черноголовка, Московской обл., тел. 7-(096)-52-22074, E-mail: nkolesn@issp.ac.ru
Универсальная технология выращивания II-VI соединений из расплава методом вертикальной зонной плавки под высоким давлением предназначена для получения кристаллов бинарных (ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe) и тройных (например, CdZnTe, CdZnSe) халькогенидов цинка и кадмия.
 | |
 |
 |
| CdTe: монокристалл, подложки и заготовки электрооптических модуляторов | ZnTe: окно и две заготовки электрооптических модуляторов |
| |
 |
 |
| Поликристаллическая лента ZnSe, выращенная из расплава, и линза из такой ленты | Кристалл CdZnSe |
Технология разработана в лаборатории физико-химических основ
кристаллизации Института физики твердого тела РАН в 1995-2002 гг.
Области применения изделий из кристаллов: инфракрасная техника, акусто- и оптоэлектроника.
Технология позволяет выращивать кристаллы, пригодные для изготовления проходной, выводящей и фокусирующей оптики мощных CO2-лазеров (ZnSe, CdSe), электрооптических модуляторов (CdTe, ZnSe, ZnTe), эмиттеров и детекторов ТГц-диапазона (ZnTe), расщепителей пучка, поляризаторов и четвертьволновых пластин (CdSe, CdS), детекторов ионизирующих излучений с энергиями от 1 кэВ до 10 МэВ (Cd1-xZnxTe, CdTe).
Разработка технологии осуществлялась при поддержке Sandia National Laboratories и Brookhaven National Laboratory (США) и частично финансировалась из средств программы DOE "Initiatives for proliferation prevention".
Подробная информация об оборудовании, технологии и свойствах выращиваемых кристаллов размещена на сайтах http://www.sttic.com.ru и http://www.issp.ac.ru/lpcbc/ .
Области применения изделий из кристаллов: инфракрасная техника, акусто- и оптоэлектроника.
Технология позволяет выращивать кристаллы, пригодные для изготовления проходной, выводящей и фокусирующей оптики мощных CO2-лазеров (ZnSe, CdSe), электрооптических модуляторов (CdTe, ZnSe, ZnTe), эмиттеров и детекторов ТГц-диапазона (ZnTe), расщепителей пучка, поляризаторов и четвертьволновых пластин (CdSe, CdS), детекторов ионизирующих излучений с энергиями от 1 кэВ до 10 МэВ (Cd1-xZnxTe, CdTe).
Разработка технологии осуществлялась при поддержке Sandia National Laboratories и Brookhaven National Laboratory (США) и частично финансировалась из средств программы DOE "Initiatives for proliferation prevention".
Подробная информация об оборудовании, технологии и свойствах выращиваемых кристаллов размещена на сайтах http://www.sttic.com.ru и http://www.issp.ac.ru/lpcbc/ .