Патент РФ на изобретение № 2773320 «Способ непрерывного выращивания полупроводниковых пленок алмаза»Авторы: Брантов С.К.
Приоритет: 27.12.21
Зарегистрирован: 01.06.22
|
|
 | ||||
 |
|
15.05.2024 | ||
| ||||
| ||||
| ||||
Будем признательны за отзыв о нашем институте! Ваше мнение формирует официальный рейтинг организации:  Анкета доступна по QR-коду, а также по прямой ссылке: https://bus.gov.ru/qrcode/rate/359057 |
Способ непрерывного выращивания полупроводниковых пленок алмазаПатент РФ на изобретение № 2773320 «Способ непрерывного выращивания полупроводниковых пленок алмаза»Авторы: Брантов С.К. Приоритет: 27.12.21 Зарегистрирован: 01.06.22 |
| ISSP RAS © 2004 - 2023 All rights reserved. Powered by Joomla Open Source. |