Патент РФ на изобретение № 2780375 «Способ выращивания легированных бором полупроводниковых пленок алмаза»Авторы: Брантов С.К.
Приоритет: 15.11.21
Зарегистрирован: 22.09.22
|
|
 | ||||
 |
|
15.05.2024 | ||
| ||||
| ||||
| ||||
Будем признательны за отзыв о нашем институте! Ваше мнение формирует официальный рейтинг организации:  Анкета доступна по QR-коду, а также по прямой ссылке: https://bus.gov.ru/qrcode/rate/359057 |
Способ выращивания легированных бором полупроводниковых пленок алмазаПатент РФ на изобретение № 2780375 «Способ выращивания легированных бором полупроводниковых пленок алмаза»Авторы: Брантов С.К. Приоритет: 15.11.21 Зарегистрирован: 22.09.22 |
| ISSP RAS © 2004 - 2023 All rights reserved. Powered by Joomla Open Source. |