.
02.05.2024 
  
Будем признательны за отзыв о нашем институте!
Ваше мнение формирует официальный рейтинг организации:

Анкета доступна по QR-коду, а также по прямой ссылке:
https://bus.gov.ru/qrcode/rate/359057

в Лабораторию неравновесных электронных процессов:

- специалиста в области магнитооптических исследований сильновзаимодействующих двумерных электронных систем – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

- специалиста в области микроволновой спектроскопии новых полупроводниковых структур (AlAs/AlGaAs, ZnO/MgZnO, GaN) посредством транспортной, копланарной и оптической методик – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию структурных исследований:

- специалиста в области исследования атомной структуры и магнитных свойств аморфных и нанокристаллических материалов – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию спектроскопии дефектных структур:

- специалиста в области синтеза и изучения функциональных характеристик твердых электролитов на базе семейства стабилизированного диоксида циркония для твердооксидных топливных элементов – 0.5 ставки, 1 вакансия на срок завершения гранта РНФ 17-79-30071П;

С победителями конкурса будут заключены срочные трудовые договоры. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:00 10.09.2021г.