.
03.10.2024 
  
Будем признательны за отзыв о нашем институте!
Ваше мнение формирует официальный рейтинг организации:

Анкета доступна по QR-коду, а также по прямой ссылке:
https://bus.gov.ru/qrcode/rate/359057

в Лабораторию новых функциональных материалов и структур:
- специалиста в области создания и исследования новых функциональных материалов и гибридных структур - 0.5 ставки, 10 вакансий сроком на 2 года;

в Лабораторию физики высоких давлений:
- специалиста в области исследования методом спектроскопии комбинационного рассеяния света ферритов La1-xSrxFeO3-δ при нормальном и высоком давлении - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

в Лабораторию квантовых кристаллов:
- специалиста в области исследования гетероструктур ферромагнетик с сильной спин-орбитальной связью - сверхпроводник – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
- специалиста в области исследования фотоэлектрических и электромеханических процессов в биоматериалах – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

в Сектор элементного и структурного анализа:
- специалиста в области исследования низкоразмерных органических проводников, их структуры и проводящих свойств – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

в Лабораторию материаловедения:
- специалиста в области исследования структуры и механических свойств сплавов на основе ниобия с карбидным упрочнением – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

в Лабораторию поверхностей раздела в металлах:
- специалиста в области исследования особенностей структурообразования при высоких температурах в слаболегированных магниевых сплавах – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

в Лабораторию водородной энергетики:
- специалиста в области исследования процессов в ТОТЭ анодподдерживающей конструкции – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

в Лабораторию неравновесных электронных процессов:
- специалиста в области исследования коллективных возбуждений в двумерных экситон-поляритонных системах в сильном электромагнитном поле - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
- специалиста в области исследования гетероструктур с монослоями дихалькогенидов переходных металлов - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
- специалиста в области исследования сильно коррелированных электронных систем - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

в Лабораторию сверхпроводимости:
- специалиста в области экспериментальных исследований прототипа сверхпроводящего гаусс-нейрона – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

в Лабораторию электронной кинетики:
- специалиста в области исследований неравновесного транспорта и шума в металлических структурах – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

в Лабораторию профилированных кристаллов:
- специалиста в области оптического исследования материалов с использованием сапфировых криоаппликаторов – полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;
- специалиста в области модифицирования керамоматричных композиционных материалов на основе карбида кремния – полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;

С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.