16-го февраля 2026 года в конференц-зале ИФТТ РАН состоялось традиционное заседание Ученого совета Института, посвященное 63-летию ИФТТ РАН. Программа заседания включала ежегодный доклад директора ИФТТ РАН, члена-корреспондента РАН А.А. Левченко о деятельности Института за 2025 год и утверждение итогов конкурса на соискание стипендий имени Ю.А. Осипьяна в 2026 году.
Открывая заседание, Александр Алексеевич отметил, что 15 февраля 2026 года исполнилось 63 года ИФТТ РАН и 95 лет со дня рождения одного из организаторов Института – академика Юрия Андреевича Осипьяна. В 2025 году в ИФТТ РАН был открыт мемориальный кабинет академика Ю.А. Осипьяна. В преддверии 15-го февраля по традиции состоялся конкурс научных работ молодых ученых на соискание стипендии им. Ю.А. Осипьяна. После утверждения итогов конкурса Ученым советом победителям в торжественной обстановке были вручены Дипломы стипендиатов. Победителями конкурса 2026 года стали: Джикирба Кирилл Романович, представивший работу «Исследование плазменных возбуждений в тонких сверхпроводящих пленках»; Никонов Владислав Дмитриевич – за работу «Исследование процесса электрохимического осаждения оксидных покрытий» и Соколова Маргарита Станиславовна – за работу «Управление дисперсией и локализацией электромагнитных полей в слоистых плазменных кристаллах терагерцового частотного диапазона».
В ходе ежегодного отчетного доклада А.А. Левченко вручил сотрудникам Института премии имени Ю.А. Осипьяна и премии имени Г.В. Курдюмова. Премия имени Ю.А. Осипьяна присуждается решением Ученого совета ИФТТ РАН за научные достижения в области физики конденсированного состояния, а премия имени Г.В. Курдюмова – за научные достижения в области физического материаловедения. Лауреатом премии имени Ю.А. Осипьяна в 2026 году стал ведущий научный сотрудник к.ф.-м.н. В.М. Эдельштейн за выдающийся вклад в теорию эффектов спин-орбитального взаимодействия в физике нормальных и сверхпроводящих металлов.
Премия имени Г.В. Курдюмова в 2026 году присуждена главному научному сотруднику, д.ф.-м.н., профессору В.Е. Антонову за выдающийся вклад в физику высоких давлений.
Следуя традициям, Александр Алексеевич представил собравшимся Почетного члена ИФТТ РАН, избранного Ученым советом Института в 2026 году. Им стал директор Физико-технического института имени А.Ф. Иоффе РАН, член-корреспондент РАН С.В. Иванов – один из ведущих экспертов в области технологии молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых наногетероструктур и исследования их разнообразных физических свойств.
Подводя итоги деятельности Института за 2025 год, А.А. Левченко представил научные достижения сотрудников, отметил хорошую работу инженерно-технических служб и административно-управленческих подразделений, а также обозначил задачи на 2026 год.
