в Лабораторию новых функциональных материалов и структур:
- специалистов в области создания и исследования новых функциональных материалов и гибридных структур: 0.5 ставки, 12 вакансий сроком на 2 года;
в Лабораторию водородной энергетики:
- специалистов по разработке и исследованию твердооксидных топливных элементов - 0.5 ставки, 2 вакансии сроком на 4 года;
- специалиста в области синтеза и исследования физико-химических свойств материалов для электродов твердооксидных топливных элементов и электролизеров - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;
- специалиста в области исследования переноса заряда в оксидах с двумя электроактивными катионами - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;
- специалиста по разработке систем управления и силовой электроники для устройств водородной энергетики - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;
в Лабораторию неравновесных электронных процессов:
- специалиста в области разработки датчиков мощности – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
- специалиста в области разработки полупроводникового амплитудного модулятора терагерцового излучения – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
- специалистов в области исследований неравновесных электронных процессов – 0.5 ставки, 3 вакансии сроком на 4 года;
в Лабораторию поверхностного деформационного структурирования:
- специалиста в области исследования электронной структуры низкоразмерных фаз Шевреля - халькогенидов молибдена – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
в Лабораторию квантовых кристаллов:
- специалиста в области исследования трехмерных жидкокристаллических фотонных кристаллов с перестраиваемыми характеристиками – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
- специалиста в области исследования топологических переходов в нематических жидких кристаллах - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;
в Лабораторию профилированных кристаллов:
- специалиста в области исследования терагерцовых оптических материалов на основе полых наночастиц SiO2 – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
- специалиста в области исследования диэлектрических характеристик рассеивающих и сильно поглощающих сред в терагерцовом диапазоне - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;
в Лабораторию квантового транспорта:
- специалиста в области исследования транспортных свойств топологических полуметаллов в режиме сверхпроводящего эффекта близости - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;
в Лабораторию сверхпроводимости:
- специалиста в области экспериментального исследования прототипов сверхпроводящих нейронов – полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;
С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.