Лаборатория спектроскопии поверхности полупроводников


A.B., Murphy, B.E., Bozhko, S.I., Arora, S.K., Shvets, I.V.

Self-assembly of Fe nanocluster arrays on templated surfaces. Journal of Applied Physics 111 (7) , art. no. 07B515 .


Orlova, N.N., Aronin, A.S., Bozhko, S.I., Kabanov, Yu.P., Gornakov, V.S.

Magnetic structure and magnetization process of the glass-coated Fe-based amorphous microwire. Journal of Applied Physics 111 (7) , art. no. 073906.


Strukova, G.K., Strukov G.V., Bozhko, S.I., Kabanov, Yu.P., Shmytko, I.M., Mazilkin, A.A, Sobolev, N.A, (...), Tagirov, L.R.

Structure and magnetic properties of nanostructured Pd-Fe thin films produced by pulse electrodeposition. Journal of Nanoscience 1 and Nanotechnology 11 (10) , pp. 8907-8911.


Bozhko, S.I., Krasnikov, S.A., LUbben, O., Murphy, B.E., Radican, K., Semenov, V.N., Wu, H.C., (...), Shvets, I.V.

Rotational transitions in a C 60 monolayer on the WO 2/W(110) surface. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 84 (19) , art. no. 195412.


Chaika, A.N., Nazin, S.S., Semeno, V.N., Glebovskiy, V.G., Bozhko, S.I., LUbben, O., Krasnikov, S.A, (...), Shvets, I.V.

Application of single crystalline tungsten for fabrication of high resolution STM probes with controlled structure. Russian Metallurgy (Metally) 2011 (7) , pp. 603-609.


Bozhko, S., Semenov, V.

Atomic force microscopy study of Mo (110) surface topology after high temperature homoepitaxy. Materials Letters 65 (8) , pp. 1194-1196 .


Krasnikov, S.A, Bozhko, S.I., Radican, K., LUbben, O., Murphy, B.E., Vadapoo, S.-R., Wu, H.-C., (...), Shvets, I.V.

Self-assembly and ordering of C 60 on the WO 2/W(110) surface. Nano Research 4 (2) , pp. 194-203.


Borisenko, E.B., Kolesnikov, N.N., Borisenko, D.N., Bozhko, S.I.

Microhardness and structural defects of GaSe layered semiconductor. Journal of Crystal Growth 316 (1) , pp. 20-24.


Kononenko, O.V., Bozhko, S.I., Matveev, V.N., Volkov, V.T., Knyazev, M.A., Il'in, A.I., Matveev, D.V., (...), Khodos, I.I.

Electrical properties of Pd-contacted single-walled carbon nanotubes: A scanning probe microscopy study. Materials Research Society Symposium Proceedings 1258 , pp. 289-294.


Chaika, A.N., Nazin, S.S., Semenov, V.N., Bozhko, S.I., LUbben, O., Krasnikov, S.A, Radican, K., Shvets, I.V.

Selecting the tip electron orbital for scanning tunneling microscopy imaging with sub-angstrom lateral resolution. Europhysics Letters 92 (4) , art. no. 46003.


Radican, K., Bozhko, S.I., Vadapoo, S.R., Ulucan, S., Wu, H.C., McCoy, A., Shvets, I.V.

Oxidation of W(110) studied by LEED and STM. Surface Science 604 (19-20) , pp. 1548-1551.


Radican, K., Bozhko, S.I., Vadapoo, S.R., Ulucan, S., Wu, H.C., McCoy, A., Shvets, I.V.

Surface morphology of c-plane sapphire (a-alumina) produced by high temperature anneal. Surface Science 604 (15-16) , pp. 1294-1299.


Fokin, D.A., Bozhko, S.I., Dubost, V., Debontridder, F., Ionov, A.M., Cren, T., Roditchev, D.

Electronic growth of Pb on the vicinal Si surface. Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 7 (2) , pp. 165-168.


Kononenko, O.V., Matveev, V.N., Kasumov, Y.A, Khodos, I.I., Matveev, D.V., Bozhko, S.I., Volkov, V.T., (...), Il'Yun, A.I.

Selective growth of single-wall carbon nanotubes and the fabrication of devices on their basis. Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics 74 (7) , pp. 991-993.


Belogorokhov, A.I., Bozhko, S.I., Ionov, A.M., Chaika, A.N., Trofimov, S.A., Rumyantseva, V.D., Vyalikh, D.

Synthesis of platinum metalloporphyrins and investigation of their electronic structure by photoelectron spectroscopy. Journal of Surface Investigation 3 (6) , pp. 912-916.


Chaika, A.N., Semenov, V.N., Glebovskiy, V.G., Bozhko, S.I.

Scanning tunneling microscopy with single crystalline W[001] tips: High resolution studies of Si (557) 5x5 surface. Applied Physics Letters 95 (17) , art. no. 173107.


Kolesnikov, N.N., Borisenko, E.B., Borisenko, D.N., Bozhko, S.I.

Fractal structure formation in GaSe crystals grown from melt. Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics 73 (9) , pp. 1290-1292 .


Strukov, G.V., Strukova, G.K., Shoo, E.D., Bozhko, S.I., Kabanov, Yu.P.

An experimental setup for obtaining metallic multilayer coatings with layers of nanometer thickness. Instruments and Experimental Techniques 52 (5) , pp. 727-730.


Chaika, A.N., Fokin, D.A., Bozhko, S.I., Ionov, A.M., Debontridder, F., Dubost, V., Cren, T., Roditchev, D.

Regular step systems on clean Si(hhm)7 x 7 surfaces. Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics 73 (5) , pp. 676-678.


Belogorokhov, A.I., Bozhko, S.I., Chaika, A.N., Ionov, A.M., Trophimov, S.A., Rumiantseva, V.D., Vyalikh, D.

Electronic structure and self-assembling processes in platinum metalloporphyrins: Photoemission and AFM studies. Applied Physics A: Materials Science and Processing 94 (3) , pp. 473-476.


Chaika, A.N., Fokin, D.A., Bozhko, S.I., Ionov, A.M., Debontridder, F., Cren, T., Roditchev, D.

Atomic structure of a regular Si(2 2 3) triple step staircase. Surface Science 603 (5) 2, pp. 752-761.


Klassen, N.V., Kedrov, V.V., Ossipyan, Y.A., Shmurak, S.Z., Shmytnko, I.M., Krivko, O.A., Kudrenko, E.A.,(...), Bozhko, S.I.

Nanoscintillators for microscopic diagnostics of biological and medical objects and medical therapy. IEEE Transactions on Nanobioscience 8 (1) , art. no. 4801970 , pp. 20-32.


Chaika, A.N., Fokin, D.A., Bozhko, SI., Ionov, A.M., Debontridder, F., Dubost, V., Cren, T., Roditchev, D.

Regular stepped structures on clean Si (hhm) 7x7 surfaces. Journal of Applied Physics 105 (3) , art. no. 034304.


Bozhko, S.I., Glebovsky, V.G., Semenov, V.N., Smirnova, I.

Fractal structures of dendrites in GaSe crystals. 2008 Journal of Crystal Growth 311 (1) , pp. 1-6.


Chaika, A.N., Nazin, S.S., Bozhko, S.I.

Selective STM imaging of oxygen-induced Cu(1 1 5) surface reconstructions with tungsten probes. Surface Science 602 (12) , pp. 2078-2088.


Bozhko, S.I., Glebovsky, V.G., Semenov, V.N., Smirnova, I.

Fractal structures of dendrites in GaSe crystals. Journal of Crystal Growth 311 (1) , pp. 1-6.


Тимофеев А.В., Помозов Д.И., Маккавеев А.П.

О структуре открытого классического канала связи в квантовой криптографии: коррекция ошибок, целостность и аутентичность. ЖЭТФ 131 (2007) 771-789.


Кулик С.П., Молотков С.Н., Маккавеев А.П.

Комбинированный фазово-временной метод кодирования в квантовой криптографии . Письма в ЖЭТФ 85 (2007) 354-359.


С. Н. Молотков, Д. И. Помозов

Что принципиально нового дает специальная теория относительности для квантовой криптографии в открытом пространстве? Письма в ЖЭТФ 85 (2007) 569.


С. Н. Молотков, А. В. Тимофеев

Явная атака на ключ в квантовой криптографии (протокол BB84), достигающая теоретического предела ошибки Qc~11% . Письма в ЖЭТФ 85 (2007) 632.


A.N.Chaika, S.I.Bozhko, A.M.Ionov, A.N.Myagkov, N.V.Abrosimov

STM and LEED studies of the atomically ordered terraced Si(557) surfaces. Semiconductors, 2007, Vol. 41, No. 4, pp. 431-435.


A. N. Chaika, V. N. Semenov, S. S. Nazin, S. I. Bozhko, S. Murphy, K. Radican, and I.V. Shvets

Atomic Row Doubling in the STM Images of Cu(014)-O Obtained with MnNi Tips. Phys. Rev. Letters 98 (2007) 206101.


V.Yu. Aristov, O.V. Molodtsova, V.M. Zhilin, Yu.A. Ossipyan, D.V. Vyalikh, B.P. Doyle, S. Nannarone, and M. Knupfer

Eur. Phys. J. B 57, 379-384 (2007).


M. D'angelo, V. Yu. Aristov, and P. Soukiassian

Selective silver atom interaction at b-SiC(100) surfaces: From anisotropic diffusion to metal atomic wires and stripes, Phys. Rev. B 76, 045304 (2007).


M. D'angelo, V. Yu. Aristov, P. Soukiassian, C. Crotti and P. Perfetti

Atomic Structure, Growth and Initial Interface Formation of Ag on the b-SiC(001)c(4x2) Surface Reconstruction, in preparation.


Guy Le Lay, Victor Aristov and Alexander Chaika

New prospects for the pre-eminent semiconductor: surface metallicity by cooling, in preparation.


M. D'angelo, H. Enriquez, M.G. Silly, V. Derycke, V. Yu. Aristov, P. Soukiassian, F. Amy, Y. Chabal, M. Pedio and P. Perfetti

Hydrogen Interaction with the b-SiC(100) 3x2 Surface and Sub-Surface, in preparation.



О некоторых консервативных оценках в квантовой криптографии. ЖЭТФ 130 (2006) 228-238.


O.V. Molodtsova, V.Yu. Aristov, V.M. Zhilin, D.V. Vyalikh, M. Knupfer

Potassium doped CuPc: electronic and atomic structure formation . J. Physique IV France 132 (2006) 121-125.


V.Yu. Aristov, O.V. Molodtsova, V.M. Zhilin, D.V. Vyalikh, M. Knupfer

Characterisation of metal-organic semiconductor interfaces: In and Sn on CuPc . J. Physique IV France 132 (2006) 101-104.


J. Roy, V.Yu. Aristov, C. Radtke, P. Jaffrennou, H. Enriquez, P. Soukiassian, P. Moras, C. Spezzani, C. Crotti, and P. Perfetti

Semiconductor Surface Metallization Using Deuterium: D/3C-SiC(100) 3x2, Appl. Phys. Lett. 89, 042114 (2006).


V.Yu. Aristov, O.V. Molodtsova, M. Knupfer, V.M. Zhilin, Yu.A. Ossipyan, D.V. Vyalikh, B.P. Doyle, S. Nannarone

Highlights 2005-2006 (2006) 81, Elettra (Italy).

H. Enriquez, V.Yu. Aristov, C. Radtke, J. Roy and P. Soukiassian, C. Crotti, P. Moras, C. Spezzani and P. Perfetti

Highlights 2005-2006 (2006) 50, Elettra (Italy).

О.Б.Боднарь, И.М.Аристова, А.А.Мазилкин, Л.Н.Пронина, А.Н.Чайка, П.Ю.Попов

Неразрушающие методы определения диффузионных параметров азота в вольфраме. ФТТ 48 (2006) 12-16.


S.I. Bozhko, A.N. Chaika, A.M. Ionov, S.L. Molodtsov, D.V. Vyalikh, V.D.P. Servedio

Photoemission experiments and density functional calculations for the W(112) stepped surface with submonolayer Au coverages. Surface Science 600 (2006) 249-256.


V. N. Matveev, V. I. Levashov, O. V. Kononenko, and A. N. Chaika

Size Effect Relating to the Extraordinary and the Ordinary Hall Effect in Ultrathin Fe-Pt Films. Microelectronics (in Russian), 2006, v.35, №6, p. 392.


С.Н.Молотков, А.П.Маккавеев, Д.И.Помозов, А.В.Тимофеев

О практических методах "чистки" ключей в квантовой криптографии. ЖЭТФ 128 (2005) 263-291.



О предельно допустимой ошибке и степени сжатия ключа в квантовой криптографии на двух неортогональных состояниях. Письма в ЖЭТФ, 81, N11, (2005) 733-738.


С.Н.Молотков, А.В.Тимофеев

О каскадном методе коррекции ошибок в квантовой криптографии, сохраняющем конфиденциальность. Письма в ЖЭТФ, Т.82, N 12 (2005) 868-873.


A.N. Chaika, A.M. Ionov, N.A. Tulina, D.A. Shulyatev, Ya.M. Mukovskii

Degradation of La0.8Ca0.2MnO3 single crystal surface: Electron spectroscopy studies. J. of El. Spectr. and Rel. Phen. 148 (2005) 101-106.


A.M. Shikin, A. Varykhalov, V. K. Adamchuk, A. Ionov, S. N. Bozko, W. Gudat, and O. Rader

Quantum-well states and lateral superlattice effect in Ag and Au stripes on stepped W(145) . J. El. Spectr. and Relat. Phenom. 144-147, 341 (2005).


O.B.Bodnar, I.M.Aristova, A.A.Mazilkin, A.N.Chaika, L.N.Pronina

Non-destructive method of diffusion parameter determination in solids. Defect and diffusion forum 237-240 (2005) 438-443.


А.Н.Чайка, С.И.Божко

Атомная структура поверхности Cu(410)-O: визуализация атомов кислорода и меди с помощью СТМ. Письма в ЖЭТФ 2005, т.82, вып.7, с.467-472.


O.V. Molodtsova, , V.M. Zhilin, D.V. Vyalikh, V.Yu. Aristov , M. Knupfer

Electronic properties of potassium-doped CuPc . J. Appl. Phys., 98, 093702 (2005).


Patrick Soukiassian, Vincent Derycke, Fabrice Semond, Victor Yu. Aristov

Atomic scale engineering of nanostructures at silicon carbide surfaces. Microelectronics Journal, 36 (2005) 969.


V. Yu. Aristov, O. V. Molodtsova, V. M. Zhilin, D. V. Vyalikh, and M. Knupfer

Chemistry and electronic properties of a metal-organic semiconductor interface: In on CuPc. Phys. Rev. B B 72, 165318 (2005).


С.Н.Молотков, А.П.Маккавеев, Д.И.Помозов

О простой оценке критической длины квантового канала связи с затуханием для квантовой криптографии на когерентных состояниях. Письма в ЖЭТФ 79 (2004) 624-629.



О скорости передачи классической информации по квантовым каналам связи. ЖЭТФ 125 (2004) 423-440.



К вопросу об обосновании квантовой криптографии на временных сдвигах. Письма в ЖЭТФ 79 (2004) 576-582.



О коллективной атаке на ключ в квантовой криптографии на двух неортогональных состояниях. Письма в ЖЭТФ 80 (2004) 639-644.



Мультиплексная квантовая криптография с временным кодированием без интерферометров. Письма в ЖЭТФ 79 (2004) 554-559.



Об интегрировании квантовых систем засекреченной связи (квантовой криптографии) в оптоволоконные телекоммуникационные системы. Письма в ЖЭТФ 79 (2004) 691-704.



Квантовая криптография на многофотонных состояниях для свободного пространства: о передаче секретных ключей на спутники. ЖЭТФ 126 (2004) 1-28.


S.I. Bozhko, A.N. Chaika, G.A. Emelchenko, V.M. Masalov, A.M. Ionov, A.N. Gruzintsev, G.M. Mikhailov, B.K. Medvedev

Mono- and multilayered opalline superlattices: application to nanotechnology of 2D ordered array of nanoobjects and 3D metalattices. Applied Surface Science 234 (2004) 93-101.


V. A. Grazhulis and A. M. Ionov

Electron Spectroscopy Studies of Gas Interaction with YBa2Cu3O7-x Thin Film. Crystallography Reports, Vol. 49, Suppl. 1, 2004, pp. S104-S108.


С. И. Божко, И. Г. Науменко, Э. Н. Самаров, В. М. Масалов, Г. А. Емельченко, А. М. Ионов, Д. А. Фокин

Формирование двумерных упорядоченных магнитных нанорешеток в опаловых структурах. Письма в ЖЭТФ 80 (№7) (2004) 569-571


С.И.Божко, А.М.Ионов, А.Н.Чайка, Д.Вялых, С.Л.Молодцов, В.Д.Серведио

Исследование чистой и декорированной золотом поверхности W(112) методом фотоэлектронной спектроскопии. Поверхность, 2004, N10, с.123-130.


L.V.Yashina, E.V.Tikhonov, V.S.Neudachina, T.S.Zyubina, A.N.Chaika, V.I.Shtanov, S.P.Kobeleva, and Yu.A.Dobrovolsky

The oxidation of PbTe(100) surface in dry oxygen. Surface and Interface Analysis 36 (2004) 993-996.


V. Yu. Aristov, P. Soukiassian, A. Catellani, R. Di Felice, G. Galli

Experimental and theoretical electronic structure determination of the b-SiC(001)c(4x2) surface reconstruction. Phys. Rev. B 69 (2004) 245326(9).


M. D'Angelo, H. Enriquez, M.G. Silly, V. Derycke, V.Yu. Aristov, P. Soukiassian, C. Ottavianni, M. Pedio, P. Perfetti

H-Induced Si-Rich 3C-Si(100) 3x2 Surface Metallization. Materials Science Forum 457-460 (2004) 399.



Новый подход к безусловной секретности релятивисткой квантовой криптографии. ЖЭТФ 124 (2003) 1172-1196.



О кодировании в параллельном квантовом канале. Письма в ЖЭТФ 77 (2003) 51-56.



Простая схема квантовой криптографии на задержках на базе оптоволоконных интерферометров Маха-Цандера. Письма в ЖЭТФ 78 (2003) 194-200.



Экспериментальная схема квантовой криптографии на неортогональных состояниях с временным сдвигом и минимальным числом оптических компонентов. Письма в ЖЭТФ 78 (2003) 1156-1161.



О кодировании квантового источника состояний с конечной частотной полосой: квантовый аналог теоремы Котельникова об отсчетах. Письма в ЖЭТФ 78 (2003) 1087-1092 .


A.M.Ionov, Ya.M.Mukovskii, S.Danzenbacher, S.L.Molodtsov, C.Laubschat

Resonant photoemission studies of Chevrel phases system: LaMo6Se8, Ce0.5Sn0.5Mo6S8, EuMo6S8. Phys. Low-Dim. Struct. 7/8 (2003) 115-124.

M. D'angelo, H. Enriquez, V.Yu. Aristov, P. Soukiassian, G. Renaud, A. Barbier, M. Noblet, S. Chiang and F. Semond

Atomic structure determination of the Si-rich b-SiC(001) 3x2 surface by grazing-incidence X-ray diffraction: a stress-driven reconstruction. Phys. Rev. B 68, 165321 (2003).


N. Rodriguez, M. D'angelo, V.Yu. Aristov and P. Soukiassian

Ag growth on 3C-SiC(001)c(2x2) C-terminated and c(4x2) Si-terminated surfaces. Trans Tech Publication, Materials Science Forum 433, 587 (2003).


H. Enriquez, M. D'angelo, V.Yu. Aristov, V. Derycke, P. Soukiassian, G. Renaud, A. Barbier, S. Chiang, F. Semond

Silicon carbide surface structure investigated by synchrotron radiation-based x-ray diffraction. J. Vac. Sci. Technol. B: Microelectronics and Nanometer Structures 21 (2003) 1881.


С.Н.Молотков, С.С.Назин

О релятивистских ограничениях на различимость ортогональных квантовых состояний. ЖЭТФ 121 (2002) 1261-1269.



О предельной скорости генерации секретного ключа в квантовой криптографии в пространстве-време. Письма в ЖЭТФ 75 (2002) 617-623.



Релятивистская квантовая криптография на остановленных фотонах. Письма в ЖЭТФ 76 (2002) 79-85.



О пропускной способности последовательности релятивистского квантового канала связи с ограниченным временем наблюдения. Письма в ЖЭТФ 76 (2002) 683-689.


N.A. Tulina, A.M. Ionov, A.N. Chaika

Reversible electrical switching at the Bi2Sr2CaCu2O8+y surface in the normal metal - Bi2Sr2CaCu2O8+y single crystal heterojunction. Physica C 366/1 (2002) 23-30.


С.Н.Молотков, С.С.Назин

Простое доказательство безусловной секретности релятивистской квантовой криптографии. ЖЭТФ 119 (2001) 1001-1010.


С.Н.Молотков, С.С.Назин

Релятивистские квантовые протоколы: "Bit commitment" и "Coin Tossing". ЖЭТФ 120 (2001) 1004-1026.



О лоренц-инвариантном соотношении неопределенностей энергия-время для релятивистского фотона. Письма в ЖЭТФ 74 (2001) 477-482.


С.Н.Молотков, С.С.Назин

Роль причинности в обеспечении секретности релятивистской квантовой криптографии. Письма в ЖЭТФ 73 (2001) 767-771.


С.Н.Молотков, С.С.Назин

Квантовая привязка к биту в канале с шумом. Письма в ЖЭТФ 73 (2001) 114-120.



Об эффективности ЭПР пов-торителей для квантовой криптографии в канале с затуханием. Письма в ЖЭТФ 74 (2001) 580-585 .


S.A.Gorovikov, A.M.Shikin, G.V.Prudnikova, V.K.Adamchuk, S.L.Molodtsov, C.Laubschat, A.M.Ionov

Formation of surface intercalation compounds ad Gd(Dy)/graphite interfaces under thermal annealing. Surf. Sci. 474 (2001) 98-106.


S.I.Bozhko, A.N.Chaika, A.M.Ionov, and U.Valbusa

Interface formation in the Gd/HOPG and Dy/HOPG systems: electron spectroscopy studies. Journal of Alloys and Compounds 323-324 (2001) 701-706.


A.N.Chaika, A.M.Ionov, M.Busse, S.L.Molodtsov, Subham Majumdar, G.Behr, E.V.Sampathkumaran, W.Schneider, and C.Laubschat

Electronic structure of R2PdSi3 (R=La, Ce, Gd, and Tb) compounds. Phys. Rev. B 64 (2001) 125121.


A.N.Chaika, А.М.Ionov, K.A.Maslov, Ya.M.Mukovskii

Electron spectroscopy of the Ln1-xSrxMnO3 (Ln=La, Ce, Pr, Eu) compounds. Physics of Low-Dimensional Structures 11/12 (2001) 201-210.

N. A.Tulina, А.М.Ionov, А.N.Chaika

Reversible electric current switching at the normal metal - Bi2Sr2CaCu2O8+y(001) heterojunction.
Physics of Low-Dimensional Structures 11/12 (2001) 245-252.

С.И.Божко, А.М.Ионов, А.Н.Чайка

Электронно-спектроскопические исследования начальных стадий формирования интерфейса в системах Dy/HOPG и Gd/HOPG. Поверхность N3 (2001) 49-53.


A.M.Ionov, S.Danzenbacher, S.L.Molodtsov, K.Koepernik, and C.Laubschat

Electronic structure of carbolite films. Applied Surface Science 175-176 (2001) 207-211.


S.I.Bozhko, A.N.Chaika, A.M.Ionov, A.V.Chernykh, I.V.Malikov, and G.M.Mikhailov

Surface studies of single crystalline refractory metal low-dimensional structures. Applied Surface Science v.175-176 (2001) 260-264.


Derycke V, Fonteneau P, Aristov VY, Enriquez H, Soukiassian P

Combined scanning tunneling microscopy and photoemission studies of the beta-SiC(100) c(4x2) surface reconstruction. Materials Science Forum, Trans Tech Publications 353-6 (2001) 235-238.


Cricenti A, Perfetti P, Barret N, Guillot C, Aristov VY, Le Lay G

Electronic properties of alpha-Sn(100)2x1: Evidence for asymmetric dimer reconstruction. Appl. Phys. Lett. 78 (20) (2001) 3032-3034.


P. De Padova, C. Quaresima, P. Perfetti, R. Larciprete, R. Brochier, C, Richter, V. Ilakovac, P. Bencok, C. Teodorescu, V. Yu. Aristov

Electron accumulation layer on clean In-terminated InAs(001)(4x2)-c(8x2) surface. Surf. Sci. 482-485 (2001) 587-592.


G. Le Lay, V.Yu. Aristov, A. Cricenti, P. Perfetti, N. Barret and C. Guillot

Photoemission studies of alpha-Sn(100)2x1 surface. Surf. Sci. 482-485 (2001) 552-555.


V. Yu. Aristov

beta-SiC(100) surface: atomic structure and electronic properties, Uspekhi Fizicheskich nauk (Reviews of topical problems), 171(N8) (2001) 801-826 (in russian).



Clean \As Grown" Surfaces of Ln2CuO4 and (LnM)2CuO4(001) Single Crystals: Atomic and Electronic Structure

S.N.Molotkov, R.Laiho, S.S.Nazin

Teleportation of unknown single-photon quantum state. Quantum Computers & Computations 1 (2000) 89-101.


S.N.Molotkov, R.Laiho, S.S.Nazin

On the Teleportation of Completely Unknown State of Relativistic Photon. Physics Letters A278 (2000) 9-18 .


S.N.Molotkov, R.Laiho, S.S.Nazin

Teleportation of Relativistic Quantum Field. Physics Letters A275 (2000) 36-47.


С.Н.Молотков, С.С.Назин

Релятивистская квантовая привязка к биту в реальном времени. ЖЭТФ 117 (2000) 818-828.


Aristov VY, Zhilin VM, Grupp C, Taleb-Ibrahimi A, Kim HJ, Mangat PS, Soukiassian P, Le Lay G

Photoemission measurements of quantum states in accumulation layers at narrow band gap III-V semiconductor surfaces. Appl. Surf. Sci. 166 (2000) 263-267.


Enriquez H, Derycke V, Aristov VY, Soukiassian P, Le Lay G, di Cioccio L, Cricenti A, Croti C, Ferrari L, Perfetti P

1D electronic properties in temperature-induced c(4x2) to 2x1 transition on the beta-SiC(100) surface. Appl. Surf. Sci. 162 (2000) 559-564.


Douillard L, Fauchoux O, Aristov V, Soukiassian P

Scanning tunneling microscopy evidence of background contamination-induced 2x1 ordering of the beta-SiC(100) c(4 x 2) surface. Appl. Surf. Sci. 166 (2000) 220-223.


S.N.Molotkov, S.S.Nazin

Photon Frequency Entanglement Swapping. Physics Letters, A252 (1999) 1-4.


С.Н.Молотков, С.С.Назин

Эффект Эйнштейна-Подольского-Розена и причинность. Письма в ЖЭТФ 70 (1999) 53-58.


С.Н.Молотков, С.С.Назин

О телепортации непрерывной переменной. ЖЭТФ 116 (1999) 777-792.


С.Н.Молотков, С.С.Назин

Релятивистское квантовое подбрасывание монеты. Письма в ЖЭТФ, 70 (1999) 684-689 .


V.T.Volkov, A.M.Ionov, T.V.Nikiforova

Ultrapurification of yttrium metal from oxide to single crystal: results and perspectives. Vacuum, 53 (1999) 105-108.


A.N.Chaika, V.A.Grazhulis, A.M.Ionov, S.L.Molodtsov, and C.Laubschat

Study of the Gd/GaAs(110) system: Interface and Schottky barrier formation at low and room temperature. Applied Surface Science 143 (1999) 277-286.


A.N.Chaika, V.A.Grazhulis, A.M.Ionov, S.L.Molodtsov, and C.Laubschat

Interface and Schottky barrier formation in the Gd/GaAs(110) system. Surface Science 433-435 (1999) 332-336.


A.N.Chaika, V.A.Grazhulis, A.M.Ionov, P.K.Kashkarov, S.L.Molodtsov, A.M.Shikin, and C.Laubschat

Photoemission study of the reactive Dy/GaAs(110) interface. Surface Science 433-435 (1999) 352-356.


S.I.Bozhko, A.N.Chaika, A.M.Ionov, and U.Valbusa

Investigation of the interaction of gadolinium with the (0001) surface of highly oriented pyrolytic graphite at the initial stages of the deposition. Physics of Low-Dimensional Structures 7/8 (1999) 51-64.


F. Amy, L. Douillard, V. Yu. Aristov and P. Soukiassian

Oxinitridation of cubic silicon carbide (100) surfaces. J. Vac. Sci Technol. A 17 (1999) 2629-2633.


V. Yu. Aristov, L. Douillard, and P. Soukiassian

High temperature dismantling of Si-atomic lines on beta-SiC(001). Surf. Sci. 440 (1999) L825-L830.


Aristov VY, Enriquez H, Derycke V, Soukiassian P, Le Lay G, Grupp C, Taleb-Ibrahimi A

Core-level spectroscopy of beta-SiC(100) c(4x2) surface. Phys. Rev. B 60 (1999) 16553-16557.


V. Yu. Aristov, V.M. Zhilin, A. Taleb - Ibrahimi, G.Indlekofer, C. Grupp, P. Soukiassian and G. Le Lay

Direct Measurement of Quantum State Dispersion in an Accumulation Layer at Semiconductor Surface. Phys. Rev. B 60 (1999) 7752-7755.


P. Soukiassian, V. Yu. Aristov, L. Douillard, F. Semond, A. Mayne, G. Dujardin, L. Pizzagalli, C. Joachim, B. Delley

Comments on Missing-row asimmetric dimer reconstruction of SiC(001)-c(4x2). Phys. Rev. Lett. 82 (1999) 3721.



Quantum Teleportation of Single-Photon Wave Packet. Physics Letters A245 (1998) 339-334.



Экспериментальная схема телепортации однофотонного пакета. Письма в ЖЭТФ 68 (1998) 248-253.



Квантовая криптография на частотных состояниях фотонов: пример возможной реализации. ЖЭТФ 114 (1998) 526-537.


Я.М.Муковский, А.М.Ионов

Переход изолятор-металл в соединениях Eu0.7A0.3MnO3(A=Ca,Sr) индуцируемый магнитным полем. ФТТ, 1998, т.40, N 4.


A.N.Chaika, V.A.Grazhulis, A.M.Ionov, S.L.Molodtsov and C.Laubschat

Photoemission Study of Gd/GaAs(110) Interface. Phys.Low-Dim.Struct., 5/6 (1998) 157-172.


S.L.Molodtsov, J.Boysen, M.Richter, P.Segovia, C.Laubschat, S.A.Gorovikov, A.M.Ionov, G.V.Prudnikova and V.K.Adamchuk

Dispersion of 5f electron states: Angle-resolved photoemission on ordered films of U metal. Phys. Rev. B, v.57, N20 (1998), 241- 245.


J.Boysen, P.Segovia,S.L.Molodtsov, M.Richter, S.A.Gorovikov, A.M.Ionov, G.V.Prudnikova, V.K.Adamchuk and C.Laubschat

Dispersion of f-States in U-metal and CeRh3. Journ. of Alloys and Comp. 275-277 (1998) 493-497.


Y.M.Mukovskii, G.Hilscher, H.Michor and A.M.Ionov

Magnetic properties, resistivity, and heat capacity of EuMnO3 and Eu0.7A0.3MnO3 (A=Ca,Sr) compounds. Journ. of Appl.Phys. v.83, N 11 (1998) 7163-7165.


A.N.Chaika, V.A.Grazhulis and A.M.Ionov

Some trends in Rare Earth/GaAs(110) System: Reactive Interface and Schottky Barrier Formation, Overlayer Structures. Phys.Low-Dim.Struct. 11/12 (1998) 1-22.


Божко С.И., Гончаров В.А., Игнатьева Е.Ю., Ионов А.М., Кулаков В.И., Осипьян Ю.А., Суворов Э.В.

Дифракционное исследование структурного упорядочения атомов в интеркалированных йодом сверхпроводящих монокристаллах Bi2Sr2CaCu2IxOy. Поверхность, 12 (1998) с. 7-14.


V. Yu. Aristov, V.M. Zhilin, G. Le Lay, P. Soukiassian, M. Grehk, H.J. Kim, R.L. Johnson and C. Giamichele

Photoemission investigation of the 2D electron gas created at the InAs(110) surface. Surf. Rev. Lett. 5 (1998) 235-240.


L. Douillard, V. Yu. Aristov, F. Semond, P. Soukiassian

Pairs of Si atomic lines self-assembling on beta-SiC(100) surface: an (8x2) reconstruction. Surf. Sci., 401 (1998) L395-L400.


S. Odasso, M. Gothelid, V. Yu. Aristov, G. Le Lay, H.J. Kim, T. Buslaps and R.L. Johnson

AR-PES study of the single domain, reconstructed, Si(100) -( 2x1)-Pb surface. Surf. Rev. Lett., 5 (1998) 5-7.


G. Le Lay, V.Yu. Aristov, O.Bostrom, J.M. Layet, M.C. Asensio, J. Avila, Y. Huttel, A. Gricenti

Surface charge density waves at Sn/Ge(111)? Applied Surface Science, 123/124 (1998) 440-444.


G. Le Lay, V.Yu. Aristov, J.M. Layet, M. Carre, R. Belkhou, H. J. Kim, R. L. Johnson

Surface Electronic Structure of InAs(100)1x2/1x4-Pb. J. Electr. Spectr. Rel. Phen. 88-91 (1998) 613-617.


J.M. Layet, M. Carre, H. J. Kim, R. L. Johnson, R. Belkhou, V.Yu. Aristov, G. Le Lay

Two-dimensional electron gas at InAs(100)1x2/1x4-Pb. Surf. Sci., 402-404 (1998) 724-728.


F. Semond, V. Yu. Aristov, L. Douillard, O. Fauchoux, P. Soukiassian, A. Mayne and G. Dujardin

Self-Organized One-Dimentional Si Atomic Chains on Cubic Silicon Carbide Surface. Materials Science Forum Vols 264-268 (1998) 387-390. Trans Tech Publishing LTD, Switzerland-Germany-UK-USA.


L. Douillard, F. Semond, V. Yu. Aristov , P. Soukiassian, B. Delley, A. Mayne, G. Dujardin and E. Wimmer

Combined Ab initio Total Energy Density Functional Calculations and Scanning Tunneling Microscopy Experiments of beta-SiC(001) c(4x2) Surface. Materials Science Forum Vols 264-268 (1998) 379-382. Trans Tech Publishing LTD, Switzerland-Germany-UK-USA.


© Copyright ИФТТ РАН, ЛСПП, 2006-2007
Разработка и поддержка New Day Studio
Информационные технологии в бизнесе