|
Публикации
|
|
2012
|
A.B., Murphy, B.E., Bozhko, S.I., Arora, S.K., Shvets, I.V.
|
Self-assembly of Fe nanocluster arrays on templated surfaces. Journal of Applied Physics 111 (7) , art. no. 07B515
.
|
|
| |
|
Orlova, N.N., Aronin, A.S., Bozhko, S.I., Kabanov, Yu.P., Gornakov, V.S.
|
Magnetic structure and magnetization process of the glass-coated Fe-based amorphous microwire. Journal of Applied Physics 111 (7) , art. no. 073906.
|
|
| |
|
2011
|
Strukova, G.K., Strukov G.V., Bozhko, S.I., Kabanov, Yu.P., Shmytko, I.M., Mazilkin, A.A, Sobolev, N.A, (...), Tagirov, L.R.
|
Structure and magnetic properties of nanostructured Pd-Fe thin films produced by pulse electrodeposition. Journal of Nanoscience 1 and Nanotechnology 11 (10) , pp. 8907-8911.
|
|
| |
|
Bozhko, S.I., Krasnikov, S.A., LUbben, O., Murphy, B.E., Radican, K., Semenov, V.N., Wu, H.C., (...), Shvets, I.V.
|
Rotational transitions in a C 60 monolayer on the WO 2/W(110) surface. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 84 (19) , art. no. 195412.
|
|
| |
|
Chaika, A.N., Nazin, S.S., Semeno, V.N., Glebovskiy, V.G., Bozhko, S.I., LUbben, O., Krasnikov, S.A, (...), Shvets, I.V.
|
Application of single crystalline tungsten for fabrication of high resolution STM probes with controlled structure. Russian Metallurgy (Metally) 2011 (7) , pp. 603-609.
|
|
| |
|
Bozhko, S., Semenov, V.
|
Atomic force microscopy study of Mo (110) surface topology after high temperature homoepitaxy. Materials Letters 65 (8) , pp. 1194-1196 .
|
|
| |
|
Krasnikov, S.A, Bozhko, S.I., Radican, K., LUbben, O., Murphy, B.E., Vadapoo, S.-R., Wu, H.-C., (...), Shvets, I.V.
|
Self-assembly and ordering of C 60 on the WO 2/W(110) surface. Nano Research 4 (2) , pp. 194-203.
|
|
| |
|
Borisenko, E.B., Kolesnikov, N.N., Borisenko, D.N., Bozhko, S.I.
|
Microhardness and structural defects of GaSe layered semiconductor. Journal of Crystal Growth 316 (1) , pp. 20-24.
|
|
| |
|
2010
|
Kononenko, O.V., Bozhko, S.I., Matveev, V.N., Volkov, V.T., Knyazev, M.A., Il'in, A.I., Matveev, D.V., (...), Khodos, I.I.
|
Electrical properties of Pd-contacted single-walled carbon nanotubes: A scanning probe microscopy study. Materials Research Society Symposium Proceedings 1258 , pp. 289-294.
|
|
| |
|
Chaika, A.N., Nazin, S.S., Semenov, V.N., Bozhko, S.I., LUbben, O., Krasnikov, S.A, Radican, K., Shvets, I.V.
|
Selecting the tip electron orbital for scanning tunneling microscopy imaging with sub-angstrom lateral resolution. Europhysics Letters 92 (4) , art. no. 46003.
|
|
| |
|
Radican, K., Bozhko, S.I., Vadapoo, S.R., Ulucan, S., Wu, H.C., McCoy, A., Shvets, I.V.
|
Oxidation of W(110) studied by LEED and STM. Surface Science 604 (19-20) , pp. 1548-1551.
|
|
| |
|
Radican, K., Bozhko, S.I., Vadapoo, S.R., Ulucan, S., Wu, H.C., McCoy, A., Shvets, I.V.
|
Surface morphology of c-plane sapphire (a-alumina) produced by high temperature anneal. Surface Science 604 (15-16) , pp. 1294-1299.
|
|
| |
|
Fokin, D.A., Bozhko, S.I., Dubost, V., Debontridder, F., Ionov, A.M., Cren, T., Roditchev, D.
|
Electronic growth of Pb on the vicinal Si surface. Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 7 (2) , pp. 165-168.
|
|
| |
|
Kononenko, O.V., Matveev, V.N., Kasumov, Y.A, Khodos, I.I., Matveev, D.V., Bozhko, S.I., Volkov, V.T., (...), Il'Yun, A.I.
|
Selective growth of single-wall carbon nanotubes and the fabrication of devices on their basis. Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics 74 (7) , pp. 991-993.
|
|
| |
|
2009
|
Belogorokhov, A.I., Bozhko, S.I., Ionov, A.M., Chaika, A.N., Trofimov, S.A., Rumyantseva, V.D., Vyalikh, D.
|
Synthesis of platinum metalloporphyrins and investigation of their electronic structure by photoelectron spectroscopy. Journal of Surface Investigation 3 (6) , pp. 912-916.
|
|
| |
|
Chaika, A.N., Semenov, V.N., Glebovskiy, V.G., Bozhko, S.I.
|
Scanning tunneling microscopy with single crystalline W[001] tips: High resolution studies of Si (557) 5x5 surface. Applied Physics Letters 95 (17) , art. no. 173107.
|
|
| |
|
Kolesnikov, N.N., Borisenko, E.B., Borisenko, D.N., Bozhko, S.I.
|
Fractal structure formation in GaSe crystals grown from melt. Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics 73 (9) , pp. 1290-1292 .
|
|
| |
|
Strukov, G.V., Strukova, G.K., Shoo, E.D., Bozhko, S.I., Kabanov, Yu.P.
|
An experimental setup for obtaining metallic multilayer coatings with layers of nanometer thickness. Instruments and Experimental Techniques 52 (5) , pp. 727-730.
|
|
| |
|
Chaika, A.N., Fokin, D.A., Bozhko, S.I., Ionov, A.M., Debontridder, F., Dubost, V., Cren, T., Roditchev, D.
|
Regular step systems on clean Si(hhm)7 x 7 surfaces. Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics 73 (5) , pp. 676-678.
|
|
| |
|
Belogorokhov, A.I., Bozhko, S.I., Chaika, A.N., Ionov, A.M., Trophimov, S.A., Rumiantseva, V.D., Vyalikh, D.
|
Electronic structure and self-assembling processes in platinum metalloporphyrins: Photoemission and AFM studies. Applied Physics A: Materials Science and Processing 94 (3) , pp. 473-476.
|
|
| |
|
Chaika, A.N., Fokin, D.A., Bozhko, S.I., Ionov, A.M., Debontridder, F., Cren, T., Roditchev, D.
|
Atomic structure of a regular Si(2 2 3) triple step staircase. Surface Science 603 (5) 2, pp. 752-761.
|
|
| |
|
Klassen, N.V., Kedrov, V.V., Ossipyan, Y.A., Shmurak, S.Z., Shmytnko, I.M., Krivko, O.A., Kudrenko, E.A.,(...), Bozhko, S.I.
|
Nanoscintillators for microscopic diagnostics of biological and medical objects and medical therapy. IEEE Transactions on Nanobioscience 8 (1) , art. no. 4801970 , pp. 20-32.
|
|
| |
|
Chaika, A.N., Fokin, D.A., Bozhko, SI., Ionov, A.M., Debontridder, F., Dubost, V., Cren, T., Roditchev, D.
|
Regular stepped structures on clean Si (hhm) 7x7 surfaces. Journal of Applied Physics 105 (3) , art. no. 034304.
|
|
| |
|
2008
|
Bozhko, S.I., Glebovsky, V.G., Semenov, V.N., Smirnova, I.
|
Fractal structures of dendrites in GaSe crystals. 2008 Journal of Crystal Growth 311 (1) , pp. 1-6.
|
|
| |
|
Chaika, A.N., Nazin, S.S., Bozhko, S.I.
|
Selective STM imaging of oxygen-induced Cu(1 1 5) surface reconstructions with tungsten probes. Surface Science 602 (12) , pp. 2078-2088.
|
|
| |
|
Bozhko, S.I., Glebovsky, V.G., Semenov, V.N., Smirnova, I.
|
Fractal structures of dendrites in GaSe crystals. Journal of Crystal Growth 311 (1) , pp. 1-6.
|
|
| |
|
2007
|
Тимофеев А.В., Помозов Д.И., Маккавеев А.П.
|
О структуре открытого классического канала связи в квантовой криптографии: коррекция ошибок, целостность и аутентичность. ЖЭТФ 131 (2007) 771-789.
|
|
| |
|
Кулик С.П., Молотков С.Н., Маккавеев А.П.
|
Комбинированный фазово-временной метод кодирования в квантовой криптографии . Письма в ЖЭТФ 85 (2007) 354-359.
|
|
| |
|
С. Н. Молотков, Д. И. Помозов
|
Что принципиально нового дает специальная теория относительности для квантовой криптографии в открытом пространстве? Письма в ЖЭТФ 85 (2007) 569.
|
|
| |
|
С. Н. Молотков, А. В. Тимофеев
|
Явная атака на ключ в квантовой криптографии (протокол BB84), достигающая теоретического предела ошибки Qc~11% . Письма в ЖЭТФ 85 (2007) 632.
|
|
| |
|
A.N.Chaika, S.I.Bozhko, A.M.Ionov, A.N.Myagkov, N.V.Abrosimov
|
STM and LEED studies of the atomically ordered terraced Si(557) surfaces. Semiconductors, 2007, Vol. 41, No. 4, pp. 431-435.
|
|
| |
|
A. N. Chaika, V. N. Semenov, S. S. Nazin, S. I. Bozhko, S. Murphy, K. Radican, and I.V. Shvets
|
Atomic Row Doubling in the STM Images of Cu(014)-O Obtained with MnNi Tips. Phys. Rev. Letters 98 (2007) 206101.
|
|
| |
|
V.Yu. Aristov, O.V. Molodtsova, V.M. Zhilin, Yu.A. Ossipyan, D.V. Vyalikh, B.P. Doyle, S. Nannarone, and M. Knupfer
|
Eur. Phys. J. B 57, 379-384 (2007).
|
|
| |
|
M. D'angelo, V. Yu. Aristov, and P. Soukiassian
|
Selective silver atom interaction at b-SiC(100) surfaces: From anisotropic diffusion to metal atomic wires and stripes, Phys. Rev. B 76, 045304 (2007).
|
|
| |
|
M. D'angelo, V. Yu. Aristov, P. Soukiassian, C. Crotti and P. Perfetti
|
Atomic Structure, Growth and Initial Interface Formation of Ag on the b-SiC(001)c(4x2) Surface Reconstruction, in preparation.
|
|
| |
|
Guy Le Lay, Victor Aristov and Alexander Chaika
|
New prospects for the pre-eminent semiconductor: surface metallicity by cooling, in preparation.
|
|
| |
|
M. D'angelo, H. Enriquez, M.G. Silly, V. Derycke, V. Yu. Aristov, P. Soukiassian, F. Amy, Y. Chabal, M. Pedio and P. Perfetti
|
Hydrogen Interaction with the b-SiC(100) 3x2 Surface and Sub-Surface, in preparation.
|
|
| |
|
2006
|
С.Н.Молотков
|
О некоторых консервативных оценках в квантовой криптографии. ЖЭТФ 130 (2006) 228-238.
|
|
| |
|
O.V. Molodtsova, V.Yu. Aristov, V.M. Zhilin, D.V. Vyalikh, M. Knupfer
|
Potassium doped CuPc: electronic and atomic structure formation . J. Physique IV France 132 (2006) 121-125.
|
|
| |
|
V.Yu. Aristov, O.V. Molodtsova, V.M. Zhilin, D.V. Vyalikh, M. Knupfer
|
Characterisation of metal-organic semiconductor interfaces: In and Sn on CuPc . J. Physique IV France 132 (2006) 101-104.
|
|
| |
|
J. Roy, V.Yu. Aristov, C. Radtke, P. Jaffrennou, H. Enriquez, P. Soukiassian, P. Moras, C. Spezzani, C. Crotti, and P. Perfetti
|
Semiconductor Surface Metallization Using Deuterium: D/3C-SiC(100) 3x2, Appl. Phys. Lett. 89, 042114 (2006).
|
|
| |
|
V.Yu. Aristov, O.V. Molodtsova, M. Knupfer, V.M. Zhilin, Yu.A. Ossipyan, D.V. Vyalikh, B.P. Doyle, S. Nannarone
|
Highlights 2005-2006 (2006) 81, Elettra (Italy).
|
|
| |
|
H. Enriquez, V.Yu. Aristov, C. Radtke, J. Roy and P. Soukiassian, C. Crotti, P. Moras, C. Spezzani and P. Perfetti
|
Highlights 2005-2006 (2006) 50, Elettra (Italy).
|
|
| |
|
О.Б.Боднарь, И.М.Аристова, А.А.Мазилкин, Л.Н.Пронина, А.Н.Чайка, П.Ю.Попов
|
Неразрушающие методы определения диффузионных параметров азота в вольфраме. ФТТ 48 (2006) 12-16.
|
|
| |
|
S.I. Bozhko, A.N. Chaika, A.M. Ionov, S.L. Molodtsov, D.V. Vyalikh, V.D.P. Servedio
|
Photoemission experiments and density functional calculations for the W(112) stepped surface with submonolayer Au coverages. Surface Science 600 (2006) 249-256.
|
|
| |
|
V. N. Matveev, V. I. Levashov, O. V. Kononenko, and A. N. Chaika
|
Size Effect Relating to the Extraordinary and the Ordinary Hall Effect in Ultrathin Fe-Pt Films. Microelectronics (in Russian), 2006, v.35, №6, p. 392.
|
|
| |
|
2005
|
С.Н.Молотков, А.П.Маккавеев, Д.И.Помозов, А.В.Тимофеев
|
О практических методах "чистки" ключей в квантовой криптографии. ЖЭТФ 128 (2005) 263-291.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков
|
О предельно допустимой ошибке и степени сжатия ключа в квантовой криптографии на двух неортогональных состояниях. Письма в ЖЭТФ, 81, N11, (2005) 733-738.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков, А.В.Тимофеев
|
О каскадном методе коррекции ошибок в квантовой криптографии, сохраняющем конфиденциальность. Письма в ЖЭТФ, Т.82, N 12 (2005) 868-873.
|
|
| |
|
A.N. Chaika, A.M. Ionov, N.A. Tulina, D.A. Shulyatev, Ya.M. Mukovskii
|
Degradation of La0.8Ca0.2MnO3 single crystal surface: Electron spectroscopy studies. J. of El. Spectr. and Rel. Phen. 148 (2005) 101-106.
|
|
| |
|
A.M. Shikin, A. Varykhalov, V. K. Adamchuk, A. Ionov, S. N. Bozko, W. Gudat, and O. Rader
|
Quantum-well states and lateral superlattice effect in Ag and Au stripes on stepped W(145) . J. El. Spectr. and Relat. Phenom. 144-147, 341 (2005).
|
|
| |
|
O.B.Bodnar, I.M.Aristova, A.A.Mazilkin, A.N.Chaika, L.N.Pronina
|
Non-destructive method of diffusion parameter determination in solids. Defect and diffusion forum 237-240 (2005) 438-443.
|
|
| |
|
А.Н.Чайка, С.И.Божко
|
Атомная структура поверхности Cu(410)-O: визуализация атомов кислорода и меди с помощью СТМ. Письма в ЖЭТФ 2005, т.82, вып.7, с.467-472.
|
|
| |
|
O.V. Molodtsova, , V.M. Zhilin, D.V. Vyalikh, V.Yu. Aristov , M. Knupfer
|
Electronic properties of potassium-doped CuPc . J. Appl. Phys., 98, 093702 (2005).
|
|
| |
|
Patrick Soukiassian, Vincent Derycke, Fabrice Semond, Victor Yu. Aristov
|
Atomic scale engineering of nanostructures at silicon carbide surfaces. Microelectronics Journal, 36 (2005) 969.
|
|
| |
|
V. Yu. Aristov, O. V. Molodtsova, V. M. Zhilin, D. V. Vyalikh, and M. Knupfer
|
Chemistry and electronic properties of a metal-organic semiconductor interface: In on CuPc. Phys. Rev. B B 72, 165318 (2005).
|
|
| |
|
2004
|
С.Н.Молотков, А.П.Маккавеев, Д.И.Помозов
|
О простой оценке критической длины квантового канала связи с затуханием для квантовой криптографии на когерентных состояниях. Письма в ЖЭТФ 79 (2004) 624-629.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков
|
О скорости передачи классической информации по квантовым каналам связи. ЖЭТФ 125 (2004) 423-440.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков
|
К вопросу об обосновании квантовой криптографии на временных сдвигах. Письма в ЖЭТФ 79 (2004) 576-582.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков
|
О коллективной атаке на ключ в квантовой криптографии на двух неортогональных состояниях. Письма в ЖЭТФ 80 (2004) 639-644.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков
|
Мультиплексная квантовая криптография с временным кодированием без интерферометров. Письма в ЖЭТФ 79 (2004) 554-559.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков
|
Об интегрировании квантовых систем засекреченной связи (квантовой криптографии) в оптоволоконные телекоммуникационные системы. Письма в ЖЭТФ 79 (2004) 691-704.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков
|
Квантовая криптография на многофотонных состояниях для свободного пространства: о передаче секретных ключей на спутники. ЖЭТФ 126 (2004) 1-28.
|
|
| |
|
S.I. Bozhko, A.N. Chaika, G.A. Emelchenko, V.M. Masalov, A.M. Ionov, A.N. Gruzintsev, G.M. Mikhailov, B.K. Medvedev
|
Mono- and multilayered opalline superlattices: application to nanotechnology of 2D ordered array of nanoobjects and 3D metalattices. Applied Surface Science 234 (2004) 93-101.
|
|
| |
|
V. A. Grazhulis and A. M. Ionov
|
Electron Spectroscopy Studies of Gas Interaction with YBa2Cu3O7-x Thin Film. Crystallography Reports, Vol. 49, Suppl. 1, 2004, pp. S104-S108.
|
|
| |
|
С. И. Божко, И. Г. Науменко, Э. Н. Самаров, В. М. Масалов, Г. А. Емельченко, А. М. Ионов, Д. А. Фокин
|
Формирование двумерных упорядоченных магнитных нанорешеток в опаловых структурах. Письма в ЖЭТФ 80 (№7) (2004) 569-571
|
|
| |
|
С.И.Божко, А.М.Ионов, А.Н.Чайка, Д.Вялых, С.Л.Молодцов, В.Д.Серведио
|
Исследование чистой и декорированной золотом поверхности W(112) методом фотоэлектронной спектроскопии. Поверхность, 2004, N10, с.123-130.
|
|
| |
|
L.V.Yashina, E.V.Tikhonov, V.S.Neudachina, T.S.Zyubina, A.N.Chaika, V.I.Shtanov, S.P.Kobeleva, and Yu.A.Dobrovolsky
|
The oxidation of PbTe(100) surface in dry oxygen. Surface and Interface Analysis 36 (2004) 993-996.
|
|
| |
|
V. Yu. Aristov, P. Soukiassian, A. Catellani, R. Di Felice, G. Galli
|
Experimental and theoretical electronic structure determination of the b-SiC(001)c(4x2) surface reconstruction. Phys. Rev. B 69 (2004) 245326(9).
|
|
| |
|
M. D'Angelo, H. Enriquez, M.G. Silly, V. Derycke, V.Yu. Aristov, P. Soukiassian, C. Ottavianni, M. Pedio, P. Perfetti
|
H-Induced Si-Rich 3C-Si(100) 3x2 Surface Metallization. Materials Science Forum 457-460 (2004) 399.
|
|
| |
|
2003
|
С.Н.Молотков
|
Новый подход к безусловной секретности релятивисткой квантовой криптографии. ЖЭТФ 124 (2003) 1172-1196.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков
|
О кодировании в параллельном квантовом канале. Письма в ЖЭТФ 77 (2003) 51-56.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков
|
Простая схема квантовой криптографии на задержках на базе оптоволоконных интерферометров Маха-Цандера. Письма в ЖЭТФ 78 (2003) 194-200.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков
|
Экспериментальная схема квантовой криптографии на неортогональных состояниях с временным сдвигом и минимальным числом оптических компонентов. Письма в ЖЭТФ 78 (2003) 1156-1161.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков
|
О кодировании квантового источника состояний с конечной частотной полосой: квантовый аналог теоремы Котельникова об отсчетах. Письма в ЖЭТФ 78 (2003) 1087-1092 .
|
|
| |
|
A.M.Ionov, Ya.M.Mukovskii, S.Danzenbacher, S.L.Molodtsov, C.Laubschat
|
Resonant photoemission studies of Chevrel phases system: LaMo6Se8, Ce0.5Sn0.5Mo6S8, EuMo6S8. Phys. Low-Dim. Struct. 7/8 (2003) 115-124.
|
|
| |
|
M. D'angelo, H. Enriquez, V.Yu. Aristov, P. Soukiassian, G. Renaud, A. Barbier, M. Noblet, S. Chiang and F. Semond
|
Atomic structure determination of the Si-rich b-SiC(001) 3x2 surface by grazing-incidence X-ray diffraction: a stress-driven reconstruction. Phys. Rev. B 68, 165321 (2003).
|
|
| |
|
N. Rodriguez, M. D'angelo, V.Yu. Aristov and P. Soukiassian
|
Ag growth on 3C-SiC(001)c(2x2) C-terminated and c(4x2) Si-terminated surfaces. Trans Tech Publication, Materials Science Forum 433, 587 (2003).
|
|
| |
|
H. Enriquez, M. D'angelo, V.Yu. Aristov, V. Derycke, P. Soukiassian, G. Renaud, A. Barbier, S. Chiang, F. Semond
|
Silicon carbide surface structure investigated by synchrotron radiation-based x-ray diffraction. J. Vac. Sci. Technol. B: Microelectronics and Nanometer Structures 21 (2003) 1881.
|
|
| |
|
2002
|
С.Н.Молотков, С.С.Назин
|
О релятивистских ограничениях на различимость ортогональных квантовых состояний. ЖЭТФ 121 (2002) 1261-1269.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков
|
О предельной скорости генерации секретного ключа в квантовой криптографии в пространстве-време. Письма в ЖЭТФ 75 (2002) 617-623.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков
|
Релятивистская квантовая криптография на остановленных фотонах. Письма в ЖЭТФ 76 (2002) 79-85.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков
|
О пропускной способности последовательности релятивистского квантового канала связи с ограниченным временем наблюдения. Письма в ЖЭТФ 76 (2002) 683-689.
|
|
| |
|
N.A. Tulina, A.M. Ionov, A.N. Chaika
|
Reversible electrical switching at the Bi2Sr2CaCu2O8+y surface in the normal metal - Bi2Sr2CaCu2O8+y single crystal heterojunction. Physica C 366/1 (2002) 23-30.
|
|
| |
|
2001
|
С.Н.Молотков, С.С.Назин
|
Простое доказательство безусловной секретности релятивистской квантовой криптографии. ЖЭТФ 119 (2001) 1001-1010.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков, С.С.Назин
|
Релятивистские квантовые протоколы: "Bit commitment" и "Coin Tossing". ЖЭТФ 120 (2001) 1004-1026.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков
|
О лоренц-инвариантном соотношении неопределенностей энергия-время для релятивистского фотона. Письма в ЖЭТФ 74 (2001) 477-482.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков, С.С.Назин
|
Роль причинности в обеспечении секретности релятивистской квантовой криптографии. Письма в ЖЭТФ 73 (2001) 767-771.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков, С.С.Назин
|
Квантовая привязка к биту в канале с шумом. Письма в ЖЭТФ 73 (2001) 114-120.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков
|
Об эффективности ЭПР пов-торителей для квантовой криптографии в канале с затуханием. Письма в ЖЭТФ 74 (2001) 580-585 .
|
|
| |
|
S.A.Gorovikov, A.M.Shikin, G.V.Prudnikova, V.K.Adamchuk, S.L.Molodtsov, C.Laubschat, A.M.Ionov
|
Formation of surface intercalation compounds ad Gd(Dy)/graphite interfaces under thermal annealing.
Surf. Sci. 474 (2001) 98-106.
|
|
| |
|
S.I.Bozhko, A.N.Chaika, A.M.Ionov, and U.Valbusa
|
Interface formation in the Gd/HOPG and Dy/HOPG systems: electron spectroscopy studies. Journal of Alloys and Compounds 323-324 (2001) 701-706.
|
|
| |
|
A.N.Chaika, A.M.Ionov, M.Busse, S.L.Molodtsov, Subham Majumdar, G.Behr, E.V.Sampathkumaran, W.Schneider, and C.Laubschat
|
Electronic structure of R2PdSi3 (R=La, Ce, Gd, and Tb) compounds. Phys. Rev. B 64 (2001) 125121.
|
|
| |
|
A.N.Chaika, А.М.Ionov, K.A.Maslov, Ya.M.Mukovskii
|
Electron spectroscopy of the Ln1-xSrxMnO3 (Ln=La, Ce, Pr, Eu) compounds. Physics of Low-Dimensional Structures 11/12 (2001) 201-210.
|
|
| |
|
N. A.Tulina, А.М.Ionov, А.N.Chaika
|
Reversible electric current switching at the normal metal - Bi2Sr2CaCu2O8+y(001) heterojunction. Physics of Low-Dimensional Structures 11/12 (2001) 245-252.
|
|
| |
|
С.И.Божко, А.М.Ионов, А.Н.Чайка
|
Электронно-спектроскопические исследования начальных стадий формирования интерфейса в системах Dy/HOPG и Gd/HOPG. Поверхность N3 (2001) 49-53.
|
|
| |
|
A.M.Ionov, S.Danzenbacher, S.L.Molodtsov, K.Koepernik, and C.Laubschat
|
Electronic structure of carbolite films. Applied Surface Science 175-176 (2001) 207-211.
|
|
| |
|
S.I.Bozhko, A.N.Chaika, A.M.Ionov, A.V.Chernykh, I.V.Malikov, and G.M.Mikhailov
|
Surface studies of single crystalline refractory metal low-dimensional structures. Applied Surface Science v.175-176 (2001) 260-264.
|
|
| |
|
Derycke V, Fonteneau P, Aristov VY, Enriquez H, Soukiassian P
|
Combined scanning tunneling microscopy and photoemission studies of the beta-SiC(100) c(4x2) surface reconstruction. Materials Science Forum, Trans Tech Publications 353-6 (2001) 235-238.
|
|
| |
|
Cricenti A, Perfetti P, Barret N, Guillot C, Aristov VY, Le Lay G
|
Electronic properties of alpha-Sn(100)2x1: Evidence for asymmetric dimer reconstruction. Appl. Phys. Lett. 78 (20) (2001) 3032-3034.
|
|
| |
|
P. De Padova, C. Quaresima, P. Perfetti, R. Larciprete, R. Brochier, C, Richter, V. Ilakovac, P. Bencok, C. Teodorescu, V. Yu. Aristov
|
Electron accumulation layer on clean In-terminated InAs(001)(4x2)-c(8x2) surface. Surf. Sci. 482-485 (2001) 587-592.
|
|
| |
|
G. Le Lay, V.Yu. Aristov, A. Cricenti, P. Perfetti, N. Barret and C. Guillot
|
Photoemission studies of alpha-Sn(100)2x1 surface. Surf. Sci. 482-485 (2001) 552-555.
|
|
| |
|
V. Yu. Aristov
|
beta-SiC(100) surface: atomic structure and electronic properties, Uspekhi Fizicheskich nauk (Reviews of topical problems), 171(N8) (2001) 801-826 (in russian).
|
|
| |
|
A.M.Ionov
|
Clean \As Grown" Surfaces of Ln2CuO4 and (LnM)2CuO4(001) Single Crystals: Atomic and Electronic Structure
|
|
| |
|
2000
|
S.N.Molotkov, R.Laiho, S.S.Nazin
|
Teleportation of unknown single-photon quantum state. Quantum Computers & Computations 1 (2000) 89-101.
|
|
| |
|
S.N.Molotkov, R.Laiho, S.S.Nazin
|
On the Teleportation of Completely Unknown State of Relativistic Photon.
Physics Letters A278 (2000) 9-18
.
|
|
| |
|
S.N.Molotkov, R.Laiho, S.S.Nazin
|
Teleportation of Relativistic Quantum Field. Physics Letters A275 (2000) 36-47.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков, С.С.Назин
|
Релятивистская квантовая привязка к биту в реальном времени. ЖЭТФ 117 (2000) 818-828.
|
|
| |
|
Aristov VY, Zhilin VM, Grupp C, Taleb-Ibrahimi A, Kim HJ, Mangat PS, Soukiassian P, Le Lay G
|
Photoemission measurements of quantum states in accumulation layers at narrow band gap III-V semiconductor surfaces. Appl. Surf. Sci. 166 (2000) 263-267.
|
|
| |
|
Enriquez H, Derycke V, Aristov VY, Soukiassian P, Le Lay G, di Cioccio L, Cricenti A, Croti C, Ferrari L, Perfetti P
|
1D electronic properties in temperature-induced c(4x2) to 2x1 transition on the beta-SiC(100) surface. Appl. Surf. Sci. 162 (2000) 559-564.
|
|
| |
|
Douillard L, Fauchoux O, Aristov V, Soukiassian P
|
Scanning tunneling microscopy evidence of background contamination-induced 2x1 ordering of the beta-SiC(100) c(4 x 2) surface. Appl. Surf. Sci. 166 (2000) 220-223.
|
|
| |
|
1999
|
S.N.Molotkov, S.S.Nazin
|
Photon Frequency Entanglement Swapping. Physics Letters, A252 (1999) 1-4.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков, С.С.Назин
|
Эффект Эйнштейна-Подольского-Розена и причинность. Письма в ЖЭТФ 70 (1999) 53-58.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков, С.С.Назин
|
О телепортации непрерывной переменной. ЖЭТФ 116 (1999) 777-792.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков, С.С.Назин
|
Релятивистское квантовое подбрасывание монеты. Письма в ЖЭТФ, 70 (1999) 684-689 .
|
|
| |
|
V.T.Volkov, A.M.Ionov, T.V.Nikiforova
|
Ultrapurification of yttrium metal from oxide to single crystal: results and perspectives.
Vacuum, 53 (1999) 105-108.
|
|
| |
|
A.N.Chaika, V.A.Grazhulis, A.M.Ionov, S.L.Molodtsov, and C.Laubschat
|
Study of the Gd/GaAs(110) system: Interface and Schottky barrier formation at low and room temperature.
Applied Surface Science 143 (1999) 277-286.
|
|
| |
|
A.N.Chaika, V.A.Grazhulis, A.M.Ionov, S.L.Molodtsov, and C.Laubschat
|
Interface and Schottky barrier formation in the Gd/GaAs(110) system. Surface Science 433-435 (1999) 332-336.
|
|
| |
|
A.N.Chaika, V.A.Grazhulis, A.M.Ionov, P.K.Kashkarov, S.L.Molodtsov, A.M.Shikin, and C.Laubschat
|
Photoemission study of the reactive Dy/GaAs(110) interface. Surface Science 433-435 (1999) 352-356.
|
|
| |
|
S.I.Bozhko, A.N.Chaika, A.M.Ionov, and U.Valbusa
|
Investigation of the interaction of gadolinium with the (0001) surface of highly oriented pyrolytic graphite at the initial stages of the deposition. Physics of Low-Dimensional Structures 7/8 (1999) 51-64.
|
|
| |
|
F. Amy, L. Douillard, V. Yu. Aristov and P. Soukiassian
|
Oxinitridation of cubic silicon carbide (100) surfaces. J. Vac. Sci Technol. A 17 (1999) 2629-2633.
|
|
| |
|
V. Yu. Aristov, L. Douillard, and P. Soukiassian
|
High temperature dismantling of Si-atomic lines on beta-SiC(001). Surf. Sci. 440 (1999) L825-L830.
|
|
| |
|
Aristov VY, Enriquez H, Derycke V, Soukiassian P, Le Lay G, Grupp C, Taleb-Ibrahimi A
|
Core-level spectroscopy of beta-SiC(100) c(4x2) surface. Phys. Rev. B 60 (1999) 16553-16557.
|
|
| |
|
V. Yu. Aristov, V.M. Zhilin, A. Taleb - Ibrahimi, G.Indlekofer, C. Grupp, P. Soukiassian and G. Le Lay
|
Direct Measurement of Quantum State Dispersion in an Accumulation Layer at Semiconductor Surface. Phys. Rev. B 60 (1999) 7752-7755.
|
|
| |
|
P. Soukiassian, V. Yu. Aristov, L. Douillard, F. Semond, A. Mayne, G. Dujardin, L. Pizzagalli, C. Joachim, B. Delley
|
Comments on Missing-row asimmetric dimer reconstruction of SiC(001)-c(4x2). Phys. Rev. Lett. 82 (1999) 3721.
|
|
| |
|
1998
|
S.N.Molotkov
|
Quantum Teleportation of Single-Photon Wave Packet. Physics Letters A245 (1998) 339-334.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков
|
Экспериментальная схема телепортации однофотонного пакета. Письма в ЖЭТФ 68 (1998) 248-253.
|
|
| |
|
С.Н.Молотков
|
Квантовая криптография на частотных состояниях фотонов: пример возможной реализации. ЖЭТФ 114 (1998) 526-537.
|
|
| |
|
Я.М.Муковский, А.М.Ионов
|
Переход изолятор-металл в соединениях Eu0.7A0.3MnO3(A=Ca,Sr) индуцируемый магнитным полем. ФТТ, 1998, т.40, N 4.
|
|
| |
|
A.N.Chaika, V.A.Grazhulis, A.M.Ionov, S.L.Molodtsov and C.Laubschat
|
Photoemission Study of Gd/GaAs(110) Interface. Phys.Low-Dim.Struct., 5/6 (1998) 157-172.
|
|
| |
|
S.L.Molodtsov, J.Boysen, M.Richter, P.Segovia, C.Laubschat, S.A.Gorovikov, A.M.Ionov, G.V.Prudnikova and V.K.Adamchuk
|
Dispersion of 5f electron states: Angle-resolved photoemission on ordered films of U metal. Phys. Rev. B, v.57, N20 (1998), 241- 245.
|
|
| |
|
J.Boysen, P.Segovia,S.L.Molodtsov, M.Richter, S.A.Gorovikov, A.M.Ionov, G.V.Prudnikova, V.K.Adamchuk and C.Laubschat
|
Dispersion of f-States in U-metal and CeRh3. Journ. of Alloys and Comp. 275-277 (1998) 493-497.
|
|
| |
|
Y.M.Mukovskii, G.Hilscher, H.Michor and A.M.Ionov
|
Magnetic properties, resistivity, and heat capacity of EuMnO3 and Eu0.7A0.3MnO3 (A=Ca,Sr) compounds. Journ. of Appl.Phys. v.83, N 11 (1998) 7163-7165.
|
|
| |
|
A.N.Chaika, V.A.Grazhulis and A.M.Ionov
|
Some trends in Rare Earth/GaAs(110) System: Reactive Interface and Schottky Barrier Formation, Overlayer Structures. Phys.Low-Dim.Struct. 11/12 (1998) 1-22.
|
|
| |
|
Божко С.И., Гончаров В.А., Игнатьева Е.Ю., Ионов А.М., Кулаков В.И., Осипьян Ю.А., Суворов Э.В.
|
Дифракционное исследование структурного упорядочения атомов в интеркалированных йодом сверхпроводящих монокристаллах Bi2Sr2CaCu2IxOy. Поверхность, 12 (1998) с. 7-14.
|
|
| |
|
V. Yu. Aristov, V.M. Zhilin, G. Le Lay, P. Soukiassian, M. Grehk, H.J. Kim, R.L. Johnson and C. Giamichele
|
Photoemission investigation of the 2D electron gas created at the InAs(110) surface. Surf. Rev. Lett. 5 (1998) 235-240.
|
|
| |
|
L. Douillard, V. Yu. Aristov, F. Semond, P. Soukiassian
|
Pairs of Si atomic lines self-assembling on beta-SiC(100) surface: an (8x2) reconstruction. Surf. Sci., 401 (1998) L395-L400.
|
|
| |
|
S. Odasso, M. Gothelid, V. Yu. Aristov, G. Le Lay, H.J. Kim, T. Buslaps and R.L. Johnson
|
AR-PES study of the single domain, reconstructed, Si(100) -( 2x1)-Pb surface. Surf. Rev. Lett., 5 (1998) 5-7.
|
|
| |
|
G. Le Lay, V.Yu. Aristov, O.Bostrom, J.M. Layet, M.C. Asensio, J. Avila, Y. Huttel, A. Gricenti
|
Surface charge density waves at Sn/Ge(111)? Applied Surface Science, 123/124 (1998) 440-444.
|
|
| |
|
G. Le Lay, V.Yu. Aristov, J.M. Layet, M. Carre, R. Belkhou, H. J. Kim, R. L. Johnson
|
Surface Electronic Structure of InAs(100)1x2/1x4-Pb. J. Electr. Spectr. Rel. Phen. 88-91 (1998) 613-617.
|
|
| |
|
J.M. Layet, M. Carre, H. J. Kim, R. L. Johnson, R. Belkhou, V.Yu. Aristov, G. Le Lay
|
Two-dimensional electron gas at InAs(100)1x2/1x4-Pb. Surf. Sci., 402-404 (1998) 724-728.
|
|
| |
|
F. Semond, V. Yu. Aristov, L. Douillard, O. Fauchoux, P. Soukiassian, A. Mayne and G. Dujardin
|
Self-Organized One-Dimentional Si Atomic Chains on Cubic Silicon Carbide Surface. Materials Science Forum Vols 264-268 (1998) 387-390. Trans Tech Publishing LTD, Switzerland-Germany-UK-USA.
|
|
| |
|
L. Douillard, F. Semond, V. Yu. Aristov , P. Soukiassian, B. Delley, A. Mayne, G. Dujardin and E. Wimmer
|
Combined Ab initio Total Energy Density Functional Calculations and Scanning Tunneling Microscopy Experiments of beta-SiC(001) c(4x2) Surface. Materials Science Forum Vols 264-268 (1998) 379-382. Trans Tech Publishing LTD, Switzerland-Germany-UK-USA.
|
|
| |
© Copyright ИФТТ РАН, ЛСПП, 2006-2007 |
|
|