.
07.10.2024 
  
Будем признательны за отзыв о нашем институте!
Ваше мнение формирует официальный рейтинг организации:

Анкета доступна по QR-коду, а также по прямой ссылке:
https://bus.gov.ru/qrcode/rate/359057

Соловьёв Виктор Васильевич.

Место работы: ИФТТ с 2004 года

Должность: Аспирант

Окончил: Московский Физико-Технический Институт (государственный университет) в 2007 году

Обучение в аспирантуре: 2007-2010 год

Научный руководитель: профессор, член-корреспондент РАН Кукушкин Игорь Владимирович

Тема работы: Коллективные эффекты в разделенных двойных электрон-дырочных и электрон-электронных слоях.

Научные интересы: Магнитооптика и транспортные свойства полупроводниковых наноструктур, методы микро- и нанофабрикации таких объектов, инвольтация.

Рабочий телефон: +7 (496) 522-44-31

Рабочие комнаты: КМП 117, 212

e-mail: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в браузере должен быть включен Javascript.

Адрес ИФТТ: Черноголовка, МО, Институтская ул. д.2, 142432, Россия

Публикации:

1. Solov'ev, V.V., Kukushkin, I.V., Smet, J., Von Klitzing, K., Dietsche, W. "Indirect Excitons and Double Electron-Hole Layers in a Wide Single GaAs/AlGaAs Quantum Well in a Strong Electric Field". JETP Letters. – 2006. – v. 83. – i. 12. – p. 553-557.

2. Solov'ev, V.V., Kukushkin, I.V., Smet, J., Von Klitzing, K., Dietsche, W.  "Kinetics of Indirect Electron-Hole Recombination in a Wide Single Quantum Well in a Strong Electric Field". JETP Letters. – 2006. – v. 84. – i. 4. – p. 256-260.

Конференции:

Соловьёв, В.В., Кукушкин, И.В., Смет, Ю., Фон Клитцинг, К., Диче, В. "Непрямые экситоны и электрон-дырочные слои в одиночных квантовых ямах GaAs/AlGaAs". VIII Российская конференция по физике полупроводников, "ПОЛУПРОВОДНИКИ-2007", г.Екатеринбург, 30.09.07-05.10.07