в Лабораторию физико-химических основ кристаллизации:
- специалиста в области синтеза и транспортных методов роста кристаллов халькогенидов металлов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию квантовых кристаллов:
- специалиста в области исследования магнитных свойств тонкопленочных гетероструктур
- полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию неравновесных электронных процессов:
- специалиста в области фотоники и спектроскопии (экспериментальные исследования экситонных поляритонов в полупроводниковых микрорезонаторах и экситонных комплексов в ван-дер-ваальсовых гетероструктурах на основе монослоёв дихалькогенидов переходных металлов методом микрофотолюминесценции) - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию квантового транспорта:
- специалиста в области транспортных свойств топологических материалов со слоистой структурой, магнитными свойствами и ферроэлектрической поляризацией - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 09.07.2023г.

в Лабораторию неравновесных электронных процессов:

- специалиста в области рамановской спектроскопии газовых смесей и микроволновой спектроскопии низкоразмерных электронных и дырочных систем - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 09.07.2023г.

- Лаборатория спектроскопии дефектных структур - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- Лаборатория электронной кинетики - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- Лаборатория структурных исследования - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- Сектор элементного и структурного анализа - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- Лаборатория сверхпроводимости - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- Лаборатория спектроскопии поверхности полупроводников - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- Лаборатория поверхностей раздела в металлах - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- Лаборатория физико-химических основ кристаллизации - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- Лаборатория неравновесных электронных процессов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- Лаборатория квантового транспорта - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- Лаборатория профилированных кристаллов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- Центр коллективного пользования - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- Лаборатория управляемого роста кристаллов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- Лаборатория квантовых кристаллов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- Лаборатория материалов для электрохимических технологий - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С полным перечнем требований к кандидатам можно ознакомиться на Портале вакансий по адресу https://ученые-исследователи.рф/

С победителями конкурса будут заключены срочные трудовые договоры. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 14.06.2023г.

в Лабораторию новых функциональных материалов и структур:

- специалиста в области экспериментального исследования тонкопленочных
джозефсоновских структур на основе туннельных и ферромагнитных барьеров - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 2 года;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.

в Лабораторию спектроскопии поверхности полупроводников:

- специалиста в области фотоэлектронной спектроскопии - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 26.05.2023г.