в Лабораторию физико-химических основ кристаллизации: - специалиста в области синтеза и транспортных методов роста кристаллов халькогенидов металлов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
в Лабораторию квантовых кристаллов: - специалиста в области исследования магнитных свойств тонкопленочных гетероструктур - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
в Лабораторию неравновесных электронных процессов: - специалиста в области фотоники и спектроскопии (экспериментальные исследования экситонных поляритонов в полупроводниковых микрорезонаторах и экситонных комплексов в ван-дер-ваальсовых гетероструктурах на основе монослоёв дихалькогенидов переходных металлов методом микрофотолюминесценции) - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
в Лабораторию квантового транспорта: - специалиста в области транспортных свойств топологических материалов со слоистой структурой, магнитными свойствами и ферроэлектрической поляризацией - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН. Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 09.07.2023г.
в Лабораторию неравновесных электронных процессов:
- специалиста в области рамановской спектроскопии газовых смесей и микроволновой спектроскопии низкоразмерных электронных и дырочных систем - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН. Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 09.07.2023г.
- Лаборатория спектроскопии дефектных структур - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет; - Лаборатория электронной кинетики - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет; - Лаборатория структурных исследования - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет; - Сектор элементного и структурного анализа - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет; - Лаборатория сверхпроводимости - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет; - Лаборатория спектроскопии поверхности полупроводников - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет; - Лаборатория поверхностей раздела в металлах - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет; - Лаборатория физико-химических основ кристаллизации - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет; - Лаборатория неравновесных электронных процессов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет; - Лаборатория квантового транспорта - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет; - Лаборатория профилированных кристаллов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет; - Центр коллективного пользования - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет; - Лаборатория управляемого роста кристаллов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет; - Лаборатория квантовых кристаллов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет; - Лаборатория материалов для электрохимических технологий - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
С полным перечнем требований к кандидатам можно ознакомиться на Портале вакансий по адресу https://ученые-исследователи.рф/
С победителями конкурса будут заключены срочные трудовые договоры. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН. Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 14.06.2023г.
в Лабораторию новых функциональных материалов и структур:
- специалиста в области экспериментального исследования тонкопленочных джозефсоновских структур на основе туннельных и ферромагнитных барьеров - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 2 года;
С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН. Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.
в Лабораторию спектроскопии поверхности полупроводников:
- специалиста в области фотоэлектронной спектроскопии - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН. Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 26.05.2023г.