главных научных сотрудников:

в Лабораторию квантового транспорта:
- специалиста по низкотемпературным исследованиям полупроводниковых, сверхпроводящих, магнитных низкоразмерных систем – 1 вакансия, полная ставка;

в Лабораторию физико-химических основ кристаллизации:
- специалиста по разработке методов выращивания кристаллов полупроводников, сверхпроводников, материалов с топологически защищенными свойствами – 1 вакансия, полная ставка;

ведущего научного сотрудника:

в Лабораторию квантовых кристаллов:
- специалиста в области спектроскопии дефектных структур в полупроводниках – 1 вакансия, полная ставка;

С победителями конкурсов будут заключены бессрочные трудовые договоры. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.

в Лабораторию квантовых кристаллов:
- специалиста по росту и обработке гигроскопических монокристаллических сцинтилляторов – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

младших научных сотрудников:

в Лабораторию квантовых кристаллов:
- специалиста в области исследований формирования и эволюции вихревой турбулентности в сверхтекучем гелии – полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;

в Лабораторию новых функциональных материалов и структур:
- специалиста в области экспериментальных исследований тороидальных вихрей - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 2 года;

С победителями конкурсов будут заключены срочные трудовые договоры. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.

- специалиста в области физико-химических основ твердооксидных топливных элементов, батарей и энергетических установок на их основе – полная ставка, 1 вакансия на срок полномочий директора ИФТТ РАН;
С полным перечнем требований к кандидату можно ознакомиться на Портале вакансий по адресу https://ученые-исследователи.рф/

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) необходимо направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – до 17.30 24.01.2025г.

в Лабораторию материалов для электрохимических технологий:

- специалиста в области исследования транспортных характеристик кристаллов двух- и трехкомпонентных твердых растворов – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 20.12.2024г.

в Лабораторию неравновесных электронных процессов:
- специалиста в области физика двумерных систем и низкотемпературных измерений - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

в Лабораторию физики высоких давлений:
- специалиста в области исследований теплоемкости гидридов высокого давления при низких температурах с использованием метода дифференциальной сканирующей калориметрии - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

в Лабораторию водородной энергетики:
- специалиста в области электрохимического нанесения многослойных покрытий на углеродное волокно - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

в Лабораторию новых функциональных материалов и структур:
- специалиста в области оптических исследований двумерных материалов - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 2 года;

С победителями конкурсов будут заключены срочные трудовые договоры. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.