|
![]() |
![]() |
07.07.2026 | ||
Будем признательны за отзыв о нашем институте! Ваше мнение формирует официальный рейтинг организации: ![]() Анкета доступна по QR-коду, а также по прямой ссылке: https://bus.gov.ru/qrcode/rate/359057 |
в Лабораторию неравновесных электронных процессов: - специалиста в области время-разрешённой магнитооптики низкоразмерных гетероструктур, спектроскопии неупругого рассеяния света в конденсированных средах, сильно коррелированных двумерных электронных систем – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 2 года; в Лабораторию новых функциональных материалов и структур: - специалиста в области материаловедения и исследования электрофизических свойств сложных оксидов - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года; С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять Ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
в Лабораторию профилированных кристаллов: - специалиста в области выращивания из расплава монокристаллических и эвтектических оксидных волокон и исследования их характеристик - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет; в Лабораторию неравновесных электронных процессов: - специалиста в области исследования полупроводниковых соединений методами оптоэлектронного зондирования - 0,5 ставки должности научного сотрудника ИФТТ РАН и 0,5 ставки в проекте РНФ 19-72-30003 на срок выполнения проекта РНФ 19-72-30003; С победителями конкурса будут заключены срочные трудовые договоры. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
в Лабораторию спектроскопии дефектных структур: - специалиста в области разработки и испытаний высокотемпературных герметиков для ТОТЭ и ТОЭлЭ - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет; С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
в Лабораторию новых функциональных материалов и структур: С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
в Лабораторию неравновесных электронных процессов: - специалиста в области микроволновой и субтерагерцовой спектроскопии низкоразмерных электронных систем в полупроводниковых гетероструктурах - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет; С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН. |
| ISSP RAS © 2004 - 2023 All rights reserved. Powered by Joomla Open Source. |