|
![]() |
![]() |
07.07.2026 | ||
Будем признательны за отзыв о нашем институте! Ваше мнение формирует официальный рейтинг организации: ![]() Анкета доступна по QR-коду, а также по прямой ссылке: https://bus.gov.ru/qrcode/rate/359057 |
в Лабораторию неравновесных электронных процессов: - специалиста в области исследования плазменных возбуждений в частично экранированных двумерных электронных системах – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет; С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН. Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 12.09.2025г.
в Лабораторию новых функциональных материалов и структур: в Лабораторию квантовых кристаллов: в Лабораторию водородной энергетики: в Лабораторию материаловедения: в Лабораторию поверхностного деформационного структурирования: С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
старших научных сотрудников: в Лабораторию профилированных кристаллов: в Лабораторию сверхпроводимости: в Лабораторию спектроскопии дефектных структур: в Лабораторию электронной кинетики: в Лабораторию неравновесных электронных процессов: - специалиста в области исследования фазовых превращений, влияния внутренних границ раздела на структуру и свойства сплавов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет; ведущего научного сотрудника: в Лабораторию физики высоких давлений: С победителями конкурсов будут заключены срочные трудовые договоры. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
в Лабораторию материаловедения: в Лабораторию поверхностного деформационного структурирования: в Лабораторию управляемого роста кристаллов: С победителями конкурсов будут заключены срочные трудовые договоры. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
- Лабораторией физики высоких давлений - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет; С перечнем требований к кандидату можно ознакомиться на Портале вакансий по адресу https://ученые-исследователи.рф/ С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН. |
| ISSP RAS © 2004 - 2023 All rights reserved. Powered by Joomla Open Source. |