в Лабораторию сверхпроводимости:
- специалиста в области исследования структуры магнитного потока в сверхпроводниках и магнетиках методом низкотемпературного декорирования - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;

в Лабораторию спектроскопии дефектных структур:
- специалиста в области разработки защитных покрытий токовых коллекторов батарей ТОТЭ – полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;
- специалиста в области разработки твердооксидных топливных элементов для батарей ТОТЭ с улучшенными массогабаритными характеристиками – полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;
- специалиста в области химии дефектов и переноса заряда в оксидах со смешанной кислород-ионной и электронной проводимостью - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
- специалиста в области технологии волоконных композитов - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

в Лабораторию физико-химических основ кристаллизации:
- специалистов в области роста кристаллов и исследования свойств полупроводников – 0.5 ставки, 2 вакансии сроком на 4 года;

в Лабораторию технологий твердооксидных электролизных и топливных элементов:
- специалиста в области химии дефектов и переноса заряда в оксидах со смешанной кислород-ионной и электронной проводимостью - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

в Лабораторию квантовых кристаллов:
- специалиста в области исследования волновой и вихревой турбулентности на поверхности и в объеме классической и квантовой жидкости - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;
- специалиста в области жидких кристаллов, динамики фазовых переходов в частично упорядоченных конденсированных средах - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
- специалиста в области исследования влияния электрических воздействий на структурные превращения в конденсированных средах - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

в Лабораторию профилированных кристаллов:
- специалиста в области диагностической оптики и биофотоники – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 2 года;
- специалиста в области материалов и методов ТГц биофотоники - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

в Сектор нанолитографии:
- специалиста в области исследования свойств слоистых электронных систем в полупроводниковых гетероструктурах - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;

в Лабораторию неравновесных электронных процессов:
- специалиста в области исследования плазмон-поляритонных возбуждений в двумерных электронных системах - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;

С победителями конкурса будут заключены срочные трудовые договоры. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук (ИФТТ РАН) объявляет конкурс на замещение вакантных должностей младших научных сотрудников:

в Лабораторию новых функциональных материалов и структур:
- специалистов в области создания и исследования новых функциональных материалов и структур - 0.5 ставки, 7 вакансий сроком на 2 года;

в Лабораторию спектроскопии дефектных структур:
- специалиста в области изучения переноса заряда и протекания токогенерирующих реакций в электродах твердооксидных топливных элементов методом спектроскопии комбинационного рассеяния света – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.

Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.

в Лабораторию неравновесных электронных процессов:
- специалиста в области оптики низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур и
Раман-спектроскопии сильно коррелированных электронных систем – 1 вакансия, полная ставка;

в Лабораторию электронной кинетики:
- специалиста в области экспериментальных исследований низкотемпературного транспорта и магнитотранспорта высокотемпературных сверхпроводников, органических металлов и топологических изоляторов – 1 вакансия, полная ставка;

С победителями конкурса будут заключены бессрочные трудовые договоры. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.

в Лабораторию квантовых кристаллов:

 - специалиста в области исследования турбулентности на поверхности и в объеме классической и квантовой жидкости - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:00 01.07.2022г.

в Лабораторию профилированных кристаллов:

- специалиста в области биоморфных карбидных керамических и композиционных материалов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 27.05.2022г.