.
12.10.2024 
  
Будем признательны за отзыв о нашем институте!
Ваше мнение формирует официальный рейтинг организации:

Анкета доступна по QR-коду, а также по прямой ссылке:
https://bus.gov.ru/qrcode/rate/359057

3 декабря 2018г. в 14.30 в конференц-зале
состоится заседание Ученого совета ИФТТ РАН

ПОВЕСТКА ДНЯ:

I. Утверждение тем аспирантов I года обучения:

1. Пикалова О.В. «Высокотемпературные защитные покрытия токовых коллекторов, изготавливаемых из коммерческих сталей» - научный руководитель – С.И. Бредихин.
2. Федорова И.Б. «Свойства слоистых электронных систем в полупроводниковых гетероструктурах и полевых транзисторах на их основе» - научный руководитель – С.И. Дорожкин.

II. Утверждение кандидатуры председателя государственных экзаменационных комиссий магистратуры и аспирантуры ИФТТ РАН.

III. Доклады по работам, направляемым в печать:
1. A.A. Zhukov, Ch. Volk, A. Winden, H. Hardtdegen, Th. Schaepers “Correlations of mutual positions of charge density waves nodes in side-by-side placed InAs wires measured with scanning gate microscopy”, «JETP Lett.».
2. A. A. Zhukov, Ch. Volk, A. Winden, H. Hardtdegen and Th. Schäpers «Stability of charged density waves in InAs nanowires in an external magnetic field», «J. Phys.: Condens. Matter».

3. Boris M. Shipilevsky «Diffusion-controlled formation and collapse of a d-dimensional A-particle island in the B-particle sea», «PHYSICAL REVIEW E»
4. А.А. Левченко, Е.В. Лебедева, Л.П. Межов-Деглин, А.А. Пельменёв
«Самоорганизация нейтральных частиц на поверхности сверхтекучего He-II», «ФНТ».

IV.Закрытая часть.