.
12.10.2024 
  
Будем признательны за отзыв о нашем институте!
Ваше мнение формирует официальный рейтинг организации:

Анкета доступна по QR-коду, а также по прямой ссылке:
https://bus.gov.ru/qrcode/rate/359057

I. Доклады по работам, направляемым в печать:


1. М. Khorosheva, V. Kveder, A. Tereshchenko “Impact of iron atoms on the electronic properties of n-silicon with dislocations”, Physica Status Solidi a».

2. V. Kveder, М. Khorosheva “Interaction of chromium atoms with dislocations and as-grown vacancy-complexes and its impact on the electronic properties of FZ-Si”, «Physica Status Solidi b».

II. Закрытая часть.