30.09.2022 
  

Члены РАН - сотрудники ИФТТ РАН

 

Подкатегории

 

Тимофеев Владислав Борисович
доктор физ.-мат. наук
профессор
академик РАН

Тимофеев В.Б.-специалист в области физики полупроводников и твердого тела, автор и соавтор более 200 публикаций, включая 14 обзоров и двух коллективных монографий. Тимофеевым В.Б. исследованы фазовые диаграммы конденсации в металлическую электрон-дырочную жидкость и проанализирована термодинамика неравновесных электрон-дырочных систем в полупроводниках; в неравновесном электрон-дырочном газе обнаружены новые квазичастицы - экситонные молекулы и исследованы их свойства; экспериментально реализован новый квантовый обьект - спин-ориентированный газ экситонов, обнаружено и исследовано его квантовое статистическое поведение. Тимофеевым В.Б. обнаружены гигантские излучательные вероятности экситонно-примесных комплексов в полупроводниках с прямой щелью. В его работах по многоэкситонным комплексам, определена устойчивость комплексов и проведена исчерпывающая классификация их электронных и дырочных термов в соответствии с оболочечным строением. В области оптической спектроскопии высокотемпературных сверхпроводников В.Б.Тимофеевым впервые выполнены исследования неупругого рассеяния света, связанного с надщелевыми возбуждениями в оксидных сверхпроводниках, обнаружена сильная анизотропия рассеяния, обусловленная анизотропией сверхпроводящей щели в этом классе высоко температурных свехпроводников.Все эти работы широко известны и получили мировое признание.

В последние годы Тимофеев В.Б. успешно развивает новое направление, касающееся оптических свойств низкоразмерных полупроводниковых систем. В этой интенсивно развивающейся области им обнаружены эффекты дробного квантования холловского сопротивления в кремниевых полевых транзисторах, предложен и реализован спектроскопический метод измерения кулоновских щелей в режиме дробного квантового эффекта Холла, обнаружена вигнеровская кристаллизация двумерных электронов в одиночном гетеропереходе, исследованы кулоновские корреляционные эффекты в системах с пространственно разделенными электрон-дырочными слоями и в этих системах обнаружена бозе-конденсация пространственно непрямых экситонов. Работы Тимофеева В.Б. заложили оcновы нового направления - магнитооптики низкоразмерных электронных систем в ультраквантовом пределе.

В организованной В.Б.Тимофеевым в 1976 г.лаборатории неравновесных электронных процессов подготовлено с момента основания двадцать кандидатов и семь докторов наук, один из сотрудников избран чл.-корреспондентом РАН. В.Б.Тимофеев продолжает вести успешную преподавательскую работу, являясь профессором Московского физико-технического института (г.Долгопрудный).

Тимофеев В.Б. - председатель Научного Совета ООФА РАН по "Физике полупроводников", член бюро комиссии по спектроскопии ООФА, член Бюро Отделения физических наук РАН, член Президиума научного центра РАН в Черноголовке, член международной Комиссси по физике полупроводников IUPAP, член редакционных коллегий ряда отечественных и международных научных журналов. Тимофеев В.Б. лауреат Государственной премии СССР и международной Гумбольдтовской премии, имеет правительственные награды.

 
kukushkin s

Кукушкин Игорь Владимирович

академик РАН, доктор физ.-мат. наук, профессор

Игорь Владимирович Кукушкин - известный русский физик, автор более 300 научных статей, обзоров и монографий, и более 20 международных и российских патентов. Кукушкин родился в 1958 году в Московской области, в 1974 году закончил школу в п. Черноголовка и поступил в Московский Физико-Технический Институт, который закончил в 1980 году. После окончания МФТИ И.В. Кукушкин поступил на работу в Институт физики твердого тела РАН, в котором он был стажером-исследователем, аспирантом, научным сотрудником, старшим научным сотрудником, ведущим научным сотрудником и продолжает работать в ИФТТ РАН заведующим лабораторией и главным научным сотрудником. И.В. Кукушкин начал свою научную деятельность около 40 лет назад с исследований экситонов, экситонных молекул и электронно-дырочной жидкости в объемных полупроводниках Ge и Si. Он был первым, кто нашел довольно необычные условия деформации кристаллов Ge, при которых электроно-дырочная жидкость становится неустойчивой. Именно в этих условиях удалось впервые наблюдать связанное состояние экситоных молекул в Ge и изучить их свойства. В этой экситонной системе в сильных магнитных полях Кукушкиным было обнаружено проявление квантово-статистических свойств экситонного газа - предвестника Бозе-Эйнштейновской конденсации экситонов. Эти работы составили предмет кандидатской диссертации И.В. Кукушкина, которую он успешно защитил в 1983 году.

После защиты кандидатской диссертации И.В.Кукушкин зачал заниматься исследованием свойств низкоразмерных электроных систем. Он предложил и реализовал новый магнитооптический метод для прямого измерения энергетического спектра двумерных электронов, который успешно реализовал на примере кремниевых МОП-структур. В 1987 году И.В. Кукушкин получил стипендию Гумбольдта и начал работать в Институте Макса Планка (Штуттгарт, Германия) в лаборатории профессора Клауса фон Клитцинга. Используя новый класс гетероструктур, оптимизированных для оптических исследований, Кукушкин быстро получил целый ряд принципиально новых результатов. Им впервые был исследован энергетический спектр двумерных электронов в условиях квантового эффекта Холла и обнаружено магнитооптическое проявление дробного квантового эффекта Холла, наблюдающееся в виде скачков в спектральном положении линий рекомбинации двумерных электронов. Используя метод разрешенной во времени оптической спектроскопии, Кукушкину удалось впервые измерить энергетические щели в дробном квантовом эффекте Холла для различных семейств дробных состояний и выявить их коллективную природу.

Другим важнейшим достижением Кукушкина явилось магнитооптические исследования системы двумерных электронов в режиме вигнеровской кристаллизации. Из анализа кинетики излучательной рекомбинации было установлено, что в ультраквантовом пределе, при температуре ниже некоторой критической, система двумерных электронов испытывает фазовой переход, связанный с образованием вигнеровского кристалла. И.В. Кукушкиным было показано, что в этих условиях время рекомбинации двумерных электронов становится чрезвычайно большим и из абсолютной величины времени рекомбинации была установлена треугольная структура электронной решетки. В 1990 году Кукушкин защитил докторскую диссертацию, которая называлась "Магнитооптика двумерных электронов в условиях дробного квантового эффекта Холла и вигнеровской кристаллизации".

Последние несколько лет профессор Кукушкин продолжал исследовать свойства низкоразмерных электронных систем и развил несколько новых экспериментальных методик, среди которых следует выделить метод неупругого рассеяния света и методы оптического детектирования различных магнитных резонансов (циклотронного, размерного магнетоплазменного, спинового и ядерного магнитного резонансов). Используя технику оптического ориентирования ядерных спинов, Кукушкину удалось компенсировать электронную зеемановскую энергию энергией сверхтонкого взаимодействия с ядрами и обнаружить новый тип возбуждений в квантовом эффекте Холла - скирмионы. Еще одно достижение И.В. Кукушкина - первое наблюдение циклотронного резонанса на композитных фермионах, новых коллективных квазичастицах в системе двумерных электронов, которые ответственны за дробный квантовый эффект Холла [Nature, 415, 409 (2002)]. Другое важнейшее достижение И.В. Кукушкина - обнаружение ротонных минимумов в дисперсии нейтральных щелевых возбуждений в условиях дробного квантового эффекта Холла и измерение массы и энергетических щелей ротонов. Эти исследования были выполнены благодаря развитию Кукушкиным методики, позволяющей генерировать вблизи двумерного электронной системы поверхностные акустические волны с рекордно большими волновыми векторами [Science 324, 1044 (2009)]. Комбинированное резонансное поглощение микроволнового излучения и поверхностных акустических волн с большими волновыми векторами позволило прямым способом измерять дисперсию коллективных возбуждений в режиме Дробного Квантового Эффекта Холла, а также свойства композитных фермионов. Исследуя эффекты запаздывания в плазменных колебаниях в двумерной электронной системе, Кукушкин И.В. открыл новый физический принцип детектирования терагерцового излучения [Phys. Rev. Lett., 90, 156801 (2003), Phys. Rev. Lett., 92, 236803 (2004), Appl. Phys. Lett., 86, 044101 (2005), PHYSICAL REVIEW LETTERS, 114, 106805 (2015)], на базе которого изготовлены первые в мире матрицы детекторов для радиовидения.

В 1987 Кукушкин стал лауреатом премии Ленинского комсомола по физике. В 2001 году И.В. Кукушкину была присуждена международная премия общества Макса Планка и общества Гумбольдта за его "пионерские работы по физике твердого тела и его фундаментальный вклад в исследование дробного квантового эффекта Холла". Эта премия является главной наградой немецкого научного общества и за всю многолетнюю историю она лишь второй раз присуждается российскому (советскому) ученому.

Кукушкин И.В. является профессором МФТИ и ВШЭ. Под его руководством было успешно защищено более 20 кандидатских диссертаций и более 30 дипломов.

В 1997 году И.В. Кукушкин был избран член-корреспондентом РАН, а в 2016 году он был избран академиком Российской Академии Наук (Отделение Физических Наук).

Профессор Кукушкин является членом различных Российских научных комитетов, таких как "Российский фонд фундаментальных исследований", "Российский комитет по наноструктурам", "Российский комитет по физике Полупроводников". Он был и является членом программных комитетов различных международных и Российских конференций. Кукушкин И.В. возглавляет Совет по Инновациям ОФН РАН и является председателем Комиссии РАН по модернизации приборной базы научных организаций.

Кведер Виталий Владимирович

Кведер Виталий Владимирович

академик РАН, доктор физико-математических наук,  профессор

телефон: +7(495) 993 27 55
8 (252) 22344 (из Москвы и Московской области)

E-mail:Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.

Научная Биография

Виталий Владимирович КВЕДЕР родился в г.Оренбург 3 октября 1949г.

1966-1972 – обучался на факультете Общей и прикладной физики Московского физико-технического института.

С 1972 г. по настоящее время работает научным сотрудником Института физики твердого тела Российской академии наук.

В 1977 г. получил степень «кандидат физ.-мат. наук»

В 1987 г. получил степень «доктор физ.-мат наук»

В 1989 г. стал заведующим Лаборатории спектроскопии дефектных структур Института физики твердого тела РАН

В 1997 г. получил звание «профессор» по специальности «физика твердого тела»

С 1992 г. по 2002 г. был заместителем директора по научной работе Института физики твердого тела РАН

С 2002 г. по 2017 г. – Директор Института физики твердого тела РАН

В 2006 г. был избран членом-корреспондентом Российской академии наук

В 2019 г. избран академиком Российской академии наук

С 2019г.- научный руководитель ИФТТ РАН.

Научные интересы

- Физика дефектов в полупроводниках: электронные, магнитные и оптические свойства, взаимодействие протяженных дефектов с примесями; Экспериментальные методы: электронный спиновый резонанс, емкостная спектроскопия, DLTS, оптическая спектроскопия (люминисценция, оптическое поглощение, фотопроводимость), спин-зависимая рекомбинация, электро-дипольный спиновый резонанс («эффект Рашбы»), спин-зависимые реакции дефектов, СВЧ-измерения
- Самоорганизация дефектов и нелинейная диффузия
- Электронные, оптические и магнитные свойства фуллеренов, углеродных нано-трубок и соединений на основе фуллеренов.

Научно-организационная деятельность

Научный руководитель ИФТТ РАН.

Член Бюро ОФН РАН (заместитель академика-секретаря ОФН РАН)

Вице-президент Международного союза чистой и прикладной физики (Vice-President Elected at Large, International Union of Pure and Applied Physics (IUPAP)).

Координатор секции физики экспертного совета по Президентской программе Российского научного фонда (РНФ)

Председатель Научного совета РАН по физике конденсированных сред.

Член Совета Директоров НЦЧ РАН

Член диссертационного совета Д 002.1000.02 при ИФТТ РАН.

Председатель Научно-Технического Совета научно-производственного Консорциума «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем»

Член Комиссии Президиума РАН по золотым медалям и премиям имени выдающихся ученых

Зав. кафедрой Физики твердого тела в МФТИ

Постоянный член Advisory Committee Международной конференции Extended Defects in Semiconductors (EDS).

Постоянный член Executive Committee международной конференции Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology (GADEST).

Работа за границей

1980-1982 – Collaboration with Goettingen University (prof.W.Schroeter) and Clausthal University (prof. R.Labusch) (Germany) ~3months/year V.Kveder used to spend in Germany
1991-1992 – Collaboration with Lund University (prof.H.Grimmeiss) (Sweden) ) ~2months/year V.Kveder used to spend in Sweden
1992-1993 – Visiting professor in Tohoku University (Sendai, Japan) ~ 9 months
1993-1994 - Collaboration with Lund University (prof.H.Grimmeiss, prof.P.Omling)) (Sweden) ) ~2months/year V.Kveder used to spend in Sweden
1995-up to now - Collaboration with Goettingen University (Germany) ~2months/year V.Kveder spends in Germany

Бородин Владимир Алексеевич

Заведующей лабораторией управляемого роста кристаллов,
Генеральный директор ФГУП Экспериментальный завод научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро РАН,
член-корреспондент РАН,
доктор технических наук

телефон: +7(495) 962-80-50
8 (49652) 2-19-06
Почтовый адрес: ФГУП ЭЗАН, Черноголовка, Московская область, проспект академика Семенова, 9 142432, Россия
E-mail:Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.

Владимир Алексеевич БОРОДИН родился 23 июля 1950 г. в г. Рославле Смоленской области.

В 1973 г. поступил на физико-химический факультет Московского института стали и сплавов. После окончания института начал работать в Институте физики твердого тела АН СССР в должности-стажера исследователя.
В 1981 г. защитил кандидатскую диссертацию.
В 1984 г. был избран на должность старшего научного сотрудника Института физики твердого тела АН СССР.
В 1988 г. назначен заведующим лабораторией управляемой кристаллизации этого института.
В 1991 г. защитил докторскую диссертацию.
В мае 1992 г. из Института физики твердого тела РАН был переведен на должность директора Экспериментального завода научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро РАН.

С 2002 г. является генеральным директором этого предприятия.


Бородин В.А. – активно работающий физик-экспериментатор в области выращивания кристаллов из расплава и создания автоматизированного оборудования для их получения.

Им разработаны новые методы выращивания сложных изделий из расплава – вариационное формообразование и локальное динамическое формообразование. Для реализации этих методов выращивания им создан не имеющий мировых аналогов вид автоматизированных ростовых установок – «кристаллизационный центр», позволяющий в ходе процесса роста получать непосредственно из расплава по заданной программе сложные полые изделия из монокристаллов, в частности, сапфира с изменяемой формой боковой поверхности.

Выполненные им работы по математическому моделированию тепло и массопереноса, происходящего при выращивании монокристаллов методом Степанова, позволили впервые показать, что динамическое течение расплава в жидком мениске вблизи фронта кристаллизации оказывает существенное влияние на баланс сил, действующих на вытягиваемый из расплава кристалл. Этот результат был экспериментально подтвержден и использован при создании нового автоматизированного оборудования для роста кристаллов с адаптивными системами управления технологическим процессом. Такой системой оснащена выпускаемая ФГУП ЭЗАН установка «НИКА-СМ», предназначенная для выращивания тугоплавких оксидов методами Чохральского и Степанова. Благодаря адаптивным системам управления, впервые создана полностью автоматизированная (сквозная автоматизация) установка для группового выращивания сапфировых пластин, стержней и труб. Создана не имеющая аналогов установка «Профиль-Р» для выращивания методом Степанова крупногабаритных сапфировых пластин с рекордными размерами 300×500×8 мм. Получены пластины шириной 300 мм. Методом локального динамического формообразования на установках «кристаллизационный центр» начато производство сапфировых обтекателей в виде полусфер диаметром до 110 мм для ракетной техники.

В декабре 2004 года Бородин В.А. был награжден медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени.
В мае 2006 года Бородин В.А. был избран членом-корреспондентом РАН по специальности научное приборостроение.

 

Карпов Михаил Иванович

Карпов Михаил Иванович

доктор технических наук, профессор, член-корреспондент РАН

 

Родился 24 апреля 1944 г. в г. Мурманске

В 1967 г. окончил физико-химический факультет Московского института стали и сплавов.
В 1970 - аспирантуру Московского института стали и сплавов.
С 1970 г. – кандидат технических наук, с 1989 – доктор технических наук, с 1993 – профессор, с 2008 – член-корреспондент РАН.
Государственная премия СССР за создание и промышленное освоение новых материалов -1984 г.

Заведующий Лабораторией материаловедения ИФТТ РАН

Основные направления научной деятельности: материаловедение и технология тугоплавких металлов и сплавов, сталей, многослойных композиционных материалов.


Кулаковский Владимир Дмитриевич
член-корреспондент РАН,
доктор физ.-мат. наук, профессор

 

Кулаковский В.Д. – физик экспериментатор, работающий в области физики полупроводников. Он является автором и соавтором более 190 опубликованных научных работ в Российских и зарубежных ведущих научных журналах. Работы В.Д. Кулаковского в области физики экситонов и электрон-дырочной плазмы в полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах хорошо известны как в нашей стране, так и за ее пределами. Они получили высокую оценку на многих международных конференциях. В частности, им была

- измерена фазовая диаграмма газ экситонов – электронно-дырочная жидкость в непрямых полупроводниках и исследована зависимость свойств жидкости от кратности вырождения валентной и зоны и зоны проводимости,

- показано, что наличие вырождения зон является необходимым условием для образования стабильных многочастичных экситон-примесных комплексов, не имеющих аналогов  в атомной физике, 

- обнаружены и исследованы свойства экситонных молекул в непрямых полупроводниках кремнии и германии, исследовано взаимодействие спин-поляризованных экситонов в германии.

С конца 80х годов научные интересы В.Д. Кулаковского находятся в области изучения низкоразмерных электрон-дырочных систем в полупроводниковых наноструктурах. В этой области им

- исследованы многочастичные эффекты в плотных заряженной и нейтральной электрон-дырочных магнитоплазмах в квантовых ямах в III-V и II-VI полупроводниковых  гетероструктурах,

- обнаружено существование деэкситонных состояний в нейтральных системах с заполненными уровнями Ландау и исследованы их свойства,

- обнаружены и исследованы связанные магнитоплазмон-фононные моды,

- исследованы структура магнитоэкситонов в квантовых ямах и их взаимодействие в малых и сильных магнитных полях,

- исследованы структура и оптические и спиновые свойства экситонов в квантовых проволоках и точках, эти новые квантовые объекты безусловно будут востребованы в спинтронике.

Параллельно с исследованиями спиновых свойств экстонов в квантовых точках в конце 90-х годов В.Д.Кулаковский начал исследования экситон-фотонного взаимодействия в полупроводниковых микрорезонаторах с квантовыми ямами и квантовыми точками в активной области. За короткое время им были получены значительные результаты. В частности, им было

- исследовано экситон-фотонное взаимодействие в квазинульмерных микрорезонаторах с одиночной квантовой точкой в активной области, впервые реализован режим сильной экситон-фотонной связи в таких микрорезонаторах,

- исследовано взаимодействие экситонов в квантовых точках, расположенных в микрорезонаторах далеко друг от друга, через фотонную моду,

- исследованы  свойства экситонных поляритонов в плоских микрорезонаторах с одной и несколькими квантовыми ямами, обнаружена поляризационная мультистабильность экситонных поляритонов в условиях резонансной накачки,

- выяснен механизм формирования стимулированного параметрического поляритон-поляритонного рассеяния,

- обнаружено мультистабильное поведение, экспериментально реализован неравновесный конденсат экситонных поляритонов, обнаружен эффект Мейсснера  в поляритонном конденсате, помещенном в магнитное поле.

В.Д. Кулаковский является членом программных комитетов  российской конференции по физике полупроводников и международной конференции «Наноструктуры:физика и технология».

В.Д. Кулаковский является профессором МФТИ и физфака ВШЭ.

В 1988 году В.Д. Кулаковскому была присуждена Государственная премия СССР в области физики. В 2002 году В.Д. Кулаковский получил Рентгеновскую профессорскую премию.

Под руководством В.Д. Кулаковского подготовлены 14 кандидатов физико-математических наук, двое из которых к настоящему времени стали докторами физ-мат наук.


Долгополов Валерий Тимофеевич
член-корреспондент РАН,
доктор физ.-мат. наук, профессор

E-mail: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.

ДОЛГОПОЛОВ В.Т. - специалист в области низкотемпературной физики твердого тела, автор более 150 научных работ (в том числе 10 обзоров). Основное направление его деятельности- исследование низкотемпературных электронных транспортных свойств твердых тел.

Основные научные результаты В.Т. Долгополова:

  • обнаружен новый механизм электромагнитного возбуждения звука в нормальных металлах;
  • исследовано нелинейное преобразование электромагнитных волн в нормальных металлах и сверхпроводниках. Открыты токовые состояния, проявляющиеся в спонтанном появлении постоянного магнитного момента в образцах, облучаемых электромагнитными волнами радиочастотного диапазона;
  • выполнено прямое экспериментальное доказательство существования бездиссипативного протекания по делокализованным состояниям под уровнем Ферми как в целочисленном, так и в дробном квантовом эффекте Холла с помощью экспериментальной реализации известного “мысленного” опыта Лафлина;
  • исследовано влияние экранирования на температурную зависимость упругого времени релаксации в двумерных электронных системах;
  • исследованы аномальные свойства двумерных электронных систем малой плотности (аномалии восприимчивости и эффективной массы), обусловленные сильным межэлектронным взаимодействием.

Среди учеников В.Т. Долгополова 4 доктора и 9 кандидатов физико-математических наук.

Перечисленные результаты имеют признание в России и за рубежом:

В.Т. Долгополов награжден медалью Академии наук за лучшую научную работу молодого ученого 1972 года, был профессором фонда Е. Хераус в 1994 году, получил премию фонда А.фон Гумбольдта в 2001 году.

Гантмахер Всеволод Феликсович

1935 – 2015 гг

Академик Всеволод Феликсович Гантмахер - выдающийся российский ученый, заслуженный профессор МФТИ, специалист в области низкотемпературной физики твердого тела, положивший начало нескольким новым научным направлениям в нашей стране и создавший одну из самых многочисленных и успешно работающих научных школ.

В.Ф.Гантмахер родился в Москве в семье известного математика, профессора МФТИ  Ф.Р. Гантмахера.  Высшее образование Всеволод Феликсович получил в МФТИ (1954- 1959 г.).  Уже со второго курса он начал практическую научную работу в Институте физических проблем. Его научным руководителем был выдающийся физик-экспериментатор - Юрий Васильевич Шарвин. Работа под руководством  Ю.В. Шарвина и А.И. Шальникова оказала глубокое влияние на формирование его научного почерка.

С 1964 года, после защиты кандидатской диссертации, Всеволод Феликсович  переходит на работу в организованный годом ранее Институт физики твердого тела АН СССР. Работая над докторской диссертацией в ИФП, он открывает новый способ измерения параметров вырожденного газа фермионов (радиочастотный размерный эффект, известный также как  эффект  Гантмахера) и возможность  проникновения электромагнитных волн в металлы в магнитном поле по цепочке орбит. Этот способ был зарегистрирован, как открытие и получил название эффект Гантмахера –Канера.

В первые годы после основания ИФТТ, Всеволод Феликсович принимал самое деятельное участие в установлении принципов научной работы в новом институте  заложенных  в Хартии научного коллектива ИФТТ. В дальнейшем, на протяжении почти полувековой работы в институте, Всеволод Феликсович олицетворял собой здравый смысл и во многих спорных или критических ситуациях его мнение оказывалось решающим. Как человек с высочайшим научным авторитетом и выдающимися личными качествами, Всеволод Феликсович многие годы способствовал формированию благоприятного климата и творческого подхода к научной работе в институте. В этом  смысле, В.Ф. Гантмахера по праву следует считать одним из отцов-основателей современного ИФТТ.

Докторскую диссертацию Всеволод Феликсович защитил в 1967 году и, начиная с 1968 года, полностью перенес свою научную работу в Черноголовку в Лабораторию физики низких температур ИФТТ.  Это был не просто переезд на новое место с сохранением прежней тематики.  В последующие два-три года Всеволод Феликсович активно искал для себя и своих сотрудников  возможные новые направления исследований.
В 1974 году им создана Лаборатория  электронной кинетики. Круг научных интересов Всеволода Феликсовича в это время удивительно широк — от сверхпроводимости до нелинейных свойств нормальных металлов,  квантовых явлений в транспортных свойствах полупроводников и проблем локализации в неупорядоченных средах. В последние годы  им была  экспериментально продемонстрирована возможность локализации куперовских пар в аморфных сверхпроводниках и существование связанного с ней квантового фазового перехода сверхпроводник - изолятор.

Особого внимания заслуживает преподавательская деятельность Всеволода Феликсовича. С момента  создания кафедры  Физики  твердого тела МФТИ в 1964 году и вплоть до 1989 года он был заместителем заведующего кафедрой, а с 2008 года возглавлял ее. Важнейшим достижением  Всеволода Феликсовича является создание двух оригинальных курсов лекций, охватывающих широкий круг вопросов физики электронных систем от  нормальных металлов до мезоскопических структур.

Всеволод Феликсович выделялся особым стилем преподавания и научного руководства, сочетавшим в себе высочайшую требовательность и справедливость. В.Ф.Гантмахер создал свою научную школу, среди его учеников - десятки кандидатов и докторов физико-математических наук.

На протяжении многих лет В.Ф. Гантмахер руководил в ИФТТ РАН семинаром «Физика низких температур». Широкий кругозор, пытливость ума Всеволода Феликсовича и его умение сгладить конфликт обуславливали уникальную внутреннюю атмосферу семинара, давно вышедшего за рамки отдельно взятой лаборатории.  

Успешная научная работа В.Ф.Гантмахера получила широкое признание коллег и научной общественности. За работы по исследованию радиочастотных размерных эффектов он был награжден премией Ленинского комсомола.
В 2009 году ему была присуждена Золотая медаль имени П. Л. Капицы РАН. В 2011 году он был избран действительным членом РАН.

Им написаны и переведены на английский язык книги «Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках» (совместно с И.Б. Левинсоном) и «Электроны в неупорядоченных средах», которые приобрели большую популярность и стали настольными для специалистов, занимающимися исследованиями электронных свойств металлов.  

Всеволод Феликсович был одним из создателей грантовой системы в нашей стране. С 1990 года по 2011 год был главным редактором  журнала «Письма в ЖЭТФ», где полностью реорганизовал работу редакции, что сделало процесс  публикации самым быстрым в мире. В том, что журналу «Письма в ЖЭТФ»  удалось сохранить позицию одного из ведущих физических журналов в нашей стране и в мире, огромная заслуга Всеволода Феликсовича.

Блестящие достижения Всеволода Феликсовича Гантмахера  в научной, преподавательской и организационной деятельности неотделимы от его выдающихся личных качеств – мудрости, доброжелательности, порядочности, чувства юмора и оптимизма.