08.08.2022 
  

- специалиста в области физики конденсированного состояния, радиационных и ядерных технологий, твердооксидных электролизных и топливных элементов – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 28.01.2022г.

- специалиста в области нелинейных волновых и вихревых процессов - 0.1 ставки, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.

в Лабораторию неравновесных электронных процессов:

- специалиста в области время-разрешённой магнитооптики низкоразмерных гетероструктур, спектроскопии неупругого рассеяния света в конденсированных средах, сильно коррелированных двумерных электронных систем и спиновой физике полупроводников – полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;

в Лабораторию электронной кинетики:

- специалиста в области шумовых исследований теплового кондактанса гибридных структур «полупроводник-сверхпроводник» - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять Ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.

в Лабораторию неравновесных электронных процессов:

- специалиста в области магнитооптики экситонных состояний в новых полупроводниковых материалах, оптики низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
- специалиста в области низкотемпературного исследования электродинамического отклика двумерных электронных систем – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

в Лабораторию сверхпроводимости:
- специалиста в области исследования тонкопленочных
джозефсоновских структур на основе туннельных и ферромагнитных барьеров, проектирования и изготовления тонкопленочных структур методами ионно-плазменного
осаждения и обработки, экспериментальных исследований в криостате Не-4 - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;

в Лабораторию спектроскопии дефектных структур:
- специалиста в области изучения структуры внутреннего сопротивления твердооксидных топливных элементов методом электрохимических исследований - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;

С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять Ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.

 

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук (ИФТТ РАН) объявляет конкурс на замещение вакантной должности младшего научного сотрудника в Лабораторию поверхностей раздела в металлах:

- специалиста в области фазовых превращений, массопереноса, структуры и свойств внутренних границ раздела в конденсированных средах - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.

Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.