в Лабораторию спектроскопии поверхности полупроводников:

- специалиста в области рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и обработке экспериментальных данных РФЭС - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 2 года;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.

в Лабораторию поверхностей раздела в металлах:

 - специалиста в области фазовых превращений, массопереноса, структуры и свойств внутренних границ раздела в конденсированных средах - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

 С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.

Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 22.04.2022г.

- специалиста в области термодинамики равновесия дефектов и переноса заряда в оксидных материалах со смешанной кислород-ионной и электронной проводимостью – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:00 18.03.2022г.

в Лабораторию неравновесных электронных процессов:

- специалиста в области терагерцовой спектроскопии низкоразмерных электронных систем – 1 вакансия, полная ставка;

- специалиста в области физики низкоразмерных поляритонных систем – 1 вакансия, полная ставка;

- специалиста в области теории многокомпонентных сильнокоррелированных двумерных электронных систем в магнитном поле – 1 вакансия, полная ставка;

в Лабораторию физико-химических основ кристаллизации:

- специалиста в области физического материаловедения полупроводниковых кристаллов для лазерной, нелинейной оптики, детекторов излучений – 1 вакансия, полная ставка;

С победителями конкурса будут заключены бессрочные трудовые договоры. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 25.02.2022г.

в Лабораторию спектроскопии поверхности полупроводников:
- специалиста в области математического моделирования, численных методов, физики льда и сильно коррелированных систем - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию физико-химических основ кристаллизации:
- специалиста в области материаловедения жаропрочных и тугоплавких металлов и сплавов с комбинированным упрочнением, в том числе естественных и искусственных композиционных материалов с металлической матрицей - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 04.02.2022г.