- специалиста по разработке методов выращивания кристаллов полупроводников, сверхпроводников, материалов с топологически защищенными свойствами – полная ставка, 1 вакансия на срок полномочий директора ИФТТ РАН;

- специалиста по низкотемпературным исследованиям полупроводниковых, сверхпроводящих, магнитных низкоразмерных систем - полная ставка, 1 вакансия на срок полномочий директора ИФТТ РАН;

С полным перечнем требований к кандидатам можно ознакомиться на Портале вакансий по адресу https://ученые-исследователи.рф/

С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.

Срок подачи документов – до 09.04.2021г.

- специалиста в области исследований взаимодействия и электронных свойств дефектов в кремнии методами емкостной спектроскопии дефектных уровней и измерением тока, наведенного лазерным излучением – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.

Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 26.03.2021г.

- специалиста в области физики полупроводников и низкоразмерных систем: транспортные свойства двумерных и одномерных топологических поверхностных состояний, топологические изоляторы, топологические полуметаллы Дирака и Вейля, квантовые ямы, спиновый эффект Холла, спинтроника – 0,5 ставки, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.

Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.

в Лабораторию физики высоких давлений:

- специалиста в области проведения исследований взаимодействия металлов с водородом с использованием дифференциальной сканирующей калориметрии и рентгеновской дифракции – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию профилированных кристаллов:

- специалиста в области ТГц спектроскопии и визуализации, разработки ТГц элементной базы – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 12.02.2021г.