Дифракционный анализ нанокристаллических объектов: размер зерна менее 50 нм.
Принцип метода
Известно, что в обычном эксперименте с дифракционной решеткой в оптическом диапазоне угловая ширина максимума зависит от линейного размера объекта, т.е. числа штрихов решетки, участвующих в рассеянии. Аналогичным образом, рентгеновская дифракционная картина кристаллического материала в принципе чувствительна к линейным размерам области когерентного рассеяния (блока мозаики, зерна и т.д.). В терминах задачи об интерференционной функции Лауэ размер узла обратной решетки (а, следовательно, полуширина максимума) определяется как обратная величина размера кристалла в соответствующем направлении.
В аналитическом описании рассмотрим простейший случай рассеяния на кристалле в форме параллелепипеда, ребра которого параллельны векторам решетки a, b, c и имеют размеры La = М1a, Lb = М2b, Lc = М3c. Положение рассеивающего атома в кристалле задается rnmp,j = rnmp + rj, здесь
rnmp = ma + nb + pc
а вектор rj в виде
rj = xja + yjb + zjc
где xj, yj, zj - относительные координаты j-го атома в элементарной ячейке.
"Комплексная амплитуда" луча, рассеиваемого j-м атомом [mnp] ячейки определяется выражением
Здесь вектор рассеяния s - so = xa* + hb* + zc*, где a*, b*, c* - параметры обратной решетки. Суммируя амплитуды рассеяния по всем атомам кристалла, получим комплексную амплитуду результирующей волны:
где называется интерференционной функцией Лауэ, структурная амплитуда (рассеяние одной элементарной ячейкой). Далее записывается интенсивность луча, рассеянного в направлении s:
Здесь |F(xhz)|2 - структурный фактор, |Ф(xhz)|2 - интерференционный фактор.
Условия дифракции.
При целочисленных значениях параметра x функция |Ф(xhz)|2 равна М12. Главные максимумы, расположенные в точках x = 0, 1, 2..., имеют одинаковую высоту М12. Для кристалла с линейными размерами около 0.1 мм и постоянной решетки около 5 A высота главного максимума порядка 1010. Функция |Ф(xhz)|2 близка к нулю при всех значениях x, кроме целочисленных. Побочные максимума практически не влияют на дифракционную картину.
Интерференционный фактор |Ф(xhz)|2 для кристалла равен произведению трех таких функций. Следовательно, он отличен от нуля, лишь при одновременном соблюдении трех условий:
где h, k, l - любые целые числа. Таким образом, естественным итогом аналитической процедуры являются уравнения Лауэ:
Интерференционный фактор |Ф(xhz)|2 при выполнении дифракционных условий равен М12М22М32 = М2 квадрату общего количества элементарных ячеек в кристалле. Таким образом, в дифракционном направлении
где
Протяженность и форма узлов обратной решетки.
Каждый главный максимум в обратном пространстве не является математической точкой, а занимает определенный объем между "первыми нулями" интерференционного максимума |Ф(xhz)|2. Например, для |Ф(x)|2 ближайшие к максимуму h нулевые значения лежат при x = + 1/M1. Следо-вательно, ширина главного максимума Dx равна 2/M1. Это и есть линейный размер узла обратной решетки вдоль оси x*, выраженный в долях осевой единицы а*. В абсолютных единицах длины обратного пространства линейный размер узла:
Размер узла обратной решетки, измеряемый от его центра вдоль каждой из осей, обратно пропорционален размеру кристалла D вдоль того же направления.
Это размытие одинаково для всех узлов обратной решетки. Вообще размер узла обратной решетки в направлении его радиуса-вектора обратно пропорционален размеру кристалла в том же направлении (т.е. в направлении нормали к рассеивающей плоскости), что дает
Откуда
где D(2q) - угловое размытие интерференционного максимума.
Эффекты, связанные с интерференционной функцией Лауэ, обозначаются, как физическое уширение линий. Имеются и другие причины возрастания ширины линии. Исходным параметром является собственная ширина спектральной линии характеристического излучения. Для обычных металлических анодов линия Кa имеет спектральную ширину Dl/l ~ 10-3, что соответствует весьма малому угловому размытию линий (на уровне долей угловой минуты). Более существенный вклад могут дать геометрические условия съемки - расходимость пучка, условия фокусировки. Это уширение инструментальное (или геометрическое) является определяющим, если и изучаются объекты с большим размером зерна. Например, для узла dhkl = 1.23 A размытие составляет 0.01o. Это означает, что ширина блока в данном направлении соответствует ~3000 ячеек, т.е. 10000 A, или 1000 нм. Однако инструментальное уширение обычно превышает 0.01o, поэтому в этом случае определять размеры кристаллов по рентгенограмме нельзя. При средних размерах кристаллитов необходимо разделять физическое и инструментальное уширение. При исследовании нанокристаллических материалов, размер зерна в которых обычно составляет не более 50 нм, физические уширение превышает инструментальное примерно на порядок и инструментальным уширением можно пренебречь.
Пример - анализ рентгенограммы образца, содержащего аморфную и нанокристаллическую фазы.
- Образец в виде ленты наклеиваем на подложку, вырезанную из монокристалла Si таким образом, чтобы она не давала никаких отражений в исследуемом угловом интервале.
- Проводим съемку исследуемого образца на дифрактометре. Полученный спектр показан на рис. 2.2.2. Он содержит диффузное гало (отражение от аморфной фазы) и ряд линий (отражение от кристаллической фазы).
- Первичная обработка спектра (сглаживание и вычитание фона).
- Используя программу fit, проводим разделение диффузных и брегговских отражений.
- Используя информацию о химическом составе образца и данные картотеки PDF, идентифицируем кристаллическую фазу.
- Используя программу Comp, определяем полуширины наиболее интенсивных максимумов.
- Рассчитываем размер зерна кристаллической фазы, используя данные о полуширине максимумов.
Рис. 2.2.2 Рентгенограмма образца, содержащего аморфную и нанокристаллическую фазы.
Возможный вариант:
- Брегговские отражения отвечают не одной, а двум или более кристаллическим фазам
- определяем фазовый состав материала (идентифицируем кристаллические фазы);
- определяем полуширины максимумов для каждой фазы отдельно;
- рассчитываем размер зерна для каждой фазы.
- Идентифицировать кристаллическую фазу не удается.
- определяем положения наиболее интенсивных максимумов;
- с помощью программы powd рассчитываем возможную кристаллическую решетку;
- проверяем оставшиеся менее интенсивные максимумы на соответствие полученной кристаллической решетке.
- Брегговские отражения отвечают не одной, а двум или более кристаллическим фазам