25.04.2024 | ||||
Будем признательны за отзыв о нашем институте! Ваше мнение формирует официальный рейтинг организации: Анкета доступна по QR-коду, а также по прямой ссылке: https://bus.gov.ru/qrcode/rate/359057 |
Физика дефектов
руководитель: Кведер В.В. 2-19-82 В пятницу 5 октября в 10 утра в аудитории 104 состоится семинар "Физика дефектов".На семинаре Коровкин Евгений Васильевич представит работу в печать:Е.В. Коровкин«Поляроны в ионных кристаллах с решёткой типа NaCl»В пятницу 1 июня в 10 утра в аудитории 104 состоится семинар "Физика дефектов".На семинаре Брантов Сергей Константинович представит работу в печать:С.К.Брантов, Е.Б.Якимов«Терморезистивный полупроводниковый SiC/Si композиционный материал»В пятницу 25 мая в 10 утра в аудитории 104 состоится семинар "Физика дефектов".На семинаре Киселев Александр Петрович представит работу в печать: «Перенос энергии от Ce3+ к Tb3+ в ортоборатах иттрия и гадолиния, полученных гидротермальным синтезом»С.З. Шмурак, В.В. Кедров, А.П. Киселев, Т.Н. Фурсова, О.Г. РыбченкоВ пятницу 20 апреля в 10 утра в аудитории 104 состоится семинар "Физика дефектов".На семинаре Медведев Олег Сергеевич представит диссертационную работу на соискание степени кандидата физико-математических наук (01.04.10) по теме:Дислокационная люминесценция в нитриде галлияАннотация:Диссертационная работа "Дислокационная люминесценция в нитриде галлия" Медведева О.С. посвящена изучению рекомбинационных свойств дислокаций в GaN, внедрённых локальной пластической деформацией после завершения процесса роста. В работе было продемонстрировано, что винтовые дислокации в базисной плоскости являются источниками излучения с энергией излучения 3.1 эВ при комнатной температуре, а интенсивность их излучения превосходит интенсивность зона-зонного перехода. Данные исследований зависимостей дислокационной люминесценции от температуры, от величины механических напряжений и от тока электронного луча свидетельствуют о ее экситонном происхождении. В работе также показано, что места пересечения винтовых дислокаций представлены собственной полосой излучения 3.3 эВ при 70 К. Изучение атомного строение дислокаций и мест их пересечения позволило построить модель оптических переходов в объёме а-винтовой дислокации, объясняющую полученные катодолюминесцентные зависимости, термическую стабильность дислокационной структуры и излучения. |
ISSP RAS © 2004 - 2023 All rights reserved. Powered by Joomla Open Source. |